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意法半導(dǎo)體推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT

作者: 時間:2023-01-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK? SMIT 封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比,先進(jìn)的ACEPACK? SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊的功率密度。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202301/442664.htm

工程師有五款產(chǎn)品可選:兩個 STPOWER 650V MOSFET半橋模塊、一個 600V超快二極管整流橋、一個 1200V 半橋全波整流模塊和一個1200V晶閘管半橋整流模塊。所有器件均符合汽車行業(yè)要求,適用于電動汽車車載充電機(OBC) 和 DC/DC變換器,以及工業(yè)電源變換。

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的 貼裝封裝,頂部絕緣散熱,使用直接鍵合銅 (DBC)貼片技術(shù),實現(xiàn)高效的封裝頂部冷卻。在 封裝頂面有4.6 cm2 裸露金屬表面,可以輕松地貼裝平面散熱器,從而節(jié)省空間,實現(xiàn)扁平化設(shè)計,最大限度地提高散熱效率,在高功率下實現(xiàn)更高的可靠性??梢允褂米詣踊a(chǎn)線設(shè)備安裝模塊和散熱器,從而節(jié)省人工生產(chǎn)流程并提高生產(chǎn)率。

此封裝極大的提高了功率密度,頂面絕緣散熱面的面積是32.7mm x 22.5mm,引腳間的爬電距離達(dá)到6.6mm,能耐受絕緣電壓為 4500Vrms,且封裝的寄生電感電容也極低。

采用封裝的650V-MDmesh DM6 MOSFET半橋模塊SH68N65DM6AG和 SH32N65DM6AG現(xiàn)已上市,符合 AQG-324 標(biāo)準(zhǔn)。SH68N65DM6AG和SH32N65DM6AG 的最大導(dǎo)通電阻 Rds(on) 分別為41mΩ和97mΩ。兩款器件適用于電動汽車車載充電機和直流DC/DC 轉(zhuǎn)換器,表貼在水道散熱器上,極大的提高了熱耗散功率,提升整機效率。多用途靈活性有助于設(shè)備廠商簡化庫存管理和采購選型。

STTH60RQ06-M2Y是一個600V、60A 全波整流橋車規(guī)模塊,由軟恢復(fù)超快二極管組成,可提供PPAP文檔。

STTD6050H-12M2Y是一個1200V、60A 單相半橋AC/DC整流模塊,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),抗噪能力優(yōu)異,dV/dt 達(dá)到1000V/μs。

STTN6050H-12M1Y 是一款1200V、60A的SCR半橋整流模塊,由兩個內(nèi)部連接的晶閘管(可控硅整流器 – SCR)組成,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),目標(biāo)應(yīng)用包括電動汽車的車載充電機和充電樁,以及工業(yè)應(yīng)用,如電機驅(qū)動機構(gòu)和電源的 AC/DC 轉(zhuǎn)換器、單相和三相可控整流橋、圖騰柱功率因數(shù)校正、固態(tài)繼電器。

五款器件均已量產(chǎn),歡迎選購。



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