ASML正計劃搬離荷蘭？向外擴張轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解

據(jù)路透社報道，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo)，以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。

消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對媒體稱他們在考慮公司的未來，但沒有透露具體的想法。

ASML為何要搬離荷蘭？

憑借先天的地理位置及海港內(nèi)陸網(wǎng)絡(luò)，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經(jīng)濟高度依賴國際貿(mào)易，2022年最新出口額占全國GDP之比超過60%，是全球開放貿(mào)易的重要參與者。因此，荷蘭在歷史上也是多家跨國公司選址落地的首選。

總部位于荷蘭的ASML是歐洲第三大市值公司，市值接近3650億歐元。去年，ASML實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的276億歐元營收，較2022年增長了30%，凈利潤激增至78億歐元，增加了約22億歐元。

無論ASML離開還是海外擴張，對于荷蘭來說都將是一個極其敏感的打擊。近年來，荷蘭商業(yè)環(huán)境的擔憂正達到沸點：2020年，日用化妝品巨頭聯(lián)合利華宣布重組，公司不再采用“荷蘭和英國雙總部”的架構(gòu)，并將其唯一的總部從荷蘭遷至英國；次年，能源巨頭殼牌石油也決定將公司總部從荷蘭海牙遷至英國倫敦，結(jié)束了公司總部近一百年落戶荷蘭的根基。商業(yè)景氣監(jiān)測最近顯示，六分之一的公司正在考慮將業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到國外。

綜合多家媒體消息，ASML希望離開荷蘭的主要因素是荷蘭國內(nèi)的“反移民政策”。去年11月，荷蘭自由黨在議會選舉中獲得壓倒性優(yōu)勢，并宣布將采取反移民、縮減海外留學(xué)生規(guī)模以及取消外籍人士的稅收減免等措施。據(jù)報道，ASML在荷蘭的總計2.3萬名員工中，非荷蘭籍員工占比約為40%，而留在荷蘭就業(yè)的海外留學(xué)生是該公司主要人才來源之一。

半導(dǎo)體作為技術(shù)門檻最高的行業(yè)之一，高度依賴技術(shù)熟練的外國勞工以及高素質(zhì)外國勞動力。針對這一系列的變化，ASML首席執(zhí)行官彼得·溫寧克（Peter Wennink）在1月就曾表示，出于對荷蘭的營商環(huán)境惡化的擔憂，若在荷蘭無法招募足夠的人才，“將搬去可以發(fā)展的地方”。

此外，有內(nèi)部人士透露，荷蘭的住房短缺導(dǎo)致員工住房困難，也是導(dǎo)致ASML有意搬離的原因之一。由于ASML技術(shù)的獨特性和復(fù)雜性，雇傭和留住員工以支持擴張是一個挑戰(zhàn)。

值得注意的是，目前ASML正處于管理層交替時期。2023年11月30日ASML監(jiān)事會宣布，ASML共同總裁Peter Wennink和Martin van den Brink將在完成當前任期后從公司退休?，F(xiàn)任首席商務(wù)官法國人Christophe Fouquet屆時將擔任公司下一任總裁兼首席執(zhí)行官，該任命須經(jīng)4月24日的年度股東大會批準，遷址這個事情可能會由他來決定。

ASML面臨的挑戰(zhàn)

2007年，ASML發(fā)布全球首個193nm的浸潤式系統(tǒng)TWINSCAN XT:1900，使ASML超越當時的光刻機龍頭尼康和佳能，成為光刻機的全球霸主；2010年，交付了全球第一臺EUV光刻機，憑借其極高的技術(shù)壁壘，ASML至今仍是全球唯一的EUV光刻機供應(yīng)商。

由于光刻機技術(shù)壁壘太高，甚至被稱為現(xiàn)代“最復(fù)雜的設(shè)備”，不僅具有巨大的經(jīng)濟價值，而且具有戰(zhàn)略價值。因為ASML是低數(shù)值孔徑和高數(shù)值孔徑EUV工具的唯一生產(chǎn)商，這些工具對于使用領(lǐng)先工藝技術(shù)制造芯片至關(guān)重要。在市場競爭中，ASML的設(shè)備和技術(shù)占絕對領(lǐng)先地位，占據(jù)全球市場82.1%：90nm以下節(jié)點高端光刻機（如ArF、ArFi、EUV光刻3種高端機型）95%以上屬ASML設(shè)備。

但是當前，宏觀經(jīng)濟形勢不穩(wěn)定，如高利率通貨膨脹，對經(jīng)濟衰退的恐懼和地緣政治緊張局勢的加劇。例如在2023年底，荷蘭政府部分吊銷了NXT:2050i和NXT:2100i系統(tǒng)的出貨許可證，對中國部分客戶造成影響。隨著最近荷蘭法規(guī)的變化，先進的浸潤式DUV設(shè)備現(xiàn)在也受到許可證要求的約束。美國政府已經(jīng)制定了貿(mào)易措施，包括國家安全法規(guī)和限制與某些中國實體開展業(yè)務(wù)，限制ASML在沒有許可證的情況下向這些實體提供某些產(chǎn)品和服務(wù)的能力。

中國市場作為ASML重要的營收盤之一，受到多方關(guān)注，有關(guān)政策生效后，今年中國市場受到的影響為10%-15%（以2023在中國的銷售額為基準）。

在AI、能源轉(zhuǎn)型、汽車電氣化和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等全球趨勢下，將繼續(xù)推動半導(dǎo)體的長期增長。ASML正在考慮海外擴張的選擇的原因還可能是因為它希望在未來幾年內(nèi)大幅提高其產(chǎn)能。特別是，ASML計劃到2025年-2026年將其制造能力擴大到每年600臺DUV光刻系統(tǒng)；到2025年-2026年每年擴大到90臺低數(shù)值孔徑極紫外光刻機，以及20臺高數(shù)值孔徑極紫外光刻系統(tǒng)（High NA EUV）；到2027年-2028年，每年將推出新光刻工具。

新的發(fā)展賽道即將來臨

ASML、尼康、佳能是全球光刻機產(chǎn)業(yè)三大龍頭，占據(jù)絕大部分市場份額，其中ASML在高端浸沒式DUV及EUV方面絕對領(lǐng)先，尼康在浸沒式DUV方面也有少量出貨，佳能則聚焦中低端領(lǐng)域。

2023年末，ASML向英特爾交付了第一臺High NA EUV —— EXE:5000的部分組件。High NA EUV設(shè)備被譽為“下一代EUV光刻機”，其數(shù)值孔徑（NA）為0.55，可用于制造5nm及以下（2nm/1nm）芯片產(chǎn)品，預(yù)估該設(shè)備成本或超過3億歐元。

在第一臺High-NA EUV剛發(fā)往英特爾后，ASML就透露正在探索更先進的Hyper-NA EUV。隨著晶體管尺寸變得越來越小，ASML的光刻系統(tǒng)也變得越來越復(fù)雜，面臨著前所未有的工程、材料結(jié)構(gòu)和制造方面的挑戰(zhàn)。許多變化和誤差的來源會阻礙光刻過程，必須加以控制，為確保芯片的生產(chǎn)滿足所需的性能、體積和成本，傳統(tǒng)的EUV光刻機技術(shù)可能已經(jīng)走到了盡頭。

高昂的成本和物理極限的挑戰(zhàn)限制了EUV光刻機的進一步發(fā)展，圍繞光刻分辨率提升，光刻機走過了紫外光、深紫外光乃至如今的極紫外光技術(shù)路線，未來光刻機又將如何進一步提升，極紫外光勢必不是光刻光源的終點所在。隨著行業(yè)向更高級別的芯片制程轉(zhuǎn)型，EUV技術(shù)顯現(xiàn)出的短板和局限性逐漸暴露，這也迫使行業(yè)重新審視未來技術(shù)發(fā)展的路徑與方向。

其他的光刻技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn)，像BEUV技術(shù)、X射線光刻技術(shù)、NIL納米壓印技術(shù)等。尤其NIL技術(shù)，已經(jīng)不再是實驗室技術(shù)，佳能已經(jīng)推出5nm納米壓印設(shè)備“FPA-1200NZ2C”。之前鎧俠等一些日本半導(dǎo)體廠商曾嘗試使用該技術(shù)來替換EUV，但因為內(nèi)部顆粒污染、良率過低等問題沒能實現(xiàn)商業(yè)化，看來佳能可能解決了這些問題。

納米壓印是一種微納加工技術(shù)，它采用傳統(tǒng)機械模具微復(fù)型原理，能夠代替?zhèn)鹘y(tǒng)且復(fù)雜的光學(xué)光刻技術(shù)。簡單而言，像蓋章一樣造芯片，把柵極長度只有幾納米的電路刻在印章上，再將印章蓋在橡皮泥上，得到與印章相反的圖案，經(jīng)過脫模就能夠得到一顆芯片，這里的橡皮泥是指納米壓印膠，印章即模板。

要理解納米壓印技術(shù)，可以先跟光刻技術(shù)做對比。目前芯片制造最主要的方式是光學(xué)投影式光刻，類似于膠片相機洗印照片時，將膠片上的的圖像印在相紙上，只不過在光刻過程中，“膠片”變成了掩膜版，“相紙”變成了涂抹了光刻膠（PR）的硅片。刻有電路圖案的掩膜版，經(jīng)過光刻機特定波長的光學(xué)系統(tǒng)投影后被縮小，再“曝光”到硅片上，光刻膠會發(fā)生性質(zhì)變化，從而將掩膜版上的圖案精確的復(fù)制到硅片上。最后一步就是“顯影”，也就是在硅晶圓上噴灑顯影液，把多余的光刻膠洗掉，再用刻蝕機把沒有光刻膠覆蓋的刻蝕掉。

總的來說，光刻的就是利用光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，是芯片制造過程中最重要、最復(fù)雜也最昂貴的工藝步驟，其成本占總生產(chǎn)成本的30%以上。以ASML頂級的EUV光刻機為例，它需要功率極高又穩(wěn)定的光源，這就對成像反射鏡頭的制作工藝和機械精度提出了極高要求，所以價格昂貴。

納米壓印替代的是光刻環(huán)節(jié)，只有光刻的步驟被納米壓抑技術(shù)代替，其他的刻蝕、離子注入、薄膜沉積這些標準的芯片制造工藝是完全兼容的，能很好的接入現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)，不用推翻重來。未來當光學(xué)光刻真正達到極限難以向前時，納米壓印技術(shù)或?qū)⑹且粭l值得期待的路線，而那時，芯片制造或許也會迎來全新的范式，一切都會被顛覆。

關(guān)鍵是，佳能的5nm納米壓印光刻機優(yōu)勢還很明顯，不僅價格是ASML傳統(tǒng)EUV的10%，連耗電量也是傳統(tǒng)EUV的10%。美光對外宣布將首先采用日本佳能的納米壓印NIL光刻機，進一步降低DRAM生產(chǎn)成本。一旦存儲巨頭美光獲得成功，佳能的NIL光刻機將會迅速推廣，屆時ASML的EUV必然受到擠壓。

更令A(yù)SML難受的是，NIL技術(shù)研發(fā)進展很快，佳能表示2026年推出2nm光刻機。對于NIL設(shè)備究竟是否能威脅到ASML EUV的市場，我們將拭目以待。

但是想成為主流光刻技術(shù)“彎道超車”，還需要上游原料技術(shù)迭代、下游應(yīng)用端等共同合作、打磨，最終才能有可靠而成熟的納米壓印產(chǎn)業(yè)。就像光刻機從造出來的那刻起，才算是來到真正的起點。

長期以來，ASML EUV光刻機在光刻技術(shù)領(lǐng)域一直處于壟斷地位，而佳能納米壓印光刻技術(shù)的出現(xiàn)，有望打破這一局面，使芯片制造更加多元化，從而推動整個行業(yè)的發(fā)展。

ASML公司作為光刻機領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，面臨著前所未有的競爭壓力。新技術(shù)的涌現(xiàn)和市場格局的變化，給ASML公司帶來了挑戰(zhàn)，也給予了新的發(fā)展機遇。面對行業(yè)的變革和挑戰(zhàn)，ASML公司需要加強技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略調(diào)整，尋找新的增長點和競爭優(yōu)勢，才能在激烈的市場競爭中立于不敗之地。