300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

增加 3D NAND 閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。

英特爾原型設(shè)計的 3D NAND 閃存，采用 5 位/單元 (PLC) 多級存儲技術(shù)。每個硅片的存儲容量為 1.67Tbit，為有史以來最大的。

自 2013 年 3D NAND 閃存開始商業(yè)化生產(chǎn)以來，存儲密度以每年 1.41 倍左右的速度持續(xù)提升。從國際會議 ISSCC 上展示的原型硅芯片來看，2014 年存儲密度為每平方毫米 0.93 Gbit，但 2024 年將達(dá)到每平方毫米 28.5 Gbit。簡單對比一下，10 年間存儲密度增加了 30.6 倍。

NAND 閃存存儲密度的變化（2011-2024）

提高 3D NAND 閃存存儲密度的四項基本技術(shù)

迄今為止，3D NAND 閃存的存儲密度主要通過采用四種基本技術(shù)來提高。分別是「高層化」「多值化」、「布局變更（存儲單元陣列和 CMOS 外圍電路的單片層疊）」、「微細(xì)化（縮短橫向尺寸）」等。

這四種方法中，進(jìn)步最大的恐怕就是「高層化」了。通過增加在垂直于硅襯底表面的方向上布置和連接的存儲單元 (單元晶體管) 的數(shù)量，或者通過增加堆疊的單元晶體管的字線 (柵電極) 的數(shù)量來增加每硅面積的存儲密度。

2013 年宣布開發(fā)和商業(yè)化時，層壓層數(shù)為 24 層，從今天的角度來看，這似乎很小。盡管如此，當(dāng)時的制造極其困難，業(yè)內(nèi)人士傳言，第二年決定開始商業(yè)化生產(chǎn)的三星電子的制造良率還不到一半。

之后，堆棧的數(shù)量迅速增加。四年后，即 2017 年，這個數(shù)字翻了兩番，達(dá)到 96 個。八年后，即 2022 年，達(dá)到了 238 層，大約增加了 10 倍，而次年，即 2023 年，則突破了 300 層。

由于增強型多級存儲器，存儲器密度是平面 NAND 的 1.5 至 2 倍

簡單對比一下，「高層化」對存儲密度的貢獻(xiàn)「10 年大約是 10 倍」。然而，正如已經(jīng)提到的，實際上，這個數(shù)字在 10 年內(nèi)增加了大約 30 倍。其余三倍的金額是通過其他基礎(chǔ)技術(shù)實現(xiàn)的。

一個代表性的例子是「多值」。平面（2D）NAND 閃存中開始引入的多級存儲一直以 2 位/單元（MLC）方法為主，而 3 位/單元（TLC）方法仍然處于邊緣地位。除了 3D NAND 閃存的第一個原型是 MLC 之外，TLC 從一開始就成為主流。與平面 NAND 閃存相比，存儲密度提高了 1.5 倍。

3D NAND 閃存進(jìn)一步發(fā)展了多級存儲技術(shù)，并將 4bit/cell（QLC）方法投入實際應(yīng)用。這相當(dāng)于平面 NAND 閃存 (MLC) 存儲密度的兩倍，是現(xiàn)有 3D NAND 閃存 (TLC) 存儲密度的 1.33 倍。

字線層數(shù)（橫軸）與存儲密度（縱軸）之間的關(guān)系。TLC（3 位/單元）方法和 QLC（4 位/單元）方法之間的存儲密度存在明顯差異。

改變布局的巨大威力

我們能夠確認(rèn)，通過「高層化」和「多值（強化）」，存儲密度將增加 10 倍×2 倍（最大）或 20 倍。當(dāng)達(dá)到「30 倍」時，剩下的就是「1.5 倍」。這就是第三個基本技術(shù)「布局改變（存儲單元陣列和 CMOS 外圍電路的單片堆疊）」發(fā)揮作用的地方。

思路很簡單，在變更布局之前，存儲器單元陣列和 CMOS 外圍電路在硅芯片上并排布局。存儲器單元陣列的下部有硅基板，但沒有制造電路。它被稱為「空地」。通過在該空余空間中形成 CMOS 外圍電路，將減少硅面積。當(dāng)然，可以通過僅在存儲單元陣列下方形成一些而非全部 CMOS 外圍電路來增加存儲密度。換句話說，存儲密度的提高速度是由布局決定的。

例如，東芝存儲器（現(xiàn) Kioxia）與西部數(shù)據(jù)（以下簡稱 WD）聯(lián)合開發(fā)團(tuán)隊在 2019 年國際會議 ISSCC 上公布的 3D NAND 閃存，其存儲單元陣列具有兩個平面（劃分?jǐn)?shù)）除了將平面數(shù)量從 1 個增加到 4 個之外，大部分 CMOS 外圍電路都形成在存儲單元陣列正下方的硅襯底上。注意，增加平面分割的數(shù)量的目的是提高操作速度或者緩解操作速度的下降。

增加平面劃分的數(shù)量會增加行 (ROW) 解碼器和列 (COLUMN) 解碼器的數(shù)量并增加硅面積。東芝內(nèi)存-WD 聯(lián)盟表示，從 2 個平面改為 4 個平面將使硅芯片面積增加 15%。

如果將 CMOS 外圍電路直接布置在存儲單元陣列下方，則硅芯片面積的增加可以保持在僅 1%。簡單計算一下，存儲密度提升了 12% 左右。

將 CMOS 外圍電路放置在存儲單元陣列下方的布局更改（左）及其結(jié)果（右）。如果簡單地將 2 個平面改為 4 個平面，硅面積就會增加 15%，但實際上硅面積僅增加了 1%。

橫向「細(xì)化」雖小，作用卻很大

剩下的就是「小型化（縮短橫向尺寸）」。具體而言，垂直溝道 (存儲器通孔) 的間距減小。雖然效果很大，但制造本身卻極其困難。當(dāng)從當(dāng)前一代過渡到下一代時，存儲器通孔的間距保持不變的情況并不少見。

3D NAND 閃存開發(fā)商的單位單元面積（左：相當(dāng)于垂直通道的尺寸）和單位單元體積（右：相當(dāng)于單元的垂直厚度和橫向尺寸的乘積）。橫軸是堆疊單元（字線）的數(shù)量（對應(yīng)技術(shù)代數(shù)）。增加堆疊層數(shù)（建造高層建筑）并不一定等于減少面積和體積。反之，則可能會增加。

使用傳統(tǒng)技術(shù)的高密度限制

隨著存儲密度的增加，這些傳統(tǒng)技術(shù)在技術(shù)上變得更加困難。開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的斜坡，隨著進(jìn)步，角度也會越來越大。

各大 NAND Flash 公司自開發(fā)以來，經(jīng)過反復(fù)的換代，目前的世代已經(jīng)達(dá)到了第 6 代至第 8 代。斜坡已經(jīng)變得相當(dāng)陡峭，公司正在認(rèn)真尋找替代路線。

讓我們簡要討論一下每項基本技術(shù)的問題。

第一步是「高層化」。由于字線提取區(qū)域的擴(kuò)大而導(dǎo)致效率降低，由于層數(shù)增加（垂直劃分存儲單元陣列的單元）而導(dǎo)致對準(zhǔn)難度增加，工藝步驟數(shù)量增加以及字線變細(xì)。其中包括字線電阻的增加（一種緩解高層結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的存儲器通孔深寬比增加的方法）、上下相鄰單元之間的電干擾增加以及字線數(shù)量的減少。

單元晶體管柵極（字線）節(jié)距（垂直方向）與字線堆疊數(shù)量之間的關(guān)系。減少字線間距（更細(xì)的字線），同時增加字線堆疊的數(shù)量。

接下來我們來說說「多層次」的局限性。多級存儲技術(shù)有一個固有的弱點，即隨著位數(shù)的增加，效率下降，技術(shù)難度迅速增加。

從 1 位/單元 (SLC) 到 2 位/單元 (MLC) 的轉(zhuǎn)變原則上使存儲密度加倍。在隨后從 MLC 到 3 位/單元 (TLC) 的轉(zhuǎn)變中，存儲密度的增長率大幅降低至 1.5 倍。從 TLC 到 4bit/cell（QLC）的過渡中，存儲密度的增加率更低，為 1.33 倍。

另一方面，閾值電壓階躍的數(shù)量每 1 位加倍。TLC 有 8 個步驟（7 個步驟，不包括擦除），QLC 有 16 個步驟（15 個步驟，不包括擦除）。如果寫入（編程）電壓范圍相同，則增加 1 位將使閾值電壓裕度減少一半。盡管 QLC 已經(jīng)商業(yè)化生產(chǎn)，但 PLC 的實際應(yīng)用仍不清楚。

接下來是「布局變更（存儲單元陣列和 CMOS 外圍電路的單片堆疊）」。這種方法有兩個主要缺點。一是一旦在一代引入，即使在下一代引入，效果也保持不變。其次，由于存儲單元陣列是在形成 CMOS 外圍電路之后制造的，所以在存儲單元陣列工藝期間施加的熱處理降低了 CMOS 外圍電路的性能。換句話說，存在運行速度降低的風(fēng)險。

CMOS 外圍電路的性能下降和存儲單元陣列的熱處理溫度之間存在折衷關(guān)系。外圍電路和單元陣列的性能很難同時優(yōu)化。此外，更高結(jié)構(gòu)的進(jìn)步可能會進(jìn)一步惡化由于存儲單元陣列的熱處理而導(dǎo)致的外圍電路的性能惡化。

最后一步是小型化。當(dāng)垂直溝道（存儲器通孔）做得更薄時，溝道電阻會增加。這導(dǎo)致單元晶體管的性能下降。垂直通道的直徑只能減小到一定程度。

突破高密度極限的基礎(chǔ)技術(shù)候選組

解決上述限制和問題的基本技術(shù)已經(jīng)被提出，并且研究和開發(fā)正在進(jìn)行，下面我們來介紹其中的一些。

將「超越高層化極限」的候選基礎(chǔ)技術(shù)包括將字線金屬從目前的鎢（W）改為電阻率較低的金屬（緩解字線電阻的增加），以及垂直溝道材料。由現(xiàn)在的多晶硅改為單晶硅（緩解溝道電阻的增加），將電荷俘獲柵極絕緣膜由現(xiàn)在的氮氧化物膜改為鐵電膜（不依賴于電子數(shù)量的介電膜）。除了目前存儲單元陣列各層之間的單片連接外，還將引入混合晶圓鍵合（緩解工藝難度的增加）。

將「超越多值技術(shù)極限」的基本技術(shù)候選包括將單元晶體管的存儲方法從當(dāng)前的電荷陷阱技術(shù)改為浮動?xùn)艠O技術(shù)（緩解閾值電壓裕度降低）。

混合堆疊是一種候選基本技術(shù)，「超越了布局變化的限制（存儲單元陣列和 CMOS 外圍電路的單片堆疊）」。存儲單元陣列和 CMOS 外圍電路形成在不同的晶片上，并且將晶片接合在一起。這樣做的優(yōu)點是可以優(yōu)化存儲單元陣列和 CMOS 外圍電路工藝。隨著每個輸入/輸出引腳的傳輸速率超過 5 GT/s，引入混合堆疊的可能性就會增加。

擁有替代技術(shù)的候選者非常重要，即使它們不完整，以防當(dāng)前技術(shù)達(dá)到其極限。3D NAND 閃存的高密度尚未達(dá)到極限。通過改進(jìn)新的基本技術(shù)，甚至可以達(dá)到 1,000 層。這完全取決于你能在多大程度上投入你的資源。