硅頻率控制器(SFC)技術(shù)（二）
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圖4 負(fù)載電容變化與頻率的關(guān)系
由公式(1)可得頻率變化為：
(FCL1-FCL2)/FCL1=C1/2 * [1/(C0+CL1)-1/(C0+CL2)] * 10E6 (3)
從公式(2)和公式(3)中可知C11和C12的精度將影響頻率的精度。具體數(shù)據(jù)如表1所示。其中參數(shù)的取值如前文：C1=20fF，C0=5pF，CS1=CS2=8pF，C11=C12=18pF。
表1
在很多應(yīng)用場合，電容精度取5%，從上表可看出它對頻率精度的影響可達(dá)到28PPM。這在設(shè)計(jì)中容易被忽略的。
其他因素：如回流焊接的影響，濕度的影響，大氣壓的影響等。這些因素影響不大，不再這里詳述。
晶體振蕩總的頻率精度就是上述五個(gè)方面之和。
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