臺積電高雄廠已完成2nm營運團隊建設(shè)，未來或切入1.4nm

據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠（Fab 22），并且完成該廠2nm營運團隊建設(shè)。臺積電供應(yīng)鏈認(rèn)為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉(zhuǎn)向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。

報道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時生產(chǎn)最先進制程的慣例，將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃，改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。

此前據(jù)TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投資，興建2nm工廠。

據(jù)了解，新竹寶山廠第一廠初期月產(chǎn)能約達3萬片；高雄廠則計劃在寶山廠量產(chǎn)隔年也著手2納米強化版N2P的量產(chǎn)作業(yè)，初期規(guī)劃月產(chǎn)能也會在2萬片以上。

臺積電在2nm制程節(jié)點將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，同時制造過程仍依賴于極紫外線（EUV）光刻技術(shù)，原計劃2024年末將做好風(fēng)險生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進入大量生產(chǎn)，客戶在2026年就能收到首批采用N2制程制造的芯片。