UAES與羅姆成立“SiC技術(shù)聯(lián)合實驗室”并舉行啟動儀式

中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實驗室”，并于2020年10月舉行了啟動儀式。

 與IGBT^*1等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件具有“開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗^*2小”、“耐溫度變化能力強(qiáng)”等優(yōu)勢，因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動汽車以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

UAES和羅姆自2015年開始技術(shù)交流以來，雙方在采用SiC功率元器件的車載應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)方面建立了合作伙伴關(guān)系。經(jīng)過多年的技術(shù)交流，采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車載產(chǎn)品于今年成功投入量產(chǎn)。

此次成立的聯(lián)合實驗室配備了重要設(shè)備，包括能夠?qū)囕d充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等車載應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)行整機(jī)評估的測試設(shè)備、以及能夠進(jìn)行元器件評估的測試裝置等。

未來，雙方將會進(jìn)一步加強(qiáng)合作關(guān)系，并加快以SiC為核心的創(chuàng)新型電源解決方案的開發(fā)。

UAES副總經(jīng)理 郭曉潞表示：“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產(chǎn)品以來，雙方包括高層在內(nèi)的交流不斷加深。作為多年技術(shù)交流的成果，UAES開發(fā)出采用了SiC的車載應(yīng)用并在今年成功實現(xiàn)量產(chǎn)，對此我們表示非常高興。該聯(lián)合實驗室的成立，表明兩家公司之間的合作關(guān)系進(jìn)一步加深，我們期待通過完善的設(shè)備，得到更出色的技術(shù)支持?！?/p>

羅姆董事高級執(zhí)行官CSO兼功率元器件業(yè)務(wù)統(tǒng)括 伊野和英博士表示：“我們很高興能夠與車載應(yīng)用領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)——UAES成立聯(lián)合實驗室。作為SiC功率元器件的先進(jìn)廠商，羅姆正在推進(jìn)行業(yè)先進(jìn)的元器件開發(fā)，同時，通過與驅(qū)動IC等外圍元器件相結(jié)合的電源解決方案，獲得了傲人的實際應(yīng)用業(yè)績。未來，在市場有望繼續(xù)擴(kuò)大的車載領(lǐng)域，把握客戶需求和市場動向的研究將是非常重要的要素，因此，雙方將通過聯(lián)合實驗室加強(qiáng)合作關(guān)系，并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術(shù)革新做出貢獻(xiàn)?！?/p>

UAES副總經(jīng)理 郭曉潞（右）與羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司 董事長 藤村 雷太（左）在啟動儀式上互贈紀(jì)念品

＜術(shù)語解說＞

^*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

^*2） 傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗

因元器件結(jié)構(gòu)的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過元器件時（ON狀態(tài)時），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時（開關(guān)動作時）產(chǎn)生的損耗。