三星將在平澤P2廠建設(shè)10nm第七代DRAM試驗(yàn)線

三星電子將在平澤二廠（P2）建設(shè)一條10nm第七代DRAM（1d DRAM）試驗(yàn)線，以加強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)地位并提高新一代產(chǎn)品的良率。

據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃于2024年第四季度開始建設(shè)1d DRAM試驗(yàn)線，預(yù)計(jì)于2025年第一季度完工。雖然這條1d DRAM生產(chǎn)線具體生產(chǎn)規(guī)模的細(xì)節(jié)尚不清楚，但業(yè)內(nèi)估計(jì)，試驗(yàn)線的月產(chǎn)能通常約為10000片晶圓。

三星計(jì)劃于2025年開始量產(chǎn)1c DRAM，隨后于2026年開始量產(chǎn)1d DRAM。該公司在為1c DRAM量產(chǎn)做準(zhǔn)備的同時(shí)建立這條試驗(yàn)線的決定反映出其積極的發(fā)展戰(zhàn)略。

業(yè)內(nèi)人士稱，新任三星設(shè)備解決方案（DS）負(fù)責(zé)人全英鉉（Young-Hyun Jun）的技術(shù)背景使他能夠直接管理三星的存儲(chǔ)技術(shù)，從DRAM等核心業(yè)務(wù)開始，在DS部門內(nèi)實(shí)施重大改革。與此同時(shí)，三星也在加大對(duì)NAND閃存技術(shù)的投資。

最近，三星平澤第一工廠（P1）建立了業(yè)界第一條堆疊400層3D NAND（V10）的測(cè)試線，而P4的NAND工廠則引進(jìn)了堆疊286層（V9）的設(shè)備。

通過對(duì)DRAM和NAND技術(shù)的戰(zhàn)略投資，三星旨在保持其在全球存儲(chǔ)市場(chǎng)上相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。加速開發(fā)測(cè)試線和推進(jìn)下一代產(chǎn)品的量產(chǎn)，凸顯了三星決心在激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境中鞏固其領(lǐng)先地位。