臺(tái)積電CoW-SoW 預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者透過(guò)增加芯片尺寸提高處理能力，考驗(yàn)芯片制造實(shí)力。英偉達(dá)達(dá)AI芯片Blackwell，被CEO黃仁勛譽(yù)為「非常非常大的GPU」，而確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的GPU，由兩顆Blackwell芯片拼接而成，并采用臺(tái)積電4納米制程，擁有2,080億個(gè)晶體管，然而難免遇到封裝方式過(guò)于復(fù)雜之問(wèn)題。

CoWoS-L封裝技術(shù)，使用LSI（本地硅互連）橋接RDL（硅中介層）連接晶粒，傳輸速度可達(dá)10／TBs左右；不過(guò)封裝步驟由于橋接放置精度要求極高，稍有缺陷都可能導(dǎo)致價(jià)值4萬(wàn)美元的芯片報(bào)廢，從而影響良率及獲利。

相關(guān)人士透露，由于GPU晶粒、LSI橋接、RDL中介層和主基板之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）相異，導(dǎo)致芯片翹曲、系統(tǒng)故障。為提升良率，輝達(dá)重新設(shè)計(jì)GPU芯片頂部金屬層和凸點(diǎn)。不只是AI芯片RTO（重新流片）修改設(shè)計(jì)，據(jù)供應(yīng)鏈透露，準(zhǔn)備發(fā)布之50系列的顯卡也需要RTO，上市時(shí)間較原本遞延。

芯片設(shè)計(jì)問(wèn)題將不會(huì)只是英偉達(dá)所獨(dú)有。供應(yīng)鏈透露，這類問(wèn)題只會(huì)越來(lái)越多，不過(guò)為了消除缺陷或?yàn)樘岣吡悸识兏酒O(shè)計(jì)于業(yè)內(nèi)相當(dāng)常見(jiàn)。AMD執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐曾透露，隨著芯片尺寸不斷擴(kuò)大，制造復(fù)雜度將不可避免地增加。次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能滿足AI數(shù)據(jù)中心對(duì)算力的巨大需求。

以開(kāi)發(fā)全球最大AI芯片的Cerebras指出，多芯片組合技術(shù)難度將呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)，強(qiáng)調(diào)「一整片晶圓就是一個(gè)處理器」，Cerebras的Wafer-Scale Engine（WSE）系列即采用AI領(lǐng)域知名的「晶圓級(jí)處理器」。依照臺(tái)積電一直在發(fā)展晶圓級(jí)系統(tǒng)整合技術(shù) InFO-SoW（System-on-Wafer），Dojo超級(jí)計(jì)算機(jī)訓(xùn)練區(qū)塊（Training Tile）就是基于臺(tái)積電InFO-SoW并已量產(chǎn)的首款解決方案。

因應(yīng)大芯片趨勢(shì)、及AI負(fù)載需要更多HBM，臺(tái)積電計(jì)劃結(jié)合InFO-SoW和SoIC為CoW-SoW，將內(nèi)存或邏輯芯片堆棧于晶圓上，并預(yù)計(jì)在2027年量產(chǎn)。可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，將看到更多在整片晶圓上迭迭樂(lè)的巨無(wú)霸AI芯片出現(xiàn)。