英飛凌推出全新650 V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率

近日，英飛凌科技股份有限公司近日推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見(jiàn)應(yīng)用包括：電動(dòng)車(chē)輛充電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)、光伏逆變器、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)。

由于續(xù)流 SiC 肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。與標(biāo)準(zhǔn)的硅二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達(dá) 60% 的 Eon 和30%的Eoff?；蛘?，也可在輸出功率保持不變情況下，提高開(kāi)關(guān)頻率至少40%。較高的開(kāi)關(guān)頻率有助于縮小無(wú)源元件的尺寸，進(jìn)而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，無(wú)需重新設(shè)計(jì)，便能使每10 kHz開(kāi)關(guān)頻率提升0.1%的效率。

此產(chǎn)品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設(shè)計(jì)之間的另一種選擇，與純硅設(shè)計(jì)相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統(tǒng)可靠性。由于SiC肖特基二極管能快速換流，而不會(huì)有嚴(yán)重的振蕩和寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝供客戶(hù)選擇。Kelvin Emitter封裝的第四管腳可實(shí)現(xiàn)超低電感的柵極驅(qū)動(dòng)控制回路，并降低總開(kāi)關(guān)損耗。

目前，深圳科士達(dá)科技股份有限公司已成功導(dǎo)入650 V CoolSiC? Hybrid IGBT單管在其UPS與組串式光伏逆變器的新平臺(tái)設(shè)計(jì)中，從而提升系統(tǒng)效率，優(yōu)化系統(tǒng)性能。

深圳科士達(dá)科技股份有限公司董事長(zhǎng)劉程宇就此表示：“科士達(dá)將與英飛凌有長(zhǎng)年戰(zhàn)略合作歷程，持續(xù)在不間斷電源與太陽(yáng)能領(lǐng)域提供高可靠性的前沿科技產(chǎn)品，我們將在未來(lái)繼續(xù)合作，在縱深的基礎(chǔ)上開(kāi)展更廣泛的合作發(fā)展?！?/p>

英飛凌科技副總裁、工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝表示：“我們的創(chuàng)新來(lái)自于技術(shù)進(jìn)步和客戶(hù)的需求。把Hybrid IGBT技術(shù)從模塊導(dǎo)入到單管，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高能效系統(tǒng)的追求，滿(mǎn)足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性，從而提高客戶(hù)的競(jìng)爭(zhēng)能力?！?strong style="text-indent: 2em;"> 

供貨情況

CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延續(xù)先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二極管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK? 1B和2B模塊的成功經(jīng)驗(yàn)。此分立式產(chǎn)品組合即日起接受訂購(gòu)。系列包含與半額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT，或與全額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的中等速度S5 IGBT。