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全球2nm晶圓廠建設(shè)加速!

作者: 時(shí)間:2024-04-02 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

AI強(qiáng)勢(shì)推動(dòng)之下,芯片重要性日益凸顯。當(dāng)前3nm工藝為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的制程技術(shù),與此同時(shí)、三星、英特爾、Rapidus等廠商積極推動(dòng)2nm晶圓廠建設(shè),、三星此前曾規(guī)劃2nm芯片將于2025年量產(chǎn),Rapidus則計(jì)劃2nm芯片將于2025年開(kāi)始試產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202404/457106.htm

隨著這一時(shí)間逐漸臨近,全球2nm晶圓廠建設(shè)加速進(jìn)行中。

2nm晶圓廠最快年內(nèi)建成?

近期,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)對(duì)外表示,預(yù)計(jì)與英特爾兩家大廠有望今年年底之前建成2nm晶圓廠。

其中英特爾有望率先實(shí)現(xiàn)2nm芯片商用,英特爾PC CPU Arrow Lake產(chǎn)品將采用2nm制程工藝節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電2nm工藝將有望應(yīng)用于蘋果iPhone AP芯片中,后續(xù)臺(tái)積電2nm產(chǎn)能將大幅上升。

另?yè)?jù)臺(tái)媒報(bào)道,臺(tái)積電2nm制程設(shè)備安裝加速,臺(tái)積電新竹寶山Fab20 P1廠計(jì)劃于今年4月進(jìn)行設(shè)備安裝工程,有望于下半年開(kāi)始試產(chǎn),2025年二季度小量生產(chǎn)。

英特爾方面,去年年底ASML已將全球首臺(tái)高數(shù)值孔徑 High NA EUV EXE:5200交付給了英特爾,助力后者生產(chǎn)2nm芯片。隨后英特爾開(kāi)啟了光刻機(jī)調(diào)試工作,并且進(jìn)展順利。

今年2月英特爾和ASML技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)聯(lián)合宣布已打開(kāi)EXE:5000光刻機(jī)的光源,并使光線到達(dá)抗蝕劑。業(yè)界表示,這是光刻機(jī)正式投入使用前的一項(xiàng)重要準(zhǔn)備工作,代表光刻機(jī)的光源已經(jīng)正常工作了。此后,英特爾又對(duì)外分享視頻,展示了首臺(tái)High-NA EUV 光刻機(jī)交付過(guò)程,相關(guān)組件通過(guò)空運(yùn)從荷蘭運(yùn)到美國(guó),相比海運(yùn)進(jìn)一步縮短了交貨時(shí)間。

三星、Rapidus蓄勢(shì)待發(fā)

三星方面,SEMI認(rèn)為該公司今年可能不會(huì)建成2nm晶圓廠。不過(guò)此前三星公布的技術(shù)路線圖顯示,將自2025年起首先于移動(dòng)終端量產(chǎn)2納米制程芯片,隨后在2026年將其用于高性能計(jì)算(HPC)產(chǎn)品,并于2027年擴(kuò)至車用芯片。

至于Rapidus,該公司正在日本北海島千歲市興建2nm芯片工廠,試產(chǎn)產(chǎn)線計(jì)劃在2025年4月啟用、目標(biāo)2027年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。

近期,媒體報(bào)道為了推動(dòng)日本先進(jìn)晶圓廠發(fā)展,多家日本廠商將向Rapidus供應(yīng)產(chǎn)品。其中,日本印刷(DNP)將在2027年于日本上福岡工廠等據(jù)點(diǎn)開(kāi)始量產(chǎn)2納米芯片用光罩,并將供應(yīng)給Rapidus使用。光罩使用于在硅晶圓上形成電路的微影制程,

除DNP外,日廠TOPPAN Holdings也和IBM合作研發(fā)2納米用光罩、目標(biāo)2026年量產(chǎn),供應(yīng)對(duì)象據(jù)悉也為Rapidus。此外,包括東京應(yīng)化工業(yè)(TOK)、JSR、信越化學(xué)等廠商也有望向Rapidus展開(kāi)供貨。

1nm芯片計(jì)劃曝光!

2nm之后,1nm芯片是晶圓廠的下一個(gè)目標(biāo)。按照廠商規(guī)劃,2027年至2030年,業(yè)界有望看到1nm級(jí)別芯片量產(chǎn)。

臺(tái)積電計(jì)劃在2027年達(dá)到A14節(jié)點(diǎn)(1.4nm),并在2030年達(dá)到A10節(jié)點(diǎn)(1nm)。近期媒體報(bào)道,臺(tái)積電擬在中國(guó)臺(tái)灣中部的嘉義縣太保市科學(xué)園區(qū)設(shè)廠,生產(chǎn)1nm芯片。

三星計(jì)劃2027年底前推出1.4nm制程,據(jù)悉,三星SF1.4(1.4 nm)工藝,納米片(nanosheets)的數(shù)量從3個(gè)增加到4個(gè),有望明顯改善性能和功耗。

英特爾代工最新路線圖顯示,Intel 14A(1.4nm級(jí))節(jié)點(diǎn)將于2026年投入生產(chǎn),Intel 10A(1nm級(jí))將于2027年底開(kāi)始開(kāi)發(fā)或生產(chǎn)。

結(jié)語(yǔ)

TrendForce集邦咨詢表示,2023年受供應(yīng)鏈庫(kù)存高企、全球經(jīng)濟(jì)疲弱,以及市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢影響,產(chǎn)業(yè)處于下行周期,前十大營(yíng)收年減約13.6%,達(dá)1115.4億美元。2024年在AI相關(guān)需求的帶動(dòng)下,營(yíng)收預(yù)估有機(jī)會(huì)年增12%,達(dá)1252.4億美元,而臺(tái)積電受惠于訂單穩(wěn)健,年增率將大幅優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均。

AI浪潮帶動(dòng)下,產(chǎn)業(yè)在今年告別下行“陰霾“,恢復(fù)成長(zhǎng),成為重要推動(dòng)力,因而備受重視。展望未來(lái),晶圓代工先進(jìn)制程競(jìng)賽仍將持續(xù),3nm之后,誰(shuí)將主宰2nm、1nm時(shí)代?我們拭目以待。




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