圖騰柱無橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統 PFC 拓撲結構來更好地實現這一目標。

使用整流器和升壓二極管的 PFC

電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。

圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級

圖騰柱無橋拓撲結構

還有一種提高電源效率的方法，就是使用圖騰柱無橋拓撲結構來移除橋式整流器，并用快速開關 MOSFET 代替升壓二極管。要理解如何做到這一點，最好先將這種拓撲結構視為兩個獨立的升壓電路的功能組合，每個電路用于輸入正弦波形的一個半周期。

電感、電容、MOSFET S1 和二極管 (S2) 在正半周期內用作正升壓電路。此外，還包括一個旁路二極管，目的是防止電感在啟動時或在異常工作條件下飽和；還有一個保護二極管 (SR1)，以防止在負半周期內工作。

圖 2：正升壓電路

在負半周期內，電感、電容、MOSFET S2 和二極管 (S1) 構成了標準升壓電路的反相版本，并在導通狀態(tài)路徑中額外配備了一個保護二極管 SR2。

圖 3：負升壓電路

在圖騰柱無橋 PFC 拓撲結構中，兩個二極管（SR1 和 SR2）可以用 MOSFET 代替，以實現更高的效率。這是因為這些二極管在圖騰柱工作期間導通，但切換頻率只有 50/60 Hz。旁路二極管僅在啟動時導通，因此使用 MOSFET 代替它們沒有任何好處。

圖 4：采用二極管的圖騰柱無橋 PFC 電路

改進后的圖騰柱

改進后的圖騰柱無橋 PFC 拓撲結構將快速 SiC MOSFET和慢速超結 MOSFET 相結合。在正半周波期間，SR1 在整個周期內導通，并為異步升壓電路提供接地路徑。S1 充當升壓開關，而 S2 在異步升壓中執(zhí)行二極管功能。同樣，在負半周期內，SR2 提供接地路徑，S2 作為升壓開關，S1 則用作異步升壓二極管。SR1 和 SR2 可以是低速超結 MOSFET（因為它們只需要在低頻下開關）。為防止出現潛在的 EMI 問題，需要通過額外電容來避免過快發(fā)生過零轉換。但是，如果電容值太大，總諧波失真 (THD) 性能將會變差。對于高功率密度，S1 和 S2 可以是 SiC 器件。

圖 5：改進后具有 SiC 和超結 MOSFET 的圖騰柱無橋 PFC 電路

實現高功率密度的高效電源

安森美 (onsemi) 通過帶有EliteSiC 開關的高頻 PFC 前端、先進的圖騰柱無橋 PFC 控制器和運行頻率高達 150 kHz 的高頻 LLC 級，在輸出級上使用高速同步整流設計出一個功率密度超過40 W/in3、滿載效率為 98.4% 的單相交流輸入 3 kW PFC 電源。該創(chuàng)新方案的操作和性能在白皮書中進行了詳細說明。