SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級收購者？

得益于電動汽車和可再生能源等市場的強(qiáng)勁需求，近年來化合物半導(dǎo)體市場蓬勃發(fā)展。隨著公司競相確立其在行業(yè)中的地位，并購活動也在日益增加。

過去幾年，市場的并購交易顯著激增：從 2006 年到 2017 年，每兩年只有一筆交易，但自 2018 年以來，每年都有 6 筆交易，超過了歷史數(shù)據(jù)。

雖然 SiC 和 GaN 是并購的主要類別，但其中 21 筆交易與 SiC 直接相關(guān)。這是因為經(jīng)過 20 多年的發(fā)展，SiC 已經(jīng)能夠量產(chǎn)以滿足市場需求，尤其是在 SiC 已經(jīng)成為主流技術(shù)的汽車行業(yè)。

行業(yè)巨頭驅(qū)動的垂直整合

Wolfspeed、On Semi、II-VI、ST、Infineon 等歐美行業(yè)龍頭近年來開始加速垂直整合，體現(xiàn)在并購頻率上。

美國主導(dǎo)了 12 起并購交易，其中只有四起發(fā)生在 2018 年之前，而 Wolfspeed 促成了其中三起。在過去的三年中，On-Semi、II-VI 和 Macom 牽頭進(jìn)行了幾筆交易，重點是 SiC 的垂直整合以滿足市場需求。

在歐洲，共有 8 筆并購交易，均發(fā)生在 2018 年及以后，ST 和英飛凌是主要參與者。兩家公司都通過戰(zhàn)略收購積累技術(shù)實力，以保持在 SiC 功率器件市場的領(lǐng)先地位。

在 2019 年和 2020 年，ST 收購了 Norstel AB 以增強(qiáng)其 SiC 晶圓制造能力，并收購了 Exgan 以提高 GaN 功率器件設(shè)計專業(yè)知識。同樣，英飛凌于 2018 年收購了 Siltectra GMbH，以控制關(guān)鍵的 SiC 晶圓冷分割工藝技術(shù)，最近還收購了 GaN Systems 以加強(qiáng)其在 GaN 市場的地位。

從案例中可以看出，歐美并購的高頻率主要是由行業(yè)龍頭企業(yè)帶動，逐漸形成市場格局。

經(jīng)過很長一段時間成長為龍頭企業(yè)的 Wolfspeed，積累了足夠的并購資本，逐步向平臺型企業(yè)轉(zhuǎn)型。受益于 SiC 在新能源汽車以及光伏等領(lǐng)域需求旺盛，Wolfspeed 的功率及射頻業(yè)務(wù)毛利率水平整體高于照明及 LED 業(yè)務(wù)，在 FY2020 前保持 48% 左右的毛利率水平，在擴(kuò)產(chǎn)后毛利率水平下降。FY2020-21 由于疫情影響與產(chǎn)能調(diào)整，公司產(chǎn)能利用率下降，毛利率持續(xù)下滑。FY22Q4 毛利率為 36.5%，同比增長 4.3%，高于指引中值 36.3%，主要系疫情影響有所減弱，疊加產(chǎn)能效率優(yōu)化以及新工廠開業(yè)等一系列調(diào)整。隨 著設(shè)備生產(chǎn)從達(dá)勒姆向莫霍克谷轉(zhuǎn)移的加速，預(yù)計在未來 8 英寸量產(chǎn)及整體產(chǎn)量 提高后，成本有望下降，毛利水平有望回歸，公司預(yù)計 FY2024 產(chǎn)品毛利率從目 前 30% 提升至 50% 水平。

與此同時，Onsemi、ST 和 Infineon 這些傳統(tǒng)上在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域具有成熟專業(yè)知識的平臺型公司，現(xiàn)在正在加緊并購活動以擴(kuò)大市場份額并產(chǎn)生強(qiáng)勁的增長動力。

市場格局持續(xù)變化

半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)間的并購交易也備受關(guān)注。近期，ASM 和 Veeco 相繼收購了 LPE 和 Epiluvac，表明設(shè)備制造商也意識到了 SiC 市場的巨大潛力，正在加速投資。

TrendForce 最新報告顯示，鑒于技術(shù)的快速突破，預(yù)計整體 SiC 功率器件市場將以每年 41.4% 的速度增長，到 2023 年將達(dá)到 22.8 億美元，到 2026 年將達(dá)到 53.3 億美元，年增長率為 35%。

然而，伴隨當(dāng)前的市場繁榮而來的是一個新的挑戰(zhàn)——供應(yīng)短缺。盡管 STM 和 Onsemi 等公司努力提高產(chǎn)量，但行業(yè)增長的最大障礙之一是 SiC 襯底材料的稀缺。

制造商現(xiàn)在正在尋找內(nèi)部和外部資源以保持供應(yīng)暢通。雖然大部分 SiC 襯底供應(yīng)商都在擴(kuò)張，但只有像 Wolfspeed 這樣的少數(shù)供應(yīng)商控制著高端汽車主逆變器用 SiC 襯底的制造能力，這加劇了車用 SiC 器件生產(chǎn)的瓶頸。

話雖如此，主要參與者必須迅速解決技術(shù)障礙和供應(yīng)問題，以彌合市場差距。這將不可避免地推動激烈的競爭和行業(yè)整合，只有能夠快速適應(yīng)的企業(yè)才能長期蓬勃發(fā)展。

襯底制備技術(shù)成熟度正在追趕：尺寸方面，國內(nèi) SiC 商業(yè)化襯底 4 英寸導(dǎo)電和半絕緣襯底已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，6 英 寸導(dǎo)電襯底小批量供貨，2022 年上半年，山西爍科晶體和中科院物理所先后宣布 突破 8 英寸 SiC 襯底，國內(nèi)水平與行業(yè)龍頭的差距正不斷縮小。厚度方面，哈爾濱科友宣布其 6 英寸 SiC 導(dǎo)電型晶體厚度達(dá)到 32mm，SiC 晶 錠的厚度提升能增加切片得到的襯底片數(shù)，降低襯底生產(chǎn)成本。

產(chǎn)品性能方面，目前國際上 8 英寸 SiC 襯底樣品微管密度達(dá)到 0.6cm-2，國產(chǎn) SiC 襯底實現(xiàn)微管密度小于 1 個/cm2，襯底面積 95% 可用，位錯約在 103/cm2；在單晶一致性、成品率方面與國際先進(jìn)水平仍有差距。但國內(nèi) SiC 龍頭企業(yè)技術(shù) 水平也在不斷提升，例如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)已經(jīng)掌握半絕緣型 SiC 襯底和導(dǎo)電 型 SiC 襯底的生產(chǎn)技術(shù)，其產(chǎn)品參數(shù)包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率范 圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度等已經(jīng)能夠比肩國際先進(jìn)水平。