華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲(chǔ)器大廠華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲(chǔ)存容量級(jí)別，提供車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲(chǔ)存存儲(chǔ)器。

華邦電去年第四季雖然小虧，但全年仍維持獲利。去年合并營(yíng)收487.71億元（新臺(tái)幣，下同），歸屬母公司稅后凈利12.56億元，與前年相較減少83.1％。今年以來(lái)存儲(chǔ)器價(jià)格止跌回升，但因農(nóng)歷春節(jié)長(zhǎng)假導(dǎo)致工作天數(shù)減少，華邦電公告1月合并營(yíng)數(shù)月減9.6％達(dá)36.83億元，較去年同期減少5.0％。法人預(yù)估華邦電2月?tīng)I(yíng)收回穩(wěn)，3月后營(yíng)收表現(xiàn)將進(jìn)入新一波的成長(zhǎng)循環(huán)。

華邦電認(rèn)為新冠肺炎的影響是短期，3月會(huì)恢復(fù)產(chǎn)業(yè)供需秩序，而隨著5G等應(yīng)用帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求，加上上半年遞延的需求會(huì)在下半年快速補(bǔ)上，預(yù)期下半年DRAM及NAND/NOR Flash市場(chǎng)將供需平衡甚至是供不應(yīng)求。華邦電今年資本支出提升至143億元，較去年的132億元增加約8％，維持近4年來(lái)積極布局策略。

隨著5G商用帶動(dòng)人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，但用來(lái)儲(chǔ)存程式碼的NOR Flash卻因容量需求愈高，成本也出現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)，特別是在512Mb以上的儲(chǔ)存容量NOR Flash成本擴(kuò)充效益不佳。華邦電宣布推出同樣采用序列x8 Octal介面的Octal NAND Flash，可望提供車(chē)用電子與工業(yè)制造商高容量的儲(chǔ)存存儲(chǔ)器產(chǎn)品，無(wú)須屈就成本砸大錢(qián)購(gòu)買(mǎi)NOR Flash。

華邦電表示，NOR Flash技術(shù)可靠性高且讀寫(xiě)速度快，可支援快速啟動(dòng)，因而華邦電客戶大多以此技術(shù)作為存儲(chǔ)器存儲(chǔ)方案。然而目前業(yè)界的晶圓制程技術(shù)，在NOR Flash存儲(chǔ)器容量達(dá)512Mb的情況下，芯片尺寸已經(jīng)到達(dá)了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝的極限，超過(guò)512Mb容量后擴(kuò)充效益低落，并大幅推升芯片尺寸與封裝成本。

華邦電首款1Gb容量Octal NAND Flash連續(xù)讀取速度最高可達(dá)每秒240MB，相較華邦電先前發(fā)表的高效能Qspi NAND Flash系列產(chǎn)品速度高出3倍，相較于市面上一般Quad Serial介面NAND Flash產(chǎn)品的讀取速度更是快了將近10倍。新產(chǎn)品采用華邦電46納米SLC NAND制程，資料保存期可達(dá)10年以上，寫(xiě)入及抹除次數(shù)可達(dá)10萬(wàn)次以上，符合關(guān)鍵任務(wù)型車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用所需的高耐用性與高可靠性。