拜登政府恐對(duì)中國(guó)大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國(guó)將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對(duì)最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國(guó)將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。

美國(guó)財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說(shuō)明，且不清楚官員何時(shí)會(huì)宣布新措施。

若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開(kāi)始使用GAA技術(shù)，臺(tái)積電則從2納米制程才會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)，現(xiàn)階段3納米仍采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)。

三星3納米制程已經(jīng)于2022年6月量產(chǎn)，臺(tái)積電3納米雖晚了一些，但良率與效能評(píng)價(jià)比三星好上許多，包括大客戶蘋果包下首批產(chǎn)能，且高通、輝達(dá)與超威也都出手吃下后續(xù)產(chǎn)能。

GAA技術(shù)透過(guò)降低供電電壓級(jí)以及增加驅(qū)動(dòng)電流能力以提升性能，從而突破FinFET的性能限制。簡(jiǎn)言之，GAA技術(shù)讓晶體管得以承載更多電流，同時(shí)保持相對(duì)較小。