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2028年自研7nm光刻機(jī)!俄羅斯真有這個(gè)能耐?

作者: 時(shí)間:2022-10-24 來(lái)源:圈聊科技 收藏

2028年實(shí)現(xiàn)自研,可支持7nm芯片制造!真有這個(gè)能耐?

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202210/439498.htm



在芯片規(guī)則不斷的升級(jí)之下,各個(gè)國(guó)家不再相信基于美技術(shù)體系的國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈,而中、俄是產(chǎn)業(yè)被限制最嚴(yán)重的國(guó)家,因此在技術(shù)的自研上反應(yīng)也是最強(qiáng)烈的,在中企相繼傳出好消息之后,俄科學(xué)院也官宣了好消息。



根據(jù)海外傳來(lái)的消息,俄科學(xué)院IPF RAS已經(jīng)全力參與光刻設(shè)備的研發(fā),后續(xù)將會(huì)有整套的半導(dǎo)體設(shè)備誕生,并且其還高調(diào)宣稱:“自研的將在2028年商用,并且可用于7nm左右的芯片量產(chǎn)!”



這就讓人納悶了,目前俄國(guó)依靠自主化的產(chǎn)業(yè)鏈,就連90nm工藝都無(wú)法完成,此前更是宣稱實(shí)現(xiàn)28nm工藝,也要等到2023年,如今卻宣稱2028年就能實(shí)現(xiàn)7nm工藝了,這真的有可能嗎?



俄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀



在當(dāng)前的特殊形勢(shì)之下,俄半導(dǎo)體的現(xiàn)狀要比中國(guó)更加嚴(yán)峻,在芯片規(guī)則的不斷升級(jí)之下,蘋(píng)果、高通、AMD、英特爾、臺(tái)積電、三星等等企業(yè)相繼斷供,可以說(shuō)整個(gè)國(guó)家的芯片供應(yīng)渠道都被切斷了,俄科學(xué)院只能緊急啟動(dòng)了自研計(jì)劃。



在早前曾公布了一項(xiàng)計(jì)劃,預(yù)計(jì)會(huì)在2022年底完成90nm芯片的自主化,在2023年實(shí)現(xiàn)28nm芯片自研自產(chǎn),但顯然這樣的預(yù)估過(guò)于保守了,從技術(shù)角度上來(lái)講,利用8年時(shí)間實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)難度不大。



科學(xué)院也并非浪得虛名,在很多的頂尖技術(shù)上都曾和老美掰過(guò)手腕,就拿航天航空技術(shù)來(lái)講,國(guó)際很多國(guó)家的衛(wèi)星發(fā)射都要依賴于俄羅斯,但可惜進(jìn)入到21實(shí)際之后,國(guó)家整體經(jīng)濟(jì)蕭條,沒(méi)有那么多的資金用于科研項(xiàng)目,才導(dǎo)致如今的困局出現(xiàn)。



如果沒(méi)有外來(lái)的芯片進(jìn)入,俄羅斯?jié)M打滿算僅能制造出65nm的芯片,并且這還要依賴于海外的半導(dǎo)體設(shè)備才能實(shí)現(xiàn)的,因此可以說(shuō)目前的形勢(shì)相當(dāng)嚴(yán)峻,而是核心的芯片制造設(shè)備,自然是首要攻克的目標(biāo)。



根據(jù)俄科學(xué)院IPF RAS的介紹,他們將會(huì)利用6年的時(shí)間制造出工業(yè)原型,首臺(tái)alpha 機(jī)器將會(huì)在2024年誕生,其也透露初期階段的工作,主要是完善系統(tǒng)的全面性,重心并不在于設(shè)備上的突破。



到了2026年新研發(fā)的Beta將實(shí)現(xiàn)對(duì)于alpha的替代,到達(dá)這個(gè)階段所有的系統(tǒng)都差不多整備完畢了,基本上許多的操作流程都能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化了,屆時(shí)在分辨率和生產(chǎn)力上也將得到很大的提升,這個(gè)階段就可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的融合調(diào)試,將集成運(yùn)用到實(shí)際技術(shù)操作流程中。



最后就到了最為關(guān)鍵的光源融入階段,這也是光刻機(jī)最為核心的技術(shù),好在俄羅斯在X射線光源技術(shù)上,有著完全自主可控的技術(shù),此前也證實(shí)了相應(yīng)的可行性,在進(jìn)行改良升級(jí)之后,一整套的光刻機(jī)就能夠正常投入使用了!



俄科學(xué)院能成功嗎?



在面臨全面制裁之后,俄國(guó)內(nèi)的芯片極度短缺,所有的芯片圓晶廠都停止了供應(yīng),雖然本土對(duì)制程工藝要求不高,但面對(duì)僅能實(shí)現(xiàn)的65nm制程工藝,針對(duì)現(xiàn)階段的工藝水平確實(shí)不夠看,俄科學(xué)院也加大的對(duì)人才的培養(yǎng),試圖擺脫這樣的困境。



俄羅斯科學(xué)院院士也表態(tài):“ASML近20年來(lái)追求的是生產(chǎn)效率,EUV曝光機(jī)很好的幫助全球半導(dǎo)體廠商實(shí)現(xiàn)了技術(shù)精進(jìn),但目前的俄羅斯并不需要太先進(jìn)的工藝,根據(jù)自己實(shí)際需求跟進(jìn)就好!”



但在這樣的消息傳出之后,海外媒體沒(méi)有一家看好俄羅斯,都認(rèn)為這樣的計(jì)劃不可能實(shí)現(xiàn),畢竟此前沒(méi)有任何的技術(shù)基礎(chǔ),6年時(shí)間完成7nm芯片光刻機(jī)的突破,顯然是有點(diǎn)不切實(shí)際了,就連ASML都用了將近20余年的時(shí)間。



而中國(guó)參與光刻機(jī)的研發(fā),也已經(jīng)有很長(zhǎng)一段時(shí)間了,至今還未能達(dá)到28nm的水平,因此基本上是不可能的,況且光有光刻機(jī)還不夠,還需要需要配套設(shè)備,以目前俄羅斯的狀態(tài),想要從國(guó)際供應(yīng)鏈獲取根本不可能。



而且除了有設(shè)備之外,還需要晶圓廠的配合,目前俄羅斯本土并沒(méi)有這樣的企業(yè),因此按照此前2030年實(shí)現(xiàn)28nm芯片自主化,相對(duì)而言還是比較符合實(shí)際現(xiàn)狀的。



俄科學(xué)院下諾夫哥羅德代表團(tuán)所演示的光刻設(shè)備,目前還只是設(shè)備的原型,可以說(shuō)還處于“PPT”階段,后續(xù)還要進(jìn)行開(kāi)發(fā)、制造以及安裝,并沒(méi)有想象中的那么簡(jiǎn)單,對(duì)此你們是怎么看的呢?




關(guān)鍵詞: 光刻機(jī) 俄羅斯

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