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首款5nmRISC-V架構(gòu)芯片成功流片 由臺(tái)積電工藝

作者: 時(shí)間:2021-04-16 來源:ZOL 收藏

近日,架構(gòu)芯片設(shè)計(jì)公司SiFive宣布,其首款基于臺(tái)積電工藝的架構(gòu)的SoC芯片成功流片。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202104/424520.htm

這顆芯片基于SiFive E76 32位核心,該核心專為不需要全量精度的AI、微控制器、邊緣計(jì)算等場景設(shè)計(jì),同時(shí)SiFive也提供按需定制功能的服務(wù)。SoC采用2.5D封裝并集成了HBM3存儲(chǔ)單元,帶寬7.2Gbps。

架構(gòu)是一個(gè)是一個(gè)基于精簡指令集原則的開源指令集架構(gòu)。被認(rèn)為未來有希望與ARM和X86架構(gòu)三分天下的未來之星。RISC-V架構(gòu)在誕生后的短短五六年時(shí)間里吸引到了包括高通、谷歌、英偉達(dá)、阿里巴巴等數(shù)百家企業(yè)和高校參與研發(fā)和商用。它備受追捧的關(guān)鍵一點(diǎn)在于,開放的源代碼芯片體系結(jié)構(gòu)允許公司開發(fā)兼容的芯片,而無需像開發(fā)ARM芯片一樣,預(yù)付各種費(fèi)用。

此次成功流片意味著這款芯片在設(shè)計(jì)上已經(jīng)取得了成功,如果順利,將在一年內(nèi)成功量產(chǎn)。




關(guān)鍵詞: 5nm RISC-V

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