存儲大廠業(yè)績高于預(yù)期

當(dāng)?shù)貢r間3月20日，存儲大廠美光科技公布截止2024年2月29日的2024財年第二季度業(yè)績。受惠于人工智能AI對HBM的強烈需求，美光科技該財季意外實現(xiàn)轉(zhuǎn)虧為盈，且本季財測優(yōu)于預(yù)期。

數(shù)據(jù)顯示，美光科技2 大 024財年第二季度收入為58.2億美元，上一季度為47.3億美元，去年同期為36.9億美元，同比增長約57.7%，增速遠超第一財季的15.6%，高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外，2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。

圖片來源：美光科技官網(wǎng)截圖

美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，公司第二財季的業(yè)績，收入、毛利率和每股收益均遠高于預(yù)期。面對AI給半導(dǎo)體行業(yè)帶來的多年機遇，相信公司將是最大的受益者之一。

下游需求強盛，HBM產(chǎn)能吃緊

HBM是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢，被視為“最適用于AI訓(xùn)練、推理的存儲芯片”。業(yè)界認為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。

受人工智能（AI）熱潮推動，HBM成為存儲大廠業(yè)績回升的主要推動力。美光科技預(yù)計整個2024財年，HBM產(chǎn)品將帶來“數(shù)億美元”的收入。Mehrotra表示，2024年的HBM已經(jīng)售罄，2025年的大部分供應(yīng)也已獲得分配。

TrendForce集邦咨詢表示，HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上。因此，急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量。大部分針對2024年度的訂單都已經(jīng)遞交給供應(yīng)商，除非有驗證無法通過的情況，否則目前來看這些訂單量均無法取消（non-cancellable）。

以HBM產(chǎn)能來看，TrendForce集邦咨詢觀察，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會依據(jù)驗證進度與客戶訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來看，目前SK海力士于HBM3市場比重逾9成，而三星將隨著后續(xù)數(shù)個季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追。

此外，HBM產(chǎn)業(yè)比重逐漸增長，TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。預(yù)估2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。

大廠競相追逐，HBM3e將于今年迎放量周期

目前，高帶寬存儲器HBM（High Bandwidth Memory）已經(jīng)從HBM、HBM2、HBM2E，發(fā)展至HBM3、HBM3E。存儲大廠擴產(chǎn)重心主要在HBM3以及HBM3e產(chǎn)品上。

HBM3主要有SK海力士和三星供應(yīng)，從供應(yīng)端情況來看，據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前，NVIDIA現(xiàn)有主攻H100的存儲器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應(yīng)商，然而供應(yīng)不足以應(yīng)付整體AI市場所需。至2023年末，三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。

TrendForce集邦咨詢調(diào)查指出，2024年第一季，三星HBM3產(chǎn)品也陸續(xù)通過AMD MI300系列驗證，其中包含其8h與12h產(chǎn)品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產(chǎn)品將會逐漸放量。值得注意的是，過去在HBM3世代的產(chǎn)品競爭中，美光（Micron）始終沒有加入供應(yīng)行列，僅有兩大韓系供應(yīng)商獨撐，且SK海力士HBM市占率目前為最高，三星將隨著后續(xù)數(shù)個季度MI300逐季放量，市占率將急起直追。

HBM3e方面，今年以來，市場目光將從HBM3轉(zhuǎn)向HBM3e，預(yù)計下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場主流。據(jù)悉，英偉達（NVIDIA）新一代含B100或H200的規(guī)格將為最新HBM3e產(chǎn)品。

從大廠最新動態(tài)來看，SK海力士于3月19日宣布已開始量產(chǎn)高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。據(jù)透露，該公司新芯片將首先發(fā)貨給英偉達，并用于其最新的Blackwell GPU。

美光科技透露在最近一個季度，公司首次從其新品HBM3E中獲得收入。該公司特別提到，HBM3E將于第二季末供給英偉達的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

三星方面，該公司將于今年上半年開始批量生產(chǎn)HBM3E 12H。TrendForce集邦咨詢表示，由于遞交樣品的時程較其他兩家供應(yīng)商略晚，預(yù)計其HBM3e將于第一季末前通過驗證，并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗證已經(jīng)有了突破，且HBM3e的驗證若無意外也即將完成，這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

值得一提的是，近期，英偉達聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛對外暗示，英偉達正考慮從三星采購HBM芯片。黃仁勛表示，英偉達正處于對三星的HBM芯片進行測試的階段，可能會在未來采用。不過英偉達“尚未”使用三星的HBM芯片。

半導(dǎo)體釋放上行信號

從周期性來看，半導(dǎo)體行業(yè)是典型的周期性行業(yè)，周期長度約為4年左右，上行周期通常為2年至3年，下行周期通常為1年至1.5年。隨著供需調(diào)整、庫存改善、價格上揚等上行信號釋放，業(yè)界預(yù)估半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⑦~入上行周期。

不過美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，2024會計年度的DRAM和NAND位元供應(yīng)成長仍低于需求成長。但隨著供應(yīng)過剩問題的緩解，Mehrotra認為，所有存儲器和存儲終端市場的定價都在改善，預(yù)估今年DRAM和NAND定價水準(zhǔn)將進一步提高。

存儲芯片價格自去年第三季度末開始上揚，目前價格走勢仍是業(yè)界關(guān)心的重點。據(jù)TrendForce集邦咨詢指出，AI功能并未在今年實際帶動NAND Flash容量升級，若最主要的需求市場Enterprise SSD采購沒有明顯回升，今年整體NAND Flash需求位元成長可能不如預(yù)期。預(yù)估NAND Flash合約價漲幅自第二季起，將收斂至10~15%，至第三季會再降至0~5%。

展望2024年第一季DRAM市場趨勢，TrendForce集邦咨詢認為，原廠目標(biāo)仍為改善獲利，漲價意圖強烈，促使DRAM合約價季漲幅近兩成，然出貨位元則面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。