英飛凌擴展集成ECC的抗輻射異步靜態(tài)RAM產(chǎn)品線

【2024年1月15日，德國慕尼黑訊】衛(wèi)星上的邊緣計算和推理可實現(xiàn)近乎實時的數(shù)據(jù)分析和決策制定。隨著聯(lián)網(wǎng)設備的數(shù)量及其產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷增長，這一點變得愈發(fā)重要。為滿足太空應用中的這些高性能計算需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專利技術(shù)RADSTOP?設計的最新抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機存取存儲器。全新產(chǎn)品專為高可靠性和高性能極為關(guān)鍵的太空及其它惡劣環(huán)境應用而設計。 

英飛凌抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機存取存儲器

在高性能太空計算中，數(shù)據(jù)緩沖所需要的內(nèi)存比MCU或 FPGA片上存儲器所能提供的內(nèi)存更多。存儲器必須為實時處理應用提供更高的性能并具有卓越的抗輻射性能，以滿足在惡劣環(huán)境中的任務要求。英飛凌的全新抗輻射靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）有8位、16位和32位寬配置，并帶有能進行單比特錯誤糾正的嵌入式糾錯碼（ECC）。這項先進技術(shù)使得糾錯碼（ECC）邏輯能夠在讀取周期內(nèi)檢測并糾正任何讀取數(shù)據(jù)字中的單比特錯誤。

英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務副總裁兼研究員Helmut Puchner博士表示：“輻射效應會導致靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）中不可避免的比特錯誤，而使用系統(tǒng)級糾錯碼（ECC）會增加設計復雜性和延遲。英飛凌的RADSTOP異步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）提供了一種極其可靠的單芯片解決方案，可以在解決這些問題的同時，滿足航天工業(yè)對抗輻射性能的要求。”

英飛凌領(lǐng)先的RADSTOP技術(shù)通過自主設計和工藝強化技術(shù)實現(xiàn)了抗輻射性能，可滿足極端環(huán)境下的所有抗輻射要求。這款全新抗輻射存儲器獲得了QML-V認證，能夠確保在極端環(huán)境下的可靠性和生命周期要求。這些半導體器件的存取時間短至10 ns，是目前速度最快的選擇。此外，它們還為最高的密度和最低的靜態(tài)電流提供了最小的占板面積。RADSTOP存儲器解決方案擴展了整個系統(tǒng)的計算極限，同時具備尺寸、重量和功耗優(yōu)勢以及更大的設計靈活性。

供貨情況

英飛凌的抗輻射靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）現(xiàn)已上市。