比銀行卡還要小的多,智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案
65W氮化鎵充電器能夠?yàn)槭謾C(jī)和電腦提供理想的快充體驗(yàn),同時(shí)不需要PFC,從成本和體積上都很有優(yōu)勢(shì),是工廠和消費(fèi)者選擇的主力產(chǎn)品。隨著近年來平面變壓器技術(shù)的成熟,通過使用平面變壓器取代傳統(tǒng)繞線變壓器,充電器從常規(guī)的方塊形態(tài)進(jìn)化成為餅干形態(tài),更加便于攜帶。
智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協(xié)議降壓二合一芯片,在車充和氮化鎵快充中應(yīng)用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開關(guān)管的初級(jí)主控芯片SW1106,支持直驅(qū)增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管,進(jìn)一步完善氮化鎵快充產(chǎn)品線,致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。
充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案,這款方案采用了智融推出的初級(jí)主控芯片和降壓協(xié)議芯片,為固定電壓輸出,搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充,滿足消費(fèi)者多個(gè)設(shè)備同時(shí)充電的需求。下面就對(duì)這款氮化鎵快充方案進(jìn)行解析,看看是如何設(shè)計(jì)的。
智融65W超薄快充方案外觀
智融65W 3C口快充方案不僅小巧扁平,而且配備多達(dá)3個(gè)USB-C接口,不僅滿足消費(fèi)者對(duì)于“餅干”充電器需求,更進(jìn)一步提升該類產(chǎn)品的實(shí)用性,真正做到出門一個(gè)充電器就夠。
模塊正面安規(guī)電容、高壓濾波電解電容橫置,其中兩個(gè)還套有黃色膠套絕緣保護(hù)。中心區(qū)域焊接平面變壓器,輸出端設(shè)有小板,三個(gè)USB-C母座全部焊接在小板上。
模塊側(cè)面一覽,黑色電容沉板以降低厚度。
輸出端小板僅用于焊接母座,無其它器件。
板子背面設(shè)有整流橋、開關(guān)電源初次級(jí)芯片、降壓協(xié)議協(xié)議IC等器件,初次級(jí)分界明顯。
測(cè)得模塊長(zhǎng)度為81.47mm。
寬度為46.38mm。
厚度為12.08mm,通過三維算得模塊功率密度約為1.42W/cm。
重量約為57g。
使用ChargerLAB POWER-Z KM002C測(cè)得USB-C1口支持Apple2.4A、Samsung 5V2A協(xié)議,以及QC3+、QC5、FCP、SCP、PD3.0、PPS快充協(xié)議。
PDO報(bào)文顯示C1口具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五組固定電壓檔位,以及3.3-21V3.25A三組PPS電壓檔位。
測(cè)得USB-C2口兼容協(xié)議和C1口的相同。
測(cè)得C2口PDO報(bào)文也和C1口的一樣。
測(cè)得C3口同樣支持QC3+、QC5、FCP、SCP、PD3.0、PPS快充協(xié)議。
此外PDO報(bào)文也相同,即三個(gè)C口均支持65W快充輸出,單口輸出性能完全一樣,支持功率盲插。
智融65W超薄快充方案解析
看完了外觀的介紹,下面我們來從輸入端開始,來看這款電源的用料和設(shè)計(jì)。
電源PCBA模塊側(cè)面一覽,右側(cè)焊接輸入保險(xiǎn)絲和EMI電路以及濾波電容。
電源輸入端保險(xiǎn)絲來自藍(lán)寶,規(guī)格為3.15A。
保險(xiǎn)絲后面是黃色安規(guī)X2電容和共模電感,共模電感使用絕緣線和漆包線繞制。
交流輸入經(jīng)過EMI電路,連接到整流橋的過孔。
充電器輸入端沒有焊接元件,為折疊插腳留有空間,元件放置在折疊插腳兩側(cè)的空間內(nèi)部。
整流橋來自深圳市沃爾德實(shí)業(yè)有限公司,型號(hào)WRLSB80M,這顆軟橋通過較軟的恢復(fù)曲線,比較平滑的關(guān)斷特性,可以降低二極管結(jié)電容達(dá)到非常少的諧波振蕩產(chǎn)生的效果。LSB封裝,擁有良好的散熱特性,幫助中大瓦數(shù)適配器提升可靠性,單顆可做60W+。
沃爾德 WRLSB80M 資料信息。
高壓電解電容來自永銘,頂部套有黃色膠帽絕緣。
磁環(huán)差模電感,外套熱縮管絕緣。
兩顆高壓電解電容并聯(lián)濾波,其中一顆來自永銘。
另外一顆電容來自KNSCHA科尼盛,經(jīng)過整流和濾波后的直流電為開關(guān)電源初級(jí)供電。
用于高壓?jiǎn)?dòng)電路的二極管,連接在交流輸入上,同時(shí)還為安規(guī)X2電容放電。
充電器初級(jí)主控芯片來自智融,型號(hào)為SW1106,是一顆支持增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準(zhǔn)諧振控制器,芯片內(nèi)部集成700V高壓?jiǎn)?dòng)電路和X電容放電功能。芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電壓為6V,可直接驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管。
SW1106運(yùn)行在帶谷底鎖定的谷底開啟工作模式,并集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化EMI性能,支持突發(fā)模式。供電采用雙VDD供電設(shè)計(jì),在輸出電壓USB PD寬輸出場(chǎng)合降低控制器的功率損耗。
SW1106內(nèi)部集成輸入電壓保護(hù),供電過壓保護(hù),輸出過壓保護(hù),逐周期電流限制,過載保護(hù),輸出過流保護(hù),電流取樣電阻開路和短路保護(hù),芯片內(nèi)置過熱保護(hù),支持外接熱敏電阻進(jìn)行器件過熱保護(hù),保護(hù)功能全面。
智融SW1106采用SSOP10封裝,支持氮化鎵快充,充電器以及開關(guān)電源應(yīng)用,這顆初級(jí)控制器的推出,一方面實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制器的國產(chǎn)化替代,另外一方面也豐富了智融在快充電源的產(chǎn)品線。
與控制器搭配的氮化鎵功率開關(guān)管是英諾賽科INN650D150A,這是一顆耐壓650V的增強(qiáng)型氮化鎵高壓?jiǎn)喂埽矐B(tài)耐壓750V,導(dǎo)阻150mΩ,采用DFN8*8封裝。右側(cè)兩顆0.27Ω電阻并聯(lián),用于初級(jí)電流檢測(cè)。
INN650D150A支持超高開關(guān)頻率,無反向恢復(fù)電荷,具有極低的柵極電荷和輸出電荷,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求,內(nèi)置ESD保護(hù),符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規(guī)。
用于反激的RCD吸收電路,由二極管,電阻和電容組成,吸收變壓器初級(jí)繞組的漏感能量。
變壓器為平面變壓器,磁芯纏繞黃色膠帶絕緣,頂部貼有智融商標(biāo)。
平面變壓器次級(jí)采用銅柱焊接連接到PCB上。
兩顆貼片Y電容來自禾伸堂,兩顆串聯(lián)獲得更高的安全性。
用于輸出電壓反饋的EL1018光耦。
431電壓基準(zhǔn)配合光耦進(jìn)行輸出電壓反饋。
同步整流管來自砹德曼,型號(hào)為AD120N85D5,是一顆耐壓85V的NMOS管,采用DFN5*6封裝。
同步整流控制器采用MPS MP6908A,最高工作頻率600KHz,支持DCM/CCM/QR準(zhǔn)諧振工作模式,內(nèi)置振鈴檢測(cè)防止DCM和QR運(yùn)行下誤開通,支持邏輯電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓同步整流管。
次級(jí)濾波固態(tài)電容來自瑞隆,規(guī)格為470μF 25V,將同步整流輸出濾波,為二次降壓電路供電。
充電器次級(jí)采用兩顆4.7μH降壓電感,為兩路二次降壓電路,分別對(duì)應(yīng)三個(gè)輸出接口,可實(shí)現(xiàn)單口65W功率盲插,雙口功率智能分配。
輸出二次降壓電路一覽,分別有兩顆降壓協(xié)議芯片與對(duì)應(yīng)的降壓管和VBUS開關(guān)管。
這款充電器的二次降壓方案采用智融新發(fā)布的SW3556解決方案,這款芯片支持雙USB-C接口降壓控制,內(nèi)部集成多種快充協(xié)議,支持7A大電流輸出,并支持雙口功率盲插和獨(dú)立限流。SW3556支持驅(qū)動(dòng)低壓氮化鎵開關(guān)管,可進(jìn)一步提升降壓電路效率,減小充電器的體積與散熱要求。
智融SW3556為同步整流降壓拓?fù)?,支?0V輸入,內(nèi)置同步整流降壓控制器,搭配使用硅MOS或氮化鎵開關(guān)管、電感電容等簡(jiǎn)單的外圍器件,即可實(shí)現(xiàn)140W大功率輸出。內(nèi)置的降壓控制器開關(guān)頻率為125KHz,支持PFM/PWM模式運(yùn)行以優(yōu)化轉(zhuǎn)換效率。
此外,智融SW3556支持引腳外接電阻來配置輸出功率以及動(dòng)態(tài)功率分配,在開發(fā)多口快充電源產(chǎn)品時(shí)無需外置單片機(jī),以此實(shí)現(xiàn)更精簡(jiǎn)的外圍并降低成本。適用于車載充電器、多口充電器、插排等產(chǎn)品領(lǐng)域。
另外一路的降壓協(xié)議芯片同樣為SW3556。
用于二次同步降壓電路的MOS管來自智融科技,絲印SWT40N45。
220μF 25V固態(tài)電容用于二次降壓輸出濾波。
用于USB-C口輸出的VBUS開關(guān)管同樣為SWT40N45。
用于雙口輸出的兩顆VBUS開關(guān)管也是SWT40N45。
輸出接口垂直焊接在小板上,小板再焊接到充電器主板上,座子與主板平行。
USB-C母座過孔焊接固定,黑色膠芯不露銅。
智融65W超薄快充方案兼容性測(cè)試
下面來看看智融的超薄快充方案對(duì)于設(shè)備的充電兼容性如何,因?yàn)槌潆娖髋鋫涞?個(gè)接口在獨(dú)立使用時(shí)的性能相同,所以此次僅測(cè)試一個(gè)USB-C接口。
iPhone 13 Pro Max是目前最新最大的iPhone手機(jī),支持約27W的快充功率,使用USB-C為iPhone 13 Pro Max充電,功率為9.19V 2.92A 26.87W,USB-C完全可以滿足iPhone 13 Pro Max的快充需求。
Switch底座TV模式支持PD快充,但想激活底座TV模式需要PD充電器支持15V3A及以上的PD快充檔位,也就是充電器最低也要支持45W快充。使用USB-C為Switch底座TV模式供電,充電器輸出功率為15.07V 0.29A 4.37W,成功點(diǎn)亮底座TV模式。
受限于篇幅的原因無法將所有的測(cè)試數(shù)據(jù)一一展現(xiàn)出來,所以最后將測(cè)試的數(shù)據(jù)匯總成表。整體來看,在參與測(cè)試的手機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)、筆記本電腦等數(shù)十臺(tái)設(shè)備中都可以觸發(fā)快充,部分手機(jī)充電功率甚至可以達(dá)到50W+,65W的功率也可以滿足平板電腦以及部分筆記本電腦的快充需求。
柱狀圖部分,筆記本電腦和部分安卓機(jī)型的功率排在前面,其他設(shè)備的功率柱狀圖依次遞減。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
智融最新推出的這款65W三口快充方案基于智融推出的氮化鎵主控芯片SW1106開發(fā),這款芯片內(nèi)置氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,可以直驅(qū)目前廣泛應(yīng)用的英諾賽科等品牌氮化鎵開關(guān)管,支持高壓?jiǎn)?dòng)以及分段供電,滿足氮化鎵快充應(yīng)用。這款方案還采用了平面變壓器,借助氮化鎵技術(shù)高頻高效的特性,實(shí)現(xiàn)了超薄的機(jī)身設(shè)計(jì)。
整個(gè)方案的AC-DC部分設(shè)計(jì)得非常緊湊;此外在次級(jí)側(cè)通過兩顆智融SW3556芯片實(shí)現(xiàn)兩路降壓和協(xié)議識(shí)別功能,無需外置MCU即可實(shí)現(xiàn)雙路協(xié)調(diào)控制,高度集成的芯片設(shè)計(jì)同樣實(shí)現(xiàn)了精簡(jiǎn)的外圍電路,僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關(guān)管,減少PCB板占板面積。同時(shí)兩顆芯片可以協(xié)同實(shí)現(xiàn)功率智能分配,滿足任一單口輸出65W、雙口或三口輸出功率智能分配,實(shí)現(xiàn)了對(duì)電源功率的充分應(yīng)用。
這顆初級(jí)控制器的推出,一方面實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制器的國產(chǎn)化替代,為氮化鎵快充提供新的解決方案,減少缺貨造成的損失。另外一方面也豐富了智融在快充電源的產(chǎn)品線,實(shí)現(xiàn)初次級(jí)的芯片供應(yīng),簡(jiǎn)化采購流程。
評(píng)論