英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產(chǎn)

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機型更可靠。

英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機一季內生產(chǎn) 3 萬片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運算芯片的大型硅片。

英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。

英特爾花了七年才將之前機器全面投產(chǎn)，導致領先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產(chǎn)初期，英特爾曾因EUV機型可靠性問題遇到挫折。 不過 Carson 表示，ASML High NA EUV 設備初步測試可靠性約前代機器兩倍，「我們能以一致速度輸出晶圓，這對平臺是一大幫助」。

ASML 新設備用光束在芯片印制電路圖案，同時能以更少曝光次數(shù)完成與早期設備相同工作量，節(jié)省時間和成本。 Carson指出，英特爾工廠早期結果顯示，High NA EUV 機器只需一次曝光和「個位數(shù)」處理步驟，即可完成早期機器需三次曝光和約 40 個步驟的工作。

英特爾表示，計劃使用High NA EUV設備來協(xié)助開發(fā)其所謂的18A制程，該技術預計今年稍晚時跟著新PC芯片量產(chǎn); 此外，也計劃下代14A制程全面導入新設備，但尚未公布量產(chǎn)時間。