Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202306/447879.htm 
長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高MOSFET開關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果，在打開或關(guān)閉MOSFET時(shí)尖峰耐壓升高，從而使得產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)增加。確認(rèn)這一新問題后，Nexperia立即開始研究如何改善其他工藝技術(shù)參數(shù)，以幫助解決此問題。Nexperia的不懈努力最終促成了NextPower 80/100 V MOSFET的發(fā)布。該器件的Qrr（反向恢復(fù)電荷）較低，因此可顯著降低開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的尖峰值，同時(shí)表現(xiàn)出與競品MOSFET相同的高效性能，且具有更低的EMI。
通過為高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封裝系列，Nexperia不僅可以幫助設(shè)計(jì)人員縮小應(yīng)用尺寸并體驗(yàn)到銅夾片封裝的超強(qiáng)可靠性，而且還為設(shè)計(jì)工程師和客戶提供了新的選擇，希望為現(xiàn)有設(shè)計(jì)提供額外的資源。
評(píng)論