3D集成電路如何實現(xiàn)
TSV也可以在CMOS器件制造完成之后制作。在鍵合工藝之前完成,或者在鍵合工藝之后完成。由于CMOS器件已經(jīng)制作完成,因此在通孔形成時晶圓不需要再經(jīng)受高溫處理,所以可以使用銅導(dǎo)電材料。很明顯,制作這些通孔的空白區(qū)域需要在設(shè)計芯片時就予以考慮。
如果可以選擇,無論是FEOL還是BEOL方案,只要是在晶圓代工廠制作TSV,都是相對簡單的選擇。BEOL互連層是一個擁有不同介質(zhì)和金屬層的復(fù)雜混合體??涛g穿透這些層很困難,而且是由不同產(chǎn)品具體決定的。在完整的IC制造之后通過刻蝕穿透BEOL層來制作TSV會阻礙布線通道,增加布線復(fù)雜性并增加芯片尺寸,可能會需要一個額外的布線層。既然諸如TSMC(中國臺灣省臺北)和特許(新加坡)等晶圓廠已宣稱他們有意向量產(chǎn)化TSV制造,那么在IC制造工藝中制作通孔將成為一個更切實可行的選擇。
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