日本要如何復(fù)興半導(dǎo)體？

從 2021 年開始，日本為振興國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、一直在做各種努力，其中就包括吸引臺(tái)積電在日本建廠。

2023 年，日本半導(dǎo)體戰(zhàn)略的兩個(gè)關(guān)鍵要素是加強(qiáng)國(guó)內(nèi)制造能力和通過國(guó)際合作促進(jìn)下一代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。這一雄心勃勃的舉措旨在改變?nèi)毡镜陌雽?dǎo)體行業(yè)，并表明政府重振其半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的決心。

日本政府旨在通過向從事先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)的公司提供補(bǔ)貼來提高國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造能力。鑒于半導(dǎo)體應(yīng)用于從手機(jī)到國(guó)防系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域，擴(kuò)大日本的國(guó)內(nèi)能力對(duì)于減少依賴不可靠供應(yīng)來源的風(fēng)險(xiǎn)以及過度依賴少數(shù)國(guó)家的風(fēng)險(xiǎn)至關(guān)重要。

2021 和 2022 年，政府為半導(dǎo)體制造工廠撥出超過 1 萬億日元（接近 70 億美元），如果沒有這一點(diǎn)，日本和外國(guó)公司可能會(huì)選擇更具吸引力的地點(diǎn)來制造半導(dǎo)體產(chǎn)品。2023 年 5 月，七家國(guó)外半導(dǎo)體公司高管會(huì)見岸田文雄首相，就擴(kuò)大對(duì)日投資交換意見，此舉有望進(jìn)一步鞏固半導(dǎo)體制造基地。

半導(dǎo)體還被日本政府指定為「特定關(guān)鍵材料」，以增強(qiáng)日本工業(yè)制造傳統(tǒng)半導(dǎo)體以及生產(chǎn)所需制造設(shè)備和材料的能力，總預(yù)算達(dá)到 3686 億日元（28 億美元）。這些支持措施旨在維持日本在全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的地位，并吸引更多的私營(yíng)部門投資。

除了財(cái)政支持外，日本投資公司（JIC）——經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省監(jiān)管的政府下屬基金——已邁出重要一步，以約 9000 億日元（64 億美元）收購(gòu)了芯片材料生產(chǎn)公司 JSR，JSR 占據(jù)全球半導(dǎo)體制造所需光刻膠市場(chǎng)約 30% 的份額。此次收購(gòu)將使 JSR 和 JIC 能夠通過大規(guī)模并購(gòu)重組日本半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，提高日本半導(dǎo)體材料企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。

僅靠產(chǎn)業(yè)政策不足以重振日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，日本政府要努力確保其產(chǎn)業(yè)政策有助于該產(chǎn)業(yè)的成功。這項(xiàng)工作需要與半導(dǎo)體公司和其它利益相關(guān)者密切合作，審查產(chǎn)業(yè)政策努力的成功和失敗，并根據(jù)需要修改政策。

日本政府的半導(dǎo)體戰(zhàn)略還強(qiáng)調(diào)通過國(guó)際合作加強(qiáng)日本的下一代半導(dǎo)體技術(shù)基礎(chǔ)，包括歐洲、美國(guó)、韓國(guó)和印度等國(guó)家也在推出產(chǎn)業(yè)政策，建立有彈性的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，現(xiàn)在是日本與其它國(guó)家開展合作的好時(shí)機(jī)。

2022 年 12 月，日本建立了尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心（LSTC），該中心得到日本公共研究機(jī)構(gòu)的支持。在 LSTC，研究人員將根據(jù)國(guó)內(nèi)外行業(yè)的需求，探索下一代半導(dǎo)體新技術(shù)。預(yù)計(jì)歐洲 IMEC 將與 LSTC 在先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)方面進(jìn)行合作。

另外，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所正在與國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司合作啟動(dòng) 2nm 芯片試驗(yàn)線項(xiàng)目。它還與臺(tái)積電合作開發(fā)先進(jìn)的 3D 封裝技術(shù)。

日本政府還與 IBM 和 IMEC 合作建立了下一代半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)中心 Rapidus。Rapidus 在 2022 和 2023 年從日本政府獲得了 3300 億日元（23 億美元）的財(cái)政支持。其目標(biāo)是在 2027 年開始生產(chǎn) 2nm 芯片。由于 Rapidus 尚未建造和運(yùn)營(yíng)制造設(shè)施，因此可能需要時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)其潛力，Rapidus 以銷售收入維持研發(fā)為基礎(chǔ)的商業(yè)模式能否奏效還有待觀察。

據(jù)日本媒體報(bào)道，為了對(duì) Rapidus 的 2nm 廠提供支持，傳出 ASML 將在 2024 年于北海道設(shè)立據(jù)點(diǎn)，協(xié)助在 Rapidus 試產(chǎn)產(chǎn)線上設(shè)置 EUV 光刻設(shè)備。

據(jù)報(bào)道，ASML 上述技術(shù)支持據(jù)點(diǎn)將設(shè)于北海道千歲市附近，將派遣約 50 名工程師至 Rapidus 興建中的 2nm 芯片工廠內(nèi)的試產(chǎn)產(chǎn)線設(shè)置 EUV 設(shè)備，對(duì)工廠啟用、維修檢查提供協(xié)助。Rapidus 開始進(jìn)行生產(chǎn)后，日本有望成為繼美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、愛爾蘭之后，全球第 5 個(gè)擁有導(dǎo)入 EUV 的芯片量產(chǎn)產(chǎn)線的地區(qū)。

從 20 世紀(jì) 70 年代到 2000 年代，日本政府開展了多個(gè)類似 LSTC 的聯(lián)合研究項(xiàng)目，這些政府舉措最初使日本半導(dǎo)體行業(yè)受益，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，日本半導(dǎo)體公司由于技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化和公司之間技術(shù)水平的提高而變得越來越不多元化。

日本半導(dǎo)體制造商缺乏多樣性，導(dǎo)致企業(yè)難以適應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境的變化。為了吸取過去政府舉措的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，LSTC 需要由多元化的日本半導(dǎo)體公司領(lǐng)導(dǎo)，靈活運(yùn)作，并且不要過多地受到具體研究目標(biāo)的束縛。

日本政府的新半導(dǎo)體政策旨在為振興日本半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)發(fā)揮重要作用，為了成功實(shí)施該戰(zhàn)略，政府必須繼續(xù)尋求進(jìn)一步的投資和長(zhǎng)期政策，以建立有彈性的全球供應(yīng)鏈，同時(shí)，政府還需要與利益相關(guān)方密切合作，靈活調(diào)整政策。

除了財(cái)政支持外，日本政府還采取多方面的措施來增強(qiáng)其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)際合作、建立研發(fā)中心和人力資源開發(fā)都已提上日程。