應(yīng)用材料公司在芯片布線領(lǐng)域取得重大突破,驅(qū)動邏輯微縮進(jìn)入3 納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)
應(yīng)用材料公司推出了一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù),可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
● 在真空條件下將七種工藝技術(shù)整合到一個系統(tǒng)中,使互連電阻減半
● 新的材料工程解決方案提升芯片性能并降低功耗
● 最新系統(tǒng)彰顯了應(yīng)用材料公司為客戶成為PPACt 賦能企業(yè)(PPACt enablement company?)的戰(zhàn)略
應(yīng)用材料公司全新的Endura? Copper Barrier Seed IMS?解決方案在高真空條件下將七種不同工藝技術(shù)集成到了一個系統(tǒng)中,從而使芯片性能和功耗得到改善
雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升,但這對互連布線中的影響卻恰恰相反:互連線越細(xì),電阻越大,導(dǎo)致性能降低和功耗增加。從7納米節(jié)點(diǎn)到3納米節(jié)點(diǎn),如果沒有材料工程技術(shù)上的突破,互連通孔電阻將增加10倍,抵消了晶體管縮小的優(yōu)勢。
應(yīng)用材料公司開發(fā)了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術(shù)集成到一個系統(tǒng)中。其中,ALD選擇性沉積取代了ALD共形沉積,省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術(shù),可在窄間隙中實(shí)現(xiàn)無空洞的間隙填充。通過這一解決方案,通孔接觸界面的電阻降低了50%,芯片性能和功率得以改善,邏輯微縮也得以繼續(xù)至3 納米及以下節(jié)點(diǎn)。
應(yīng)用材料公司高級副總裁、半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理珀拉布?拉賈表示:“每個智能手機(jī)芯片中有上百億條銅互連線,光是布線的耗電量就占到整個芯片的三分之一。在真空條件下整合多種工藝技術(shù)使我們能夠重新設(shè)計材料和結(jié)構(gòu),從而讓消費(fèi)者擁有功能更強(qiáng)大和續(xù)航時間更長的設(shè)備。這種獨(dú)特的整合解決方案旨在幫助客戶改善性能、功率和面積成本。”
Endura Copper Barrier Seed IMS系統(tǒng)現(xiàn)已被客戶運(yùn)用在全球領(lǐng)先的邏輯節(jié)點(diǎn)代工廠生產(chǎn)中。
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