矽力杰集成功率級DrMOS方案
伴隨著CPU, GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應(yīng)快、保護(hù)更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202302/443472.htmSQ29663采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝,芯片內(nèi)部集成兩個高性能的MOS和驅(qū)動及控制單元,通過優(yōu)化設(shè)計(jì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和驅(qū)動控制,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴(yán)密的控制和保護(hù)邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器,適用于CPU,GPU以及POL的電源設(shè)計(jì)。
SQ29663
16V/60A集成功率級DrMOS
◆ 60A連續(xù)電流輸出能力,80A峰值電流輸出能力
◆ VCC/VDRV/VBST 欠壓保護(hù)
◆ 開關(guān)頻率可達(dá)1MHz
◆ 集成自舉二極管
◆ 兼容3.3V/5V PWM電平,支持三態(tài)信號輸入
◆ 三態(tài)中自舉電容充電功能
◆ 5mV/A實(shí)時電流上報
◆ 8mV/℃內(nèi)部溫度上報
◆ 可編程的逐周期峰值限流和谷值限流及故障上報
◆ 負(fù)限流保護(hù)
◆ 過熱保護(hù)
◆ 上管短路保護(hù)及故障上報
◆ 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的QFN5×6封裝
02 典型應(yīng)用
圖1 SQ29663典型應(yīng)用框圖
SQ29663支持5V~16V的Vin電壓范圍。輸入信號兼容3.3V/5V電平,支持三態(tài)信號以實(shí)現(xiàn)不同工作模式的控制。死區(qū)時間,傳播延遲和驅(qū)動邊沿的調(diào)整使其可以高效安全運(yùn)行。
SQ29663內(nèi)部集成了8mV/℃的溫度傳感器,通過TMON實(shí)時報告溫度,25℃下典型輸出電壓為800mV,TMON內(nèi)部可上拉或下拉用作故障標(biāo)志位。SQ29663可以實(shí)時采樣內(nèi)部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波,內(nèi)建的溫度補(bǔ)償使其能達(dá)到5mV/A ±5%的精度輸出。SQ29663支持包括OCP,NOCP,OTP,pre-OVP,HSS等多種保護(hù),以實(shí)現(xiàn)安全可靠運(yùn)行。
圖2 IMON waveform
圖3 IMON精度曲線
03 應(yīng)用場景
傳統(tǒng)的供電設(shè)計(jì),是將上行MOS管、下行MOS管和驅(qū)動IC單獨(dú)放置,致使PCB面積難以得到有效利用,并且降低電流的整體轉(zhuǎn)換效率,這對于對供電要求越來越高的處理器而言,演化而成一個亟待解決的問題。
筆記本電腦、各類服務(wù)器的CPU以及顯卡GPU的供電系統(tǒng)(VRM),輸出電流大,要求具有快速瞬態(tài)響應(yīng)特性,通常采用多相同步BUCK降壓轉(zhuǎn)換器。SQ29663通過高集成整合,將MOS管與驅(qū)動IC整合在一起,集成自舉二極管,最大程度減少寄生電感、電容影響,降低系統(tǒng)整體尺寸,大幅提高功率密度,滿足高端主板節(jié)能、低溫、高效能超頻等特色,提供優(yōu)質(zhì)供電。
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