臺(tái)積明年?duì)I收 集邦估增7～9％

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦半導(dǎo)體研究處資深分析師喬安表示，明年影響半導(dǎo)體的四大因素包括全球通膨、中國(guó)清零、美國(guó)對(duì)中國(guó)新禁令、半導(dǎo)體在地化等。其中，晶圓代工龍頭臺(tái)積電受惠于漲價(jià)及3nm量產(chǎn)，明年?duì)I收可望成長(zhǎng)7％～9％，并帶動(dòng)全球晶圓代工產(chǎn)值成長(zhǎng)2.7％。

對(duì)于美國(guó)擴(kuò)大對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)限制及發(fā)布新禁令，喬安以「扼殺先進(jìn)、遞延成熟」形容，在設(shè)備部份將沖擊中國(guó)的晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，不過(guò)臺(tái)積電南京廠擴(kuò)產(chǎn)已快完成，并且取得一年寬限期較不受影響。

至于美國(guó)發(fā)布對(duì)中國(guó)的高階高效能運(yùn)算（HPC）芯片出口禁令，輝達(dá)及超威銷(xiāo)售受限為間接影響，但中國(guó)市場(chǎng)訂單流失為直接影響。

因?yàn)槿虻鼐壵物L(fēng)險(xiǎn)升高，半導(dǎo)體在地化已成為各地區(qū)主要政策，各地區(qū)以補(bǔ)貼吸引晶圓代工投資設(shè)廠，但集邦認(rèn)為，中國(guó)臺(tái)灣在先進(jìn)制程仍居舉足輕重地位，但各國(guó)成熟制程產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出，將為市場(chǎng)帶來(lái)挑戰(zhàn)。再者，半導(dǎo)體廠商會(huì)更積極展開(kāi)特殊制程多元化布局，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手做出差異化。

由于英特爾宣布進(jìn)入晶圓代工市場(chǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體廠亦擴(kuò)大晶圓代工產(chǎn)能，喬安認(rèn)為，2023年中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工市占約47％，但2025年將降到44％，這段期間當(dāng)中，中國(guó)占比將由25％提升至28％，美國(guó)則由6％提高至7％。

集邦預(yù)估晶圓代工營(yíng)收去年成長(zhǎng)約26％，今年可望成長(zhǎng)28％，而明年因?yàn)榘雽?dǎo)體生產(chǎn)鏈仍在進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整，但臺(tái)積電受惠于漲價(jià)及3nm量產(chǎn)，明年?duì)I收可望成長(zhǎng)7%～9％，在臺(tái)積電帶動(dòng)下，明年全球晶圓代工營(yíng)收仍可維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估年成長(zhǎng)率可達(dá)2.7％。

先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)亦是明年半導(dǎo)體市場(chǎng)重要議題，喬安認(rèn)為，明年仍然只有臺(tái)積電與三星在先進(jìn)制程相互競(jìng)爭(zhēng)，廠商主要著重在3nm良率改善與延伸制程，在新一代的環(huán)繞閘極晶體管（GAA）架構(gòu)部分，三星已在3nm制程先行導(dǎo)入，臺(tái)積電則預(yù)期會(huì)在2nm導(dǎo)入。