稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利
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據(jù)韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202502/467268.htm據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。
據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責(zé)數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。
在創(chuàng)業(yè)初期，長江存儲通過與美國科技公司Xperi簽署許可協(xié)議獲得了混合鍵合技術(shù)的原始專利。隨后，長江存儲還在NAND封裝技術(shù)方面建立了相當(dāng)多的自主專利，在相關(guān)技術(shù)上擁有強大的專利積累。
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