藍(lán)牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

藍(lán)牙4.0超越過(guò)往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展

　　微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍(lán)牙4.0，谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術(shù)。這意味著藍(lán)牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為代表的三大操作系統(tǒng)的支持。鑒于Android高達(dá)70%的市場(chǎng)份額，它的原生支持將使得藍(lán)牙4.0迎來(lái)更大的市場(chǎng)空間。“藍(lán)牙產(chǎn)品總出貨量已經(jīng)超過(guò)90億，而每年均有近20億藍(lán)牙設(shè)備進(jìn)入市場(chǎng)。今年預(yù)計(jì)25億的出貨量?！盉luetooth SIG開發(fā)者計(jì)劃總監(jiān)何根飛表示。

　　基于藍(lán)牙4.0 技術(shù)的藍(lán)牙智能應(yīng)用配件的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)將非?？捎^。數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2013年搭載藍(lán)牙4.0的配件總出貨量將達(dá)2.2億部，2014年達(dá)5億部，2018年則超過(guò)11億部。2013-2014年將是藍(lán)牙4.0增速最快的階段。

　　FinFET點(diǎn)燃晶圓代工廠戰(zhàn)火 主流廠商加速導(dǎo)入

　　目前英特爾（Intel）是唯一完成FinFET制程技術(shù)實(shí)作的制造商。該公司自2012年初即采用自有的第一代22奈米FinFET技術(shù)，生產(chǎn)IvyBridge CPU。未來(lái)幾年內(nèi)，愈來(lái)愈多頂尖IC設(shè)計(jì)業(yè)者將擴(kuò)大投資并導(dǎo)入FinFET技術(shù)，以制造更先進(jìn)的智慧型手機(jī)和平板應(yīng)用處理器。為因應(yīng)客戶需求，臺(tái)積電、格羅方德（GLOBALFOUNDRIES） 與三星（Samsung）等主要晶圓代工廠已積極排定FinFET量產(chǎn)時(shí)程，最快可望于2013年第三季開始試產(chǎn)FinFET制程，準(zhǔn)備好投入量產(chǎn)則將在 2014年第三季以后。屆時(shí)，IC設(shè)計(jì)業(yè)者與晶圓代工廠合作下，將推出以FinFET技術(shù)為基礎(chǔ)的應(yīng)用處理器，與IDM業(yè)者共同角逐市場(chǎng)商機(jī)。

　　第三代半導(dǎo)體材料成本大幅降低 功率應(yīng)用潛力巨大

　　未來(lái)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)主要具備以下幾方面特征：半導(dǎo)體照明將側(cè)重于降低成本和向更廣闊的市場(chǎng)拓展；由國(guó)防推動(dòng)的射頻領(lǐng)域應(yīng)用需要更高的功率密度以實(shí)現(xiàn)降低成本；功率應(yīng)用有著最大的增長(zhǎng)潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發(fā)仍需攻關(guān)。

　　日本在過(guò)去的兩年中發(fā)展方向有所轉(zhuǎn)變，很多公司轉(zhuǎn)向成為專門生產(chǎn)GaN的企業(yè)。發(fā)生轉(zhuǎn)變的原因主要包括：600V-1200V功率器件已成為規(guī)模最大的市場(chǎng)，而GaN在這一區(qū)間內(nèi)有著十分優(yōu)異的表現(xiàn)；在SiC基底上生長(zhǎng)GaN技術(shù)的進(jìn)步使得GaN功率器件的成本大幅度降低；企業(yè)只需通過(guò)對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行調(diào)整便可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)的轉(zhuǎn)型和升級(jí)。

　　導(dǎo)入TSV制程技術(shù) 模擬芯片邁向3D堆疊架構(gòu)

　　類比積體電路設(shè)計(jì)將進(jìn)入三維晶片（3D IC）時(shí)代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線，期透過(guò)矽穿孔（TSV）與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件，以提升包括電源晶片、感測(cè)器與無(wú)線射頻（RF）等各種類比方案效能。奧地利微電子執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示，導(dǎo)致印刷電路板（PCB）空間愈來(lái)愈不夠用，且系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度也與日俱增，因此類比晶片制程技術(shù)勢(shì)必須有全新的突破，才能克服此一技術(shù)挑戰(zhàn)。目前類比晶片在3D IC領(lǐng)域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術(shù)研發(fā)，讓此一技術(shù)愈來(lái)愈成熟，將引領(lǐng)類比晶片邁向新的技術(shù)里程碑。

　　新能源應(yīng)用加持IGBT市場(chǎng)商機(jī)無(wú)限

　　在2011-2012年IGBT市場(chǎng)少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步，具體而言，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。

　　IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車（ EV/HEV），再生能源（ Renewable Energies），電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（ Motor Drive），不間斷電動(dòng)力系統(tǒng) （UPS）及交通上的應(yīng)用是市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)源。如今，對(duì)高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認(rèn)為IGBT市場(chǎng)絕沒有進(jìn)入彌留之際或是衰退期，IGBT市場(chǎng)的商機(jī)無(wú)限。

　　中國(guó)或再調(diào)關(guān)稅 加大面板業(yè)扶持力度