英偉達(dá) RTX 50 系列顯卡被曝推遲，需重新流片以提升良率

IT之家 9 月 3 日消息，中國(guó)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》今天報(bào)道稱，臺(tái)積電 CoW-SoW 預(yù)計(jì) 2027 年量產(chǎn)。為提升良率，英偉達(dá)需要重新設(shè)計(jì) GPU 頂部金屬層和凸點(diǎn)。

不只是 AI 芯片需要 RTO（重新流片）修改設(shè)計(jì)，@手機(jī)晶片達(dá)人 表示英偉達(dá)正準(zhǔn)備發(fā)布的 RTX 50 系列消費(fèi)級(jí)顯卡 GPU 也需要 RTO，故上市時(shí)間有所推遲。

英偉達(dá) Blackwell 被黃仁勛稱為「非常非常大的 GPU」，當(dāng)然它確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的 GPU，由兩顆 Blackwell 芯片拼接而成，采用臺(tái)積電 4nm 制程，擁有 2080 億個(gè)晶體管。也正因此，這類芯片難免會(huì)遇到封裝方式過(guò)于復(fù)雜的問(wèn)題。

臺(tái)積電的 CoWoS-L 封裝技術(shù)需使用 LSI（本地互連）橋接 RDL（硅中介層）連接芯粒，傳輸速度可達(dá) 10TB/s 左右，不過(guò)由于封裝步驟中橋接精度要求極高，稍有缺陷便有可能導(dǎo)致這顆價(jià)值 4 萬(wàn)美元（IT之家備注：當(dāng)前約 28.4 萬(wàn)元人民幣）的芯片報(bào)廢，從而影響良率及成本。

法人透露，由于 GPU 芯粒、LSI 橋接、RDL 中介層和主基板之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）相異，導(dǎo)致芯片翹曲、系統(tǒng)故障，故英偉達(dá)需重新設(shè)計(jì) GPU 頂部金屬層和凸點(diǎn)，以提高封裝良率。

當(dāng)然，這類問(wèn)題不只是英偉達(dá)存在，只是英偉達(dá)出貨量較高，所以更敏感。供應(yīng)鏈透露，這類問(wèn)題只會(huì)越來(lái)越多，而這種為了消除缺陷或?yàn)樘岣吡悸识兏酒O(shè)計(jì)的方式在業(yè)內(nèi)相當(dāng)常見(jiàn)。AMD CEO 蘇姿豐也曾透露，隨著芯片尺寸不斷擴(kuò)大，制造復(fù)雜度將不可避免地增加，次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對(duì)算力的巨大需求。

為應(yīng)對(duì)此類大芯片趨勢(shì)、及 AI 負(fù)載需要更多 HBM，臺(tái)積電計(jì)劃結(jié)合 InFO-SoW 和 SoIC 為 CoW-SoW，將存儲(chǔ)芯片或邏輯芯片堆疊于晶圓上，并預(yù)計(jì)于 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。