ROHM開發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機驅(qū)動
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202304/445812.htm全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V、36V、48V級電源供電的應(yīng)用,例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設(shè)備用的電機等。
近年來,全球電力需求量持續(xù)增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作效率。在這些應(yīng)用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電路中,制造商要求進一步降低功耗。另一方面,“導(dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數(shù),但對于普通的MOSFET而言,由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比,Qgd會成比例增加,因此很難同時兼顧這兩項參數(shù)。針對這個課題,ROHM通過微細化工藝、采用銅夾片連接、改進柵極結(jié)構(gòu)等措施,改善了兩者之間的權(quán)衡關(guān)系。
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,相比以往產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻降低了50%。另外,通過改進柵極結(jié)構(gòu),Qgd*3(柵-漏電荷,通常與導(dǎo)通電阻之間存在權(quán)衡關(guān)系)也比以往產(chǎn)品減少了約40%(Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較)。這可以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,非常有助于各種應(yīng)用產(chǎn)品的高效率工作。例如,當在工業(yè)設(shè)備用電源評估板上比較電源效率時,新產(chǎn)品在穩(wěn)態(tài)工作時的輸出電流范圍內(nèi),實現(xiàn)了業(yè)界超高的電源效率(峰值時高達約95%)。
新產(chǎn)品已于2023年1月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格500日元/個,不含稅)。另外,新產(chǎn)品也已開始電商銷售,從Ameya360,Sekorm, Oneyac,RightIC等電商平臺均可購買。
未來,ROHM將繼續(xù)開發(fā)導(dǎo)通電阻更低的MOSFET,通過助力各種設(shè)備降低功耗和更加節(jié)能,為環(huán)境保護等社會問題貢獻力量。
<產(chǎn)品陣容>
<應(yīng)用示例>
◇通信基站和服務(wù)器用的電源
◇工業(yè)和消費電子產(chǎn)品用的電機
以及其他各種設(shè)備的電源電路和電機驅(qū)動。
<電商銷售信息>
起售時間:2023年4月開始
電商平臺:Ameya360,Sekorm, Oneyac,RightIC
在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。
<術(shù)語解說>
*1) Nch MOSFET
通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場上更受歡迎。
*2) 導(dǎo)通電阻(Ron)
MOSFET導(dǎo)通時漏極和源極之間的電阻值。該值越小,導(dǎo)通時的功率損耗越少。
*3) Qgd(柵-漏電荷)
MOSFET開始導(dǎo)通后,柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小,開關(guān)速度越快,開關(guān)時的損耗(功率損耗)越小。
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