憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢(shì)

西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇。

基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計(jì)到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括1.33 Tb。

西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)與制造部門高級(jí)副總裁Steve Paak表示：“隨著又一個(gè)十年的到來，新的3D NAND演進(jìn)對(duì)于繼續(xù)滿足數(shù)據(jù)量的不斷增長和性能的需求都至關(guān)重要。BiCS5的成功生產(chǎn)體現(xiàn)了西部數(shù)據(jù)在閃存技術(shù)方面的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，以及對(duì)長期路標(biāo)的高效執(zhí)行力。通過利用多層存儲(chǔ)孔技術(shù)來提高存儲(chǔ)密度增加存儲(chǔ)的層數(shù)，我們顯著提高了3D NAND的容量和性能，從而不斷滿足用戶期待的高可靠性和低成本。”

BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。第二代多層存儲(chǔ)孔技術(shù)、改進(jìn)的制造工藝流程以及其他3D NAND單元的增強(qiáng)功能，顯著提高了整個(gè)晶圓水平面單元的陣列密度。這些“橫向擴(kuò)展”技術(shù)與112層垂直存儲(chǔ)能力相結(jié)合，使BiCS5相比于西部數(shù)據(jù)上一代的96層BiCS4技術(shù)，其每片晶圓的存儲(chǔ)容量提高了40%*以上，同時(shí)優(yōu)化了成本。新的設(shè)計(jì)改進(jìn)還提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%**。

BiCS5是與其技術(shù)和制造伙伴鎧俠株式會(huì)社（Kioxia Corporation）共同研發(fā)，將會(huì)在日本三重縣四日市和日本巖手縣北上市的合資工廠生產(chǎn)。

依托BiCS5技術(shù)，西部數(shù)據(jù)將推出基于3D NAND技術(shù)的個(gè)人電子產(chǎn)品、智能手機(jī)、IoT設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等全方位系列產(chǎn)品。

關(guān)于西部數(shù)據(jù)公司

我們推動(dòng)數(shù)據(jù)繁榮, 締造輝煌成就。作為數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)的領(lǐng)導(dǎo)者，西部數(shù)據(jù)公司提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)技術(shù)和解決方案，幫助用戶獲取、保存、訪問和轉(zhuǎn)換日益多樣化的數(shù)據(jù)。從高級(jí)數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)傳感器到個(gè)人設(shè)備，數(shù)據(jù)無所不在，我們提供業(yè)界領(lǐng)先的解決方案來探索數(shù)據(jù)的可能性。

西部數(shù)據(jù)公司以數(shù)據(jù)為中心的解決方案由Western Digital^TM（西部數(shù)據(jù)）、SanDisk^TM（閃迪）、WD^TM（西數(shù)）和G-TechnologyTM品牌組成。

? 2020 Western Digital Corporation或其關(guān)聯(lián)公司。保留一切權(quán)利。Western Digital、西部數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)和閃迪、WD、G-Technology標(biāo)識(shí)是Western Digital Corporation或其關(guān)聯(lián)公司在美國或其他國家的注冊(cè)商標(biāo)或商標(biāo)。所有其他標(biāo)識(shí)為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

*基于西部數(shù)據(jù)BiCS4和BiCS5 TLC最低的可用單顆die容量（256Gb和512Gb）

**基于西部數(shù)據(jù)在特定應(yīng)用程序的切換模式下對(duì)I/O性能的內(nèi)部測(cè)試

*** 1兆位（TB）= 1,000,000,000,000位

前瞻性聲明

本新聞稿包含一些前瞻性陳述，包括對(duì)3D NAND技術(shù)的期望，其開發(fā)、生產(chǎn)的時(shí)間、商業(yè)化批量生產(chǎn)、樣品和上市、功能、性能提升、應(yīng)用、容量，西部數(shù)據(jù)在NAND閃存中的地位以及其領(lǐng)先技術(shù)的執(zhí)行在日本的合資制造工廠運(yùn)營?？赡軐?dǎo)致這些前瞻性陳述不準(zhǔn)確的風(fēng)險(xiǎn)包括但不局限于：標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)的規(guī)范發(fā)生改變，全球經(jīng)濟(jì)狀況波動(dòng)；商業(yè)環(huán)境和存儲(chǔ)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展；競品和價(jià)格的影響；商品材料和專業(yè)產(chǎn)品部件的市場接受程度和成本；競爭對(duì)手的行動(dòng)；競爭性技術(shù)的突然進(jìn)步；我們基于新科技和向新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場拓展的產(chǎn)品研發(fā)；與收購、兼并和合資企業(yè)有關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)；生產(chǎn)制造方面的困難或延誤；西部數(shù)據(jù)向美國證券交易委員會(huì)提交的文件和報(bào)告中列出的其他風(fēng)險(xiǎn)，請(qǐng)您對(duì)此給予關(guān)注。本新聞稿中的所有陳述僅代表本新聞稿發(fā)布之日的陳述。您不應(yīng)過分依賴這些前瞻性陳述，它們只針對(duì)本新聞稿發(fā)布日期的現(xiàn)況。西部數(shù)據(jù)公司無義務(wù)在本新聞稿發(fā)布之日后由于事實(shí)或情況發(fā)生變化而更新本文信息。