Microchip推出用于衛(wèi)星通信終端的高線性度Ka波段單片微波集成電路(MMIC),進一步豐富氮化鎵(GaN)射頻產(chǎn)品組合
衛(wèi)星通信系統(tǒng)使用復(fù)雜的調(diào)制方案,以實現(xiàn)極快的數(shù)據(jù)速率用于傳遞視頻和寬帶數(shù)據(jù)。因此,它們必須具備高射頻輸出功率,同時確保信號保持其理想的特征。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器,以滿足上述要求。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202106/426470.htm這款新器件是Microchip的首款GaN MMIC(氮化鎵單片微波集成電路),專為商業(yè)和國防衛(wèi)星通信、5G網(wǎng)絡(luò)以及其他航空航天和國防系統(tǒng)而設(shè)計。
GMICP2731-10采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造。它可在27.5至31 GHz之間的3.5 GHz帶寬上提供高達(dá)10W的飽和射頻輸出功率。GMICP2731-10的功率在此基礎(chǔ)上可再提高20%;小信號增益為22 dB;回波損耗為15 dB。此外,新器件具有平衡結(jié)構(gòu),可以很好地匹配50歐姆電阻,并在輸出端集成直流阻斷電容,以簡化設(shè)計集成。
Microchip分立式產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示:“隨著通信系統(tǒng)采用128-QAM等復(fù)雜的調(diào)制方案,以及固態(tài)功率放大器(SSPA)功率不斷上升,射頻功率放大器設(shè)計人員面臨著困難的挑戰(zhàn),即在尋找更高的功率解決方案的同時降低重量和功耗。與GaAs同類產(chǎn)品相比,高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量,這對衛(wèi)星OEM來說是一個巨大的優(yōu)勢。新產(chǎn)品體現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢,滿足了原始設(shè)備制造商對尺寸、重量、功耗和成本的要求。”
GMICP2731-10進一步擴大了Microchip現(xiàn)有的產(chǎn)品陣容,包括砷化鎵MMIC射頻功率放大器、開關(guān)、低噪聲放大器和Wi-Fi?前端模塊,以及用于雷達(dá)系統(tǒng)的硅基氮化鎵高電子移動性晶體管(HEMT)驅(qū)動器和最終放大器晶體管。
開發(fā)工具
Microchip提供電路板設(shè)計支持,以幫助進行設(shè)計,分銷合作伙伴也提供相關(guān)支持。Microchip還提供GMICP2731-10精簡模型,使客戶能夠更容易地對系統(tǒng)中功率放大器的性能進行建模并加快設(shè)計。
供貨
GMICP2731-10現(xiàn)已量產(chǎn)。如需了解更多信息,請聯(lián)系Microchip銷售代表或訪問Microchip網(wǎng)站。如需購買GMICP2731-10,請訪問我們的直銷網(wǎng)站或聯(lián)系Microchip授權(quán)分銷商。
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