啟方半導(dǎo)體發(fā)布用于低功耗電源管理芯片的0.18微米非外延BCD工藝

韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今天宣布，將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。

BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)集成在同一個芯片上的工藝技術(shù)。它被廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的制造，與普通半導(dǎo)體相比，功率半導(dǎo)體需要更高的額定電壓和更高的可靠性，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用的擴大，對BCD的需求也在不斷增加。

與啟方半導(dǎo)體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD工藝相比，這個新的0.18微米30V非EPI BCD工藝盡管去除了EPI外延層，但仍保持了同等性能。這個新工藝非常適合于與普通半導(dǎo)體相比需要更高電壓，更高可靠性 和更高效率的功率半導(dǎo)體應(yīng)用。能夠適用于低功耗電源管理如智能手機和智能手表應(yīng)用的 DC-DC 和充電芯片的生產(chǎn)。

這種新工藝比導(dǎo)通電阻(Rsp)性能與0.18微米EPI BCD工藝相比保持不變。啟方半導(dǎo)體可提供5V至30V之間的各種功率器件選擇。由于該工藝不需要EPI制程，因此提高了工藝效率，通過為5V電源模塊提供5V LDMOS晶體管，實現(xiàn)了高效設(shè)計。特別值得一提的是，這個新的非EPI BCD工藝的邏輯器件保持了和現(xiàn)有EPI BCD工藝邏輯器件非常接近的電性能，同時其數(shù)據(jù)庫（libraries） & IP和目前大規(guī)模量產(chǎn)的工藝相兼容。為了提高使用者的便利性，新工藝還提供了MTP（多次編程）和OTP（一次性編程）IP，而不需要任何額外的工藝步驟。得益于這些優(yōu)點，該工藝適用于需要存儲功能的功率半導(dǎo)體，也可以用于其它多種類型的應(yīng)用，如移動直流-直流IC和充電器IC。

從工藝開發(fā)的最早階段開始，啟方半導(dǎo)體就與無晶圓廠功率半導(dǎo)體設(shè)計客戶密切溝通，以反映市場對工藝結(jié)構(gòu)的需求。啟方半導(dǎo)體通過開發(fā)出容易使用的版圖選項和設(shè)計工具包，加強了用戶的使用便利性。特別是，與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，客戶能夠?qū)崿F(xiàn)簡化流程提高產(chǎn)品性能。同時這個新工藝滿足了汽車電子國際可靠性規(guī)范AEC Q100的Grade-1要求，所以不僅適用于移動設(shè)備，而且還可以用于汽車功率半導(dǎo)體，如馬達驅(qū)動IC和直流-直流IC等。

啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官李泰鐘(Tae Jong Lee)博士表示："隨著功率半導(dǎo)體市場的快速增長，對高度可靠又更精簡的BCD工藝的需求正在增加。我們將繼續(xù)改進工藝技術(shù)，提供最優(yōu)化的BCD工藝，滿足功率半導(dǎo)體設(shè)計公司的需求。"