降低對(duì)臺(tái)積電的依賴！高通考慮臺(tái)積電三星雙代工模式

6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時(shí)表示，公司正在認(rèn)真評(píng)估臺(tái)積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。

據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場(chǎng)，這顆芯片完全交由臺(tái)積電代工，采用臺(tái)積電N3E節(jié)點(diǎn)，這是臺(tái)積電第二代3nm制程。

因蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺(tái)積電3nm工藝，出于對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。

此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計(jì)劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計(jì)劃。

不過(guò)高通并未放棄雙代工策略，報(bào)道稱高通要求臺(tái)積電和三星提供2nm芯片樣品，以便做進(jìn)一步的評(píng)估，高通希望通過(guò)雙代工策略降低SoC的生產(chǎn)成本，同時(shí)降低對(duì)臺(tái)積電的依賴度。

資料顯示，高通此前曾與三星合作過(guò)一段時(shí)間，當(dāng)時(shí)驍龍888、驍龍8 Gen1等芯片將由三星代工，由于三星5nm制程工藝并不是很成熟，導(dǎo)致高通驍龍888處理器的表現(xiàn)不及預(yù)期，促使高通改投臺(tái)積電的懷抱。

值得注意的是，三星計(jì)劃在2025年量產(chǎn)2nm工藝制程，三星2nm應(yīng)用了GAA FET架構(gòu)，提供了比FinFET更好的靜電特性。

如果三星2nm表現(xiàn)穩(wěn)定且良率達(dá)標(biāo)的話，不排除高通驍龍8系平臺(tái)再次擁抱三星的可能。