積塔半導(dǎo)體上海臨港新廠投產(chǎn)

華大半導(dǎo)體旗下全資子公司上海積塔半導(dǎo)體有限公司（GTA Semiconductor）臨港新廠今天（6月30日）正式投產(chǎn)。成立于2017年的積塔半導(dǎo)體之“積塔”乃積沙成塔之意。2018年8月，總投資359億元在上海臨港開建積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線，專注模擬電路與功率器件。

2018年10月，積塔半導(dǎo)體與上海先進(jìn)半導(dǎo)體合并，使積塔半導(dǎo)體擁有了臨港和漕河涇兩個(gè)廠區(qū)。而借助上海先進(jìn)在模擬、高壓、功率器件制造研發(fā)幾十年經(jīng)驗(yàn)，為積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線市場競爭力的確立打下了扎實(shí)基礎(chǔ)。

臨港產(chǎn)能布局致力于工業(yè)控制和汽車電子等高端應(yīng)用的特色工藝生產(chǎn)線：8英寸生產(chǎn)線6萬片/月，12英寸特色工藝生產(chǎn)線3,000片/月，6英寸SiC生產(chǎn)線5,000片/月，目標(biāo)是顯著提升中國功率器件（IGBT）、模擬電路、電源管理和傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。計(jì)劃于2020年開始一階段8英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線投產(chǎn)，于2023年開展二階段12英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線投產(chǎn)。

漕河涇廠區(qū)擁有5英寸、6英寸、8英寸產(chǎn)線各一條，年產(chǎn)等值8寸晶圓約78萬片，產(chǎn)品主要應(yīng)用在工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域。上海先進(jìn)擁有近30年的模擬、高壓、功率器件制造研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，涵蓋BCD、HVCMOS、BiCMOS等工藝技術(shù)。

Power IC 技術(shù)工藝平臺(tái)符合汽車電子高可靠性和安全性標(biāo)準(zhǔn)要求的BCD工藝平臺(tái)；其IGBT工藝平臺(tái)，2004年5月生產(chǎn)了國內(nèi)第一片IGBT2-1200V合格芯片，奠定了國內(nèi)生產(chǎn)IGBT領(lǐng)先地位的基礎(chǔ)，后續(xù)重點(diǎn)開發(fā)600V/1200V Trench IGBT。TVS 特色工藝技術(shù)，已形成系列低壓/超低電容/低漏電TVS特色制造工藝。MOSFET工藝技術(shù)平臺(tái)，現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、Trench MOSFET和Super-Junction MOSFET等在內(nèi)的多種類MOSFET工藝平臺(tái)，同時(shí)正在開發(fā)中低壓屏蔽柵結(jié)構(gòu)MOSFET（SGT MOSFET）工藝平臺(tái)。SiC工藝技術(shù)平臺(tái)，1200V JBS已處于開發(fā)階段，后續(xù)650V JBS和1200V/650V Planner/Trench MOSFET在計(jì)劃中。