光伏微逆變器應用中的拓撲及工作原理分析
光伏逆變器中使用典型的反激變換器作為DC/DC部分的拓撲,本文簡要分析反激變換器在光伏微逆中的應用。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202302/443335.htm一.反激變換器的應用概要分析
反激變換器一般用于較小功率的降壓應用,典型來說低于幾百瓦左右,它具有較低的輸出電流。在光伏微逆變器應用中,反激變換器作為單極拓撲,它可以把20V-45VDC的PV電池電壓,升壓到一個對應AC整流后的輸出電壓,同時通過變壓器將PV電池和電網隔離開。正激變換器同樣可以升壓PV電池電壓,并提供隔離,但是其元件數目會多一些。
基于電路簡單的優(yōu)勢,選擇反激變換器作為微逆變器的主拓撲,但是不可忽略其相應的擔心,就是漏感能量的處理。具體來說,當反激MOSFET關斷時,有較大的能量留在磁芯中,它不能傳遞到副邊,這個能量導致一個大的電壓峰值,加在反激主MOSFET漏極上。傳統(tǒng)的電阻,電容,二極管吸收電路(RCD吸收電路)可以加在變壓器的原邊抑制MOSFET尖峰電壓,但是其具有副作用就是,將這個能量只能耗散為熱損失。
光伏微逆變器引入了一個有源箝位電路,它本質上是無損吸收電路,漏感尖峰被箝位電容箝位,這些殘存能量存儲在箝位電容中,這個能量之后就會被電路傳遞到副邊,重新利用這部分能量供給負載。如果正確的設計,有源箝位電路也可以對反激MOSFET提供ZVS開關,減小開關損耗和提升效率。
圖1.單相的有源箝位反激變換器簡圖
圖1為有源箝位反激變換器的單相結構,其中漏電感顯示為一個獨立元件顯示出來,但是實際上它可以認為是集成到主變壓器中的,Q1為反激主控MOSFET.如果箝位MOSFET Q2跨過變壓器繞組的話,就必須使用高邊驅動電路,這里,PMOS Q2的使用可以避免使用高邊驅動電路。
圖2.有源箝位反激驅動電路
對于驅動電路來說,如圖2所示,一個關鍵問題是驅動PMOS的電路如何設計,為了驅動PMOS需要一個負電壓,放在PMOS的門級和源極。門級驅動器MCP14E4的輸出是一個具有一定占空比的方波,幅值為12V,其中門級驅動器的輸入信號PWM1H和PWM1L是來自控制器的輸出信號,一個小陶瓷電容0.1uF放置在PMOS驅動的串聯(lián)回路上,用于去除直流偏置。
在占空比50%時,方波幅值將為6V到-6V之間,增加一個二極管D22,放在電容后,陽極接到電容,陰極接到地,二極管將箝位正電壓到0.7V,則驅動信號幅值被箝位到負電壓,圖3顯示出兩個MOSFET的門級驅動波形.
圖3.有源箝位反激的典型運行波形
二.有源箝位反激變換器的運行原理分析
光伏微逆變器參考設計用一個交錯有源箝位反激變換器實施,交錯拓撲可以均流輸入輸出電流,可以實現低的銅損和鐵損,電流均流后輸出二極管導通損耗可以減小,可以幫助提升總體效率。
這里還有兩個另外的原因去實施交錯設計,如減小輸出電流紋波,幫助減小THD,因為輸入電流紋波同時也減小了,所以可以改善輸入bulk電容的壽命。
當設計反激變壓器時,必須要確認的一件事情是它工作在CCM還是工作在DCM狀態(tài),交錯反激變換器可以運行在CCM和DCM兩種模式。例如,在輕載階段,反激運行在DCM模式,在重載階段,反激運行在CCM模式,在CCM模式,原邊和副邊的峰值電流將是2倍或者3倍低于DCM模式。
另外,其它角度來看,運行在CCM的好處包括:
1.使用較小的輸出濾波電容,并且有低紋波額定值
2.減小輸出二極管損耗
3.具有較小的瞬態(tài)輸出電壓尖峰
4.EMI性能更好
5.若使用SiC的二極管,反向恢復損耗可以降到最低
以下部分將典型波形分解為6個不同時間段,討論系統(tǒng)運行的細節(jié)。
T0,在階段t0,反激主MOSFET Q1導通,箝位PMOSFET關斷,因為變壓器的電壓為負,所以輸出二極管D1反向偏置,在這個階段輸出電容傳遞需要的能量到負載,電感紋波電流表達如下圖4,為電感特性基本公式。
圖4.反激電感紋波電流計算
T1,階段t1定義為當主MOSFETQ1關斷,到箝位PMOSFET Q2開始導通之間的時間.這段時間定義為死區(qū),這個間隔可以分為兩部分,第一部分為MOSFET Q1關斷一直到開始箝位MOSFET Q1的Vds電壓(臨界點)。
當MOSFET Q1關斷,從漏感流過電路的電流還是原來的方向,它用來充電MOSFET Q1的輸出電容Coss,漏感電流將充電Coss到PV模塊輸入電壓再加上反射輸出電壓部分(Vpv+Vo/N),在這個階段,輸出二極管開始正向偏置,因為在變壓器副邊的電壓變正了,存儲在磁芯中的能量開始傳遞到副邊以此充電系統(tǒng)輸出電容和供給負載能量。
第二個階段在主MOSFET Coss充電之后發(fā)生,并且一直到PMOSFET Q2開通之前.在Coss充電之后,漏感中余下的能量將開始流向箝位電容,此時隨著主MOSFET的Vds電壓增加,會正向偏置PMOSFET的體二極管,箝位電容開始存儲來自漏感的剩余能量。總結一下就是漏感能量先充電主MOSFET的Coss,再將剩余能量充電到箝位電容中。
T2,在t2這個階段,PMOSFET是ZVS切換, 因為體二極管在t1階段已經正向偏置,輸出二極管正向偏置,一直提供能量到輸出電容和負載,漏感和箝位電容開始諧振,能量從電感傳輸到箝位電容,圖5公式決定了箝位網絡的諧振頻率。
圖5.箝位網絡諧振頻率計算
這個t2階段結束于當漏感能量結束時刻。
T3,在階段t3,PMOSFET必須要開通,這樣諧振腔電流可以連續(xù)諧振,但是存儲在箝位電容中的能量開始傳輸回漏感,在這個階段,輸出二極管依然正向偏置,存儲在電容中的能量最終會傳輸到副邊,重新利用了漏感能量。
T4,在階段t4,是另一個死區(qū)時間,存在于當箝位MOSFET Q2關斷后,MOSFET Q2應該在靠近諧振周期峰值時關斷,強制最大腔電流流過MOSFET Q1的體二極管,給drain to source電容Coss放電以便實現ZVS切換,在這個階段,輸出二極管保持正向偏置。
T5,在階段t5,反激MOSFET Q1開始ZVS切換,此時輸出二極管反向偏置,輸出電容給負載供電。為了使Q1的ZVS發(fā)生,非常重要的是,當反激MOSFET關斷時,t1階段電感中的能量大于給Q1 的Coss充電的能量,使得Q1 MOSFET的體二極管可以正向偏置,存儲在電感中的能量和需要給Coss充電的能量可以計算如下圖6所示,漏感峰值電流Ipk可以計算如圖7所示。
圖6.LC諧振能量交換計算
圖7.漏感峰值電流計算
總結,以上簡要討論了反激變換器拓撲應用于微逆變器中的一些典型特性,并討論了反激有源箝位拓撲的基本工作原理。
參考文獻:AN1444 Grid-Connected Solar Microinverter
來源:電源漫談 ,作者:電源漫談
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