英飛凌與美超微通力協(xié)作，利用英飛凌高效的功率級半導體，減少數(shù)據(jù)中心耗電量，共同推動綠色計算的發(fā)展

作者：時間：2022-10-26 來源：電子產(chǎn)品世界

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【2022年10月26日，德國慕尼黑訊】數(shù)字化開創(chuàng)了新紀元，未來隨著視頻流、線上會議、云服務、加密貨幣等大量數(shù)字應用投入使用，全球數(shù)據(jù)量也將會成倍增長。專家估計在未來15年內(nèi)數(shù)據(jù)將增長146倍。美國國際貿(mào)易委員會^[1]預測，全球數(shù)據(jù)量最早將于2025年達到175澤它字節(jié)（?175, 000,000,000,000,000,000,000字節(jié)）。目前約有8000座數(shù)據(jù)中心正在對這一巨大的數(shù)據(jù)量進行處理、存儲和連接。對這些數(shù)據(jù)中心而言，除性能與安全之外，能效的優(yōu)化對其保持盈利能力和實現(xiàn)可持續(xù)性也同樣至關重要。

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202210/439644.htm

云、人工智能/機器學習、存儲和5G/邊緣整體IT方案供應商美超微電腦股份有限公司（Nasdaq代碼：SDCI）與英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）展開協(xié)作，利用英飛凌的高效率功率級半導體產(chǎn)品，以滿足以上要求并實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的低碳化。美超微服務器技術副總裁Manhtien Phan表示：“在開發(fā)綠色計算平臺時，我們會著重選擇與自身同樣重視通過優(yōu)化能效以減少耗電量的廠商。美超微的解決方案與英飛凌的技術結合，可減少系統(tǒng)功耗，降低數(shù)據(jù)中心的總體耗電量，最大程度地減少對環(huán)境的影響?！?/p>

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“冷卻系統(tǒng)的能耗占據(jù)了數(shù)據(jù)中心總體能耗的很大一部分。英飛凌的TDA21490和TDA21535節(jié)能型功率半導體產(chǎn)品十分適用于減少數(shù)據(jù)中心的散熱問題。這類半導體產(chǎn)品可耐高溫并具備出色的可靠性，可助力服務器依靠自然空氣冷卻。使用這類半導體產(chǎn)品能幫助客戶進一步提高數(shù)據(jù)中心的電能效用，實現(xiàn)更高的能源利用效率?！?span style="font-size: 15px;">

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White

電源使用效率（PUE）的計算方式是將輸送到數(shù)據(jù)中心的總功率除以IT設備實際消耗的功率。理想的PUE值是1.0，即數(shù)據(jù)中心的全部電能都用于實際的計算設備中，而不是用于冷卻或電力轉(zhuǎn)換等間接設備。最新的研究表明^[2]，IT和數(shù)據(jù)中心經(jīng)理均表示其最大的數(shù)據(jù)中心的年平均PUE值為1.57，這項數(shù)據(jù)表明，面對超出預算的冷卻和電力成本，PUE仍有改進的空間，同時二氧化碳排放量有望進一步降低。

美超微的綠色計算平臺可顯著改善PUE。具體而言，美超微MicroBlade?系列可為各種類型的處理器提供最佳的服務器密度，最多可在6U尺寸內(nèi)集成112個單路Atom?節(jié)點、56個單路Xeon?節(jié)點以及28個雙路Xeon?節(jié)點，因此可以輕松進行大規(guī)模部署，并通過自然空氣冷卻、電池備份電源（BBP?）等數(shù)據(jù)中心友好型功能和設計進行批量配置。與標準的1U機架式服務器相比，MicroBlade最高可提升86%的功率效率與56%的服務器密度。

MicroBlade 6U

MicroBlade服務器采用英飛凌的OptiMOS?集成式功率級半導體TDA21490和TDA21535。TDA21490可助力服務器、存儲器、人工智能和網(wǎng)絡應用中的高性能xPU、ASIC和系統(tǒng)級芯片（SoC）實現(xiàn)穩(wěn)健、可靠的穩(wěn)壓器設計。TDA21490 采用高熱效封裝的 OptiMOS? 功率 MOSFET，具有同類產(chǎn)品中最佳的效率。低靜態(tài)電流驅(qū)動器可啟用深睡眠模式，進一步提高輕載效率，還可以提供精準的電流感測，有助于大幅提升系統(tǒng)性能。除了強大的OptiMOS? MOSFET技術外，TDA21490的綜合故障保護功能可進一步增強其所在系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。

英飛凌OptiMOS?集成式功率級半導體TDA21490

TDA21535同時封裝了低靜態(tài)電流的同步降壓柵級驅(qū)動IC與高邊、低邊MOSFET，并采用有源二極管結構，實現(xiàn)了類似肖特基勢壘二極管的體二極管正向電壓（Vsd）低值，反向恢復電荷極少。與前沿的、基于控制器的感應直流電阻測量方法相比，TDA21535中帶有溫度補償?shù)膬?nèi)部MOSFET電流測量算法具有較高的電流測量精度。在高達1.5兆赫茲的開關頻率下運行，該產(chǎn)品可實現(xiàn)高性能的瞬態(tài)響應，并且能夠在保持效率領先的同時減少電感和電容。