PC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器

EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合，可實現(xiàn)高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率，從而實現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9160，這是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計，開關(guān)頻率為2 MHz，可將9 V~24 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為3.3 V或5 V的輸出電壓，兩個輸出的連續(xù)電流可高達(dá)15 A。由于開關(guān)頻率高，轉(zhuǎn)換器的尺寸非常小，兩個輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。

這個解決方案具有高功率密度、纖薄和開關(guān)頻率為2 MHz，是車用控制臺應(yīng)用和需要小型、纖薄方案的計算、工業(yè)、消費和電信電源系統(tǒng)的理想選擇。eGaN^?FET具備快速開關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢，可以滿足這些前沿應(yīng)用對高功率密度的嚴(yán)格要求。

EPC9160參考設(shè)計采用了增強(qiáng)型GaN FET(EPC2055)和帶有GaN集成驅(qū)動器的兩相模擬降壓控制器(LTC7890)。

●   100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器（LTC7890）經(jīng)過全面優(yōu)化，可驅(qū)動 EPC eGaN FET，并集成了一個半橋驅(qū)動器和智能自舉二極管。經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時間或可編程死區(qū)時間接近零，開關(guān)頻率最高可達(dá)3 MHz。5 uA的靜態(tài)電流（V_IN=48 V、V_OUT=5 V、僅CH1）可實現(xiàn)非常低的待機(jī)功耗和卓越的輕負(fù)載效率。

●   40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)內(nèi)實現(xiàn)3 mOhm的最大導(dǎo)通電阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢復(fù)（QRR），可提供高達(dá)29 A的連續(xù)電流和161 A的峰值電流。優(yōu)越的動態(tài)參數(shù)可以在2 MHz開關(guān)頻率下，實現(xiàn)非常小的開關(guān)損耗。

EPC9160的效率在5 V輸出和24 V輸入時超過93%。除了輕載工作模式和可調(diào)死區(qū)時間外，該板還提供欠壓鎖定、過流保護(hù)和power good輸出。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow表示："氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備超低開關(guān)損耗的優(yōu)勢，使它能夠在2 MHz以上的頻率工作，并配以新型模擬控制器，讓客戶可實現(xiàn)2 MHz工作頻率以上的整個生態(tài)系統(tǒng)。我們很高興與ADI公司合作，將其先進(jìn)控制器的優(yōu)勢與EPC氮化鎵器件的卓越性能結(jié)合起來，為客戶提供具有最高功率密度和采用少量元件的解決方案，從而提高效率、增加功率密度和降低系統(tǒng)成本"。

ADI公司高級產(chǎn)品市場經(jīng)理Tae Han說："ADI公司的LTC7890設(shè)計可發(fā)揮EPC eGaN FET的優(yōu)勢，用于高功率密度解決方案。LTC7890實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時間，與市場上現(xiàn)有的解決方案相比，性能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器，客戶可以發(fā)揮氮化鎵器件的極速開關(guān)優(yōu)勢，實現(xiàn)最高的功率密度。"