意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點，提升新一代微控制器的成本競爭力

●   首款采用新技術(shù)的STM32微控制器將于2024下半年開始向部分客戶出樣片

●   18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲器(ePCM)組合，實現(xiàn)性能和功耗雙飛躍

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)。基于新技術(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁Remi El-Ouazzane表示：“作為處于半導(dǎo)體行業(yè)前沿的創(chuàng)新企業(yè)，意法半導(dǎo)體率先為客戶帶來汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術(shù)。我們的下一步行動是，從下一代 STM32 微控制器開始，讓工業(yè)應(yīng)用開發(fā)者也能享受到這兩項先進技術(shù)帶來的諸多好處?！?/p>

技術(shù)優(yōu)勢

與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術(shù)相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關(guān)鍵的品質(zhì)因數(shù)：

●   性能功耗比提高50%以上

●   非易失性存儲器(NVM)密度是現(xiàn)有技術(shù)的2.5倍，可以在片上集成容量更大的存儲器

●   數(shù)字電路密度是現(xiàn)有技術(shù)的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數(shù)字外設(shè)，以及最先進的安全保護功能

●   噪聲系數(shù)改善3dB，增強了無線MCU的射頻性能

該技術(shù)的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能供電，是20 納米以下唯一支持此功能的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。

該技術(shù)的耐高溫工作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保存期限已經(jīng)過汽車市場的檢驗，能夠滿足工業(yè)應(yīng)用對可靠性的嚴格要求。

FD-SOI和PCM技術(shù)詳情訪問意法半導(dǎo)體官網(wǎng)。

能為STM32微控制器開發(fā)者和客戶帶來哪些益處？

這種具有成本競爭力的技術(shù)將給開發(fā)人員帶來新型的高性能、低功耗、無線 MCU。大存儲容量支持市場對邊緣人工智能處理、多射頻協(xié)議棧、無線更新和高級安全功能的日益增長的需求。高處理性能和大存儲容量將激勵目前正在使用微處理器開發(fā)產(chǎn)品的開發(fā)者轉(zhuǎn)向集成度更高且成本效益更高的微控制器。這項新技術(shù)將進一步提高超低功耗設(shè)備的能效，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合目前在這個市場處于優(yōu)勢地位。

基于該技術(shù)的首款微控制器將集成ARM最先進的 ARM? Cortex?-M內(nèi)核，為機器學(xué)習(xí)和數(shù)字信號處理應(yīng)用帶來更強的運算性能。該產(chǎn)品將具有快速、靈活的外部存儲器接口、先進的圖形功能，并將集成眾多模擬和數(shù)字外設(shè)，還將有意法半導(dǎo)體最新MCU上已經(jīng)引入的先進的經(jīng)過認證的安全功能。