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學(xué)子專區(qū)-ADALM2000實驗:硅控整流器

作者:ADI顧問研究員Doug Mercer,ADI系統(tǒng)應(yīng)用工程師Antoniu Miclaus 時間:2022-08-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

本實驗活動的目的是檢查(SCR)的結(jié)構(gòu)和操作。SCR主要用需要(在高電壓下)控制更高功率的器件中。SCR能夠開啟和關(guān)斷大電流,適用于中高壓AC電源控制應(yīng)用,例如燈光調(diào)節(jié)、穩(wěn)壓器和電機(jī)控制。此外,集成電路中可能無意形成SCR,當(dāng)它們被觸發(fā)時,可能導(dǎo)致電路故障,甚至出現(xiàn)可靠性問題和造成損壞。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202208/437848.htm

 

 

SCR是一種4層固態(tài)電流控制器件,具有三個端子。它們和傳統(tǒng)二極管一樣具有陽極和陰極端子,第三個為控制端子,被稱為柵極。SCR是單向器件:只在一個方向傳輸電流,就像二極管或整流器一樣。SCR只能由傳輸至柵極的電流觸發(fā);它兼具二極管的整流功能和晶體管的開/關(guān)控制功能。

 

SCR一般用于電源開關(guān)應(yīng)用。在常閉狀態(tài)下,該器件將電流限制為泄漏電流。當(dāng)柵極到陰極的電流超過一定閾值時,該器件開啟并傳輸電流。只要通過器件的電流高于保持電流,即使在消除柵極電流后,SCR仍然保持開啟狀態(tài)。一旦電流低于保持電流一段時間,器件就會關(guān)斷。如果柵極出現(xiàn)脈沖,并且通過器件的電流低于閉鎖電流,器件將保持關(guān)斷狀態(tài)。

 

1b顯示SCR4層結(jié)構(gòu),可以看到3個端子:一個位于外部P型層上,稱為陽極A;第二個位于外部n型層上,稱為陰極K;第三個位于下部NPN晶體管部分的基極, 稱為柵極G

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1.SCR等效電路

如圖1c所示,SCR可以視為兩個單獨的晶體管。SCR等效電路由一個PNP晶體管和一個NPN晶體管組成,兩個晶體管互相連接,如圖1d所示。可以看到,每個晶體管的集電極都連接到另一個晶體管的基極,形成一個正反饋回路。

 

SCR具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)。第一種,不導(dǎo)電的關(guān)斷狀態(tài)。在柵極端子開啟的情況下,先假設(shè)沒有電流流入NPN晶體管Q2的基極端子。如果基極電流為零,Q2的集電極電流也為零。如果Q2的集電極電流為零,那么從PNP晶體管Q1的基極流出的電流為零。如果Q1的基極電流為零,那么Q1的集電極電流應(yīng)為零。這與初始假設(shè)(Q2的基極電流為零)是一致的。由于Q1Q2的集電極電流均為零(基極電流為零),可以得出,任何一個晶體管中的發(fā)射極電流也應(yīng)為零。只要從發(fā)射極到集電極,通過Q1Q2的任何泄漏電流非常小,這種零電流關(guān)斷狀態(tài)就會保持穩(wěn)定。

 

第二種穩(wěn)定狀態(tài)是導(dǎo)通狀態(tài)??梢酝ㄟ^將少量電流注入柵極端子,使SCR從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換或切換至導(dǎo)通狀態(tài)。在這個回路中執(zhí)行剛剛在關(guān)斷狀態(tài)下的相同步驟。不難發(fā)現(xiàn),只要向Q2提供基極電流,就會有較大的集電極電流(是基極電流的?NPN倍)開始傳輸。這個Q2集電極電流將變成Q1的基極電流。Q1中的這個基極電流在Q1中產(chǎn)生更大的集電極電流(基極電流的?NPN倍)。Q1的集電極電流回流到Q2的基極,使其基極電流進(jìn)一步增大。這個電流反饋回路建立之后,初始柵極電流可以消除,而只要SCR周圍的外部電路通過SCR提供電流,SCR就會保持開啟狀態(tài)。關(guān)斷SCR的唯一方式是使電流降低至低于關(guān)鍵保持電流水平。

 

關(guān)于這個正反饋回路,有一點需要注意:只要滿足以下條件,SCR將會保持開啟狀態(tài),并且會一直處于這種閉鎖狀態(tài):

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當(dāng)SCR處于開啟狀態(tài),從端子AKSCR兩端的壓降是Q1VBEQ2VCESAT之和,與Q2VBEQ1VCESAT之和并聯(lián)。我們知道,當(dāng)集電極基極結(jié)正向偏置到飽和區(qū)域,即VCE小于VBE時,BJT器件的?下降。兩個晶體管的VCE會下降,直到滿足正反饋增益方程,且?PNP × ?NPN等于1

 

值得注意的是,BJT晶體管的?在集電極電流較小時也較小,根據(jù)上述方程,如果泄漏電流足夠小,導(dǎo)致在這個低泄漏電流水平下,?PNP × ?NPN小于1,那么SCR會保持在關(guān)斷狀態(tài)。

 

ADALP2000模擬部件套件不包含SCR,但可以利用分立式PNPNPN晶體管來構(gòu)建圖1d所示的等效電路以仿真SCR。

材料

u  主動學(xué)習(xí)模塊

u  無焊試驗板

u  兩個1k?電阻

u  兩個100k?電阻

u  一個0.1μF電容

u  一個小信號NPN晶體管(2N3904)

u  一個小信號PNP晶體管(2N3906)

 說明

在無焊試驗板上構(gòu)建圖2所示的SCR等效電路模型。

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2.用于仿真SCR的電路

 

兩個100 kΩ電阻R1R2分別安裝在每個晶體管各自的VBE位置,確保任何小泄漏電流不會自行觸發(fā)仿真的SCR。電阻R3將來自AWG2的電壓脈沖轉(zhuǎn)換為觸發(fā)電流。 

硬件設(shè)置

SCR的試驗板連接如圖3所示。

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3.用于仿真SCR的電路試驗板連接

程序步驟

AWG1應(yīng)配置為正弦波,峰峰波幅為10V,零偏移,頻率為100Hz。AWG2應(yīng)配置為方波,峰峰波幅為800mV,400mV偏移,頻率為100Hz。確保同時運(yùn)行兩個AWG通道。

 

觸發(fā)通道1上的示波器。觀察示波器通道1的輸入正弦波和示波器通道2上通過RL的電壓,按180°360°步長調(diào)節(jié)AWG2的相位。根據(jù)AWG2的相位設(shè)置,得出的曲線可能如下圖所示。可以看到,通過RL的電壓為零,SCR處于關(guān)斷狀態(tài),直到AWG2發(fā)出觸發(fā)脈沖,SCR一直處于開啟狀態(tài),直到輸入正弦波電壓超過零。

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4.波形示例

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5.Scopy波形示例

 

當(dāng)SCR處于開啟狀態(tài)并傳輸電流時,測量并報告通過SCR的壓降。

 

通過調(diào)節(jié)AWG2找出可以觸發(fā)SCR的最小脈沖電壓幅度。根據(jù)此電壓R3Q2VBE,估算最小觸發(fā)電流。對結(jié)果進(jìn)行說明。

 

嘗試給R1R2使用更大值(1M?)和更小值(10k?)。最小觸發(fā)電壓會如何改變?

 

使用0.1μF電容替代電阻R3。該耦合電容充當(dāng)微分器,將AWG輸出的方波脈沖轉(zhuǎn)變?yōu)榉讲ǖ纳仙睾拖陆笛厣溪M窄的正負(fù)尖峰電流。這會如何影響SCR的觸發(fā)時間和觸發(fā)方式?

集成電路中無意形成的寄生SCR

前面探討了利用SCR特性的應(yīng)用。遺憾的是,集成電路中可能不希望形成SCR,如果這些SCR觸發(fā),可能會導(dǎo)致電路故障,甚至導(dǎo)致集成電路產(chǎn)生可靠性問題和損壞。

 

閂鎖

閂鎖是一種潛在破壞性情況。這種情況會觸發(fā)一個寄生SCR,造成正負(fù)電源短路。如果電流不受限制,會發(fā)生電氣過應(yīng)力。典型的閂鎖情況發(fā)生在CMOS輸出器件中,兩個寄生基極-發(fā)射極結(jié)之一在過壓事件期間暫時正向偏置時,驅(qū)動器晶體管和井會形成4PNPN SCR結(jié)構(gòu)。SCR開啟并實際上造成VDD和地之間的短路。

 

由于所有這些MOS器件都位于單片芯片上,出現(xiàn)適當(dāng)?shù)耐獠?/span>刺激時,寄生SCR器件可能會開啟,這種情況在設(shè)計不良的CMOS電路中很常見。圖6是兩個晶體管的簡化截面圖,一個PMOS,一個NMOS;它們可以連接在一起作為邏輯門使用,或作為模擬放大器或開關(guān)使用。寄生雙極晶體管負(fù)責(zé)進(jìn)行閂鎖,Q1(縱向PNP)和Q2(橫向NPN,圖所示。

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6.PMOSNMOS器件的截面圖包含寄生晶體管Q1Q2

 

當(dāng)然,可以采用合適的設(shè)計方法減少SCR形成的幾率,包括增大NMOSPMOS器件之間的間距,以及在NWELLPWELL之間和周圍插入高摻雜區(qū)。這兩種布局方法都試圖將縱向PNP或橫向NPN寄生雙極晶體管的?降低到小于1。其中一些方法還傾向于降低RPWELLRNWELL的電阻,從而增加開啟SCR所需的最小觸發(fā)電流。

問題:

1.SCR與普通整流二極管有何不同?您可以在學(xué)子專區(qū) 論壇上找到答案。


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作者簡介

Doug Mercer1977年畢業(yè)于倫斯勒理工學(xué)院(RPI)獲電子工程學(xué)士學(xué)位。自1977年加入ADI公司以來,他直接或間接貢獻(xiàn)了30多款數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品,并擁有13項專利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年,他從全職工作轉(zhuǎn)型,并繼續(xù)以名譽(yù)研究員身份擔(dān)任ADI顧問,為主動學(xué)習(xí)計劃撰稿。2016年,他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。

 

Antoniu Miclaus現(xiàn)為ADI公司的系統(tǒng)應(yīng)用工程師,從事ADI教學(xué)項目工作,同時為Circuits from the Lab?、QA自動化和流程管理開發(fā)嵌入式軟件。他于20172月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學(xué)軟件工程碩士項目的理學(xué)碩士生,擁有克盧日-納波卡科技大學(xué)電子與電信工程學(xué)士學(xué)位。

 




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