泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展

上?！?近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設(shè)備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設(shè)備EOS? GS，泛林集團(tuán)進(jìn)一步拓展了其應(yīng)力管理產(chǎn)品組合。

泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展

高深寬比沉積和刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應(yīng)力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中的一個主要挑戰(zhàn)。嚴(yán)重的晶圓翹曲會影響光刻焦深、層與層之間的對準(zhǔn)、甚至導(dǎo)致圖形結(jié)構(gòu)畸變，從而降低產(chǎn)品的良率。為了提高整體良率，需要對整個制造工藝中多個步驟在晶圓、晶片和圖形層面的應(yīng)力進(jìn)行細(xì)致管理，甚至因此放棄一些可提升產(chǎn)品性能的工藝步驟。

VECTOR DT系統(tǒng)是泛林集團(tuán)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，旨在為控制3D NAND制造中的晶圓翹曲提供一種高性價比的解決方案。在完全不接觸晶圓正面的情況下，VECTOR DT可在晶圓背面沉積一層可調(diào)節(jié)、高應(yīng)力、高質(zhì)量的薄膜，一步到位地拉平翹曲的晶圓，改善光刻結(jié)果，減少由翹曲引起的諸多問題。VECTOR DT問世之初便得以廣泛采用，隨著主流3D NAND產(chǎn)品向96層以上推進(jìn)，其機(jī)臺安裝數(shù)量將會持續(xù)增長。

除了沉積高應(yīng)力薄膜，泛林集團(tuán)還提供了背面刻蝕的技術(shù)，客戶可根據(jù)工藝需要，在3D NAND制造流程中靈活地調(diào)整晶圓應(yīng)力。泛林集團(tuán)的濕法刻蝕產(chǎn)品EOS GS擁有業(yè)界領(lǐng)先的濕法刻蝕均勻度，能在充分保護(hù)晶圓正面的前提下，同時去除背面和邊緣的薄膜，與VECTOR DT形成有力互補(bǔ)。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團(tuán)的EOS GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。

泛林集團(tuán)副總裁兼沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“隨著客戶產(chǎn)品的存儲單元層數(shù)持續(xù)、大幅的增加，累積應(yīng)力和晶圓翹曲會超過光刻設(shè)備處理能力的極限。為了達(dá)到預(yù)期良率，實(shí)現(xiàn)單位字節(jié)成本降低的路線圖，將應(yīng)力引起的畸變降至最低至關(guān)重要。伴隨VECTOR DT和EOS GS產(chǎn)品的推出，我們擴(kuò)大了現(xiàn)有的應(yīng)力管理解決方案組合，能夠全面管理晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)力，支持客戶縱向技術(shù)的持續(xù)發(fā)展?！?/p>