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商務部宣布對鎵、鍺相關物項實施出口管制!全球半導體承壓

作者: 時間:2023-07-04 來源:財聯(lián)社 收藏

商務部、海關總署發(fā)布關于對、相關物項實施出口管制的公告。滿足相關特性的物項,未經許可,不得出口。自2023年8月1日起正式實施。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202307/448253.htm

商務部 海關總署公告2023年第23號 關于對相關物項實施出口管制的公告

根據《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關法》有關規(guī)定,為維護國家安全和利益,經國務院批準,決定對相關物項實施出口管制。有關事項公告如下:

一、滿足以下特性的物項,未經許可,不得出口:

鎵相關物項。

1.金屬鎵(單質)(參考海關商品編號:8110929010、8112929090、8112999000)。

2.氮化鎵(包括但不限于晶片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:2850001901、3818009001、3825690001)。

3.氧化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:2825909001、3818009002、3825690002)。

4.磷化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片等形態(tài))(參考海關商品編號:2853904030、3818009003、3825690003)。

5.砷化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:2853909026、3818009004、3825690004)。

6.銦鎵砷(參考海關商品編號:2853909028、3818009005、3825690005)。

7.硒化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:2842909024、3818009006、3825690006)。

8.銻化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:2853909029、3818009007、3825690007)。

鍺相關物項。

1.金屬鍺(單質,包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:8112921010、8112921090、8112991000)。

2.區(qū)熔鍺錠(參考海關商品編號:8112921090)。

3.磷鍺鋅(包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關商品編號:2853904040、3818009008、3825690008)。

4.鍺外延生長襯底(參考海關商品編號:8112921090)。

5.二氧化鍺(參考海關商品編號:2825600002、3818009009、3825690009)。

6.四氯化鍺(參考海關商品編號:2827399001、3818009010、3825690010)。

二、出口經營者應按照相關規(guī)定辦理出口許可手續(xù),通過省級商務主管部門向商務部提出申請,填寫兩用物項和技術出口申請表并提交下列文件:

出口合同、協(xié)議的原件或者與原件一致的復印件、掃描件;

擬出口物項的技術說明或者檢測報告;

最終用戶和最終用途證明;

進口商和最終用戶情況介紹;

申請人的法定代表人、主要經營管理人以及經辦人的身份證明。

三、商務部應當自收到出口申請文件之日起進行審查,或者會同有關部門進行審查,并在法定時限內作出準予或者不予許可的決定。

對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口,商務部會同有關部門報國務院批準。

四、經審查準予許可的,由商務部頒發(fā)兩用物項和技術出口許可證件(以下簡稱出口許可證件)。

五、出口許可證件申領和簽發(fā)程序、特殊情況處理、文件資料保存年限等,依照商務部、海關總署令2005年第29號(《兩用物項和技術進出口許可證管理辦法》)的相關規(guī)定執(zhí)行。

六、出口經營者應當向海關出具出口許可證件,依照《中華人民共和國海關法》的規(guī)定辦理海關手續(xù),并接受海關監(jiān)管。海關憑商務部簽發(fā)的出口許可證件辦理驗放手續(xù)。

七、出口經營者未經許可出口、超出許可范圍出口或有其他違法情形的,由商務部或者海關等部門依照有關法律法規(guī)的規(guī)定給予行政處罰。構成犯罪的,依法追究刑事責任。

預計2021年全球銦需求約為1750 噸。ITO靶材(用于生產液晶顯示器和平板屏幕)是銦錠的主要消費領域,占全球銦消費量的70%;其次電子半導體領域,占全球消費量的11%;焊料和合金領域占12%;光伏薄膜占4%;其他領域占3%。

工業(yè)上,鎵可以制造半導體氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵、鍺半導體摻雜元;純鎵及低熔合金可作核反應的熱交換介質;高溫溫度計的填充料;有機反應中作二酯化的催化劑。

砷化鎵是鎵的最大消費領域,占鎵全球消費量的 80%;其次是氮化鎵,占全球鎵消費量的7%;CIGS 薄膜電池作為鎵的新用途,約占鎵消費 量的5%。砷化鎵在雷達、衛(wèi)星電視廣播、通 信、源器件、LED、可見光激光器等領域有廣泛的用途。

鍺具備多方面的特殊性質,在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫(yī)學等領域都有廣泛而重要的應用,是一種重要的戰(zhàn)略資源。在電子工業(yè)中,在合金預處理中,在光學工業(yè)上,還可以作為催化劑。

鍺是優(yōu)良半導體,可作高頻率電流的檢波和交流電的整流用,此外,可用于紅外光材料、精密儀器、催化劑。鍺的化合物可用以制造熒光板和各種折射率高的玻璃。

全球光纖網絡市場尤其是北美和日本光纖市場的復蘇拉動了光纖市場的快速增長。21世紀全球光纖需求年增長率已經達到了20%。未來中國光纖到戶、3G建設及村通工程將拉動中國光纖用鍺需求快速增長。



關鍵詞: 半導體材料

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