Dialog Semiconductor授權(quán)格芯在22FDX平臺(tái)上使用非易失性阻性RAM技術(shù)，旨在推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)和人工智能的發(fā)展

電池和電源管理、Wi-Fi^?和藍(lán)牙^?低能耗(BLE)以及工業(yè)邊緣計(jì)算解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商DIALOG SEMICONDUCTOR（XETRA代碼：DLG）與全球領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠格芯^?（GLOBALFOUNDRIES^?，GF^?）近日宣布，雙方已達(dá)成協(xié)議，Dialog將其導(dǎo)電橋接RAM (CBRAM)技術(shù)授權(quán)給格芯^?（GLOBALFOUNDRIES^?）。這種阻性RAM(ReRAM)技術(shù)由Adesto Technologies公司開創(chuàng)，該公司最近被Dialog Semiconductor收購(gòu)。格芯^?（GLOBALFOUNDRIES^?）將首先在其22FDX^?平臺(tái)上提供Dialog的CBRAM技術(shù)，作為嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)選項(xiàng)，并計(jì)劃擴(kuò)展到其他平臺(tái)。

Dialog經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的專有CBRAM技術(shù)是一種低功耗NVM解決方案，旨在支持物聯(lián)網(wǎng)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應(yīng)用。CBRAM具備低功耗、高讀/寫速度、低制造成本以及對(duì)惡劣環(huán)境的耐受性，因此特別適合消費(fèi)電子、醫(yī)療以及部分工業(yè)和汽車應(yīng)用。此外，CBRAM技術(shù)還能為這些市場(chǎng)的產(chǎn)品所需的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供高性價(jià)比的嵌入式NVM。

Dialog Semiconductor企業(yè)發(fā)展高級(jí)副總裁兼工業(yè)混合信號(hào)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto標(biāo)志性存儲(chǔ)器技術(shù)之一，也是Dialog產(chǎn)品組合的顛覆性新產(chǎn)品。與格芯建立新的授權(quán)合作關(guān)系，體現(xiàn)了Dialog和Adesto攜手開創(chuàng)新事業(yè)的迅捷速度。

展望未來，我非常看好我們與格芯的緊密合作關(guān)系。這項(xiàng)協(xié)議不僅能夠?yàn)樾袠I(yè)提供先進(jìn)的技術(shù)，而且還使Dialog有機(jī)會(huì)在下一代片上系統(tǒng)(SoC)采用領(lǐng)先的CBRAM技術(shù)?！?/p>

格芯高級(jí)副總裁兼汽車、工業(yè)和多市場(chǎng)總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作關(guān)系表明，格芯致力于加大投資力度，進(jìn)一步為客戶提供差異化的增值產(chǎn)品。Dialog的ReRAM技術(shù)為我們領(lǐng)先的eNVM解決方案系列提供了有力補(bǔ)充。該存儲(chǔ)器解決方案與我們的FDX?平臺(tái)相結(jié)合，能夠幫助我們的客戶推陳出新，提供新一代安全物聯(lián)網(wǎng)和邊緣人工智能應(yīng)用?！?/p>

Dialog的CBRAM技術(shù)克服了ReRAM經(jīng)常面臨的集成與可靠性挑戰(zhàn)，提供了可靠的低成本嵌入式存儲(chǔ)器，同時(shí)支持ReRAM在低電壓下工作。這意味著需要比標(biāo)準(zhǔn)嵌入式閃存產(chǎn)品寫入和讀取訪問耗能更低。

CBRAM將于2022年作為格芯22FDX平臺(tái)的嵌入式NVM選項(xiàng)投入生產(chǎn)，供格芯客戶使用?？蛻艨梢越柚鶬P定制服務(wù)，對(duì)CBRAM單元進(jìn)行修改，以優(yōu)化其SoC設(shè)計(jì)，增強(qiáng)安全性，甚至調(diào)整單元以滿足新應(yīng)用的需求。此外，作為“后端制程”技術(shù)，CBRAM更容易集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)。