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減小SoC系統(tǒng)測試功耗的方法

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作者:空軍工程大學 吳剛 王立志 時間:2007-01-26 來源:《世界電子元器件》 收藏

引言

隨著現(xiàn)代半導體技術的發(fā)展,將整個系統(tǒng)集成在一個芯片上成為可能,即通常所說的片上系統(tǒng)集成soc(system-on-chip)。由于soc的結構特點,dft成為soc設計中的一項關鍵技術。由于任何一種測試方法的基本原理都是敏化和傳遞故障,因此不可避免地使電路內部節(jié)點的翻轉情況變得更加密集,同時邏輯設計所采用的低功耗設計在測試模式下通常無法起作用,從而在測試模式下必然會產(chǎn)生出比正常工作狀態(tài)大得多的功率消耗。測試功耗問題將會極大影響產(chǎn)品成品率。因此降低測試功耗是所有測試方法在處理高性能電路系統(tǒng)時必須考慮的問題。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/20600.htm


功耗分析

功耗問題是目前 cmos數(shù)字集成電路設計中至關重要的因素。cmos 數(shù)字電路的功耗一般可以表示為:

p=pd+psc+pi (1)

pd為動態(tài)功耗,它表示當電路中的節(jié)點電壓發(fā)生0→1 或者 1→0 跳變時,節(jié)點電容進行充放電時所消耗的能量。

動態(tài)功耗可以表示為:

其中vdd為電源電壓;ci為節(jié)點i的負載電容;ai為節(jié)點i 在單個工作時鐘周期內發(fā)生翻轉的次數(shù);n為電路中節(jié)點的數(shù)目。

psc為瞬態(tài)功耗,是節(jié)點跳變時,驅動管與負載管瞬間同時導通而產(chǎn)生的功耗。pi為漏電流造成的靜態(tài)功耗。

在cmos 數(shù)字電路中,動態(tài)功耗是最主要的功耗。典型系統(tǒng)中動態(tài)功耗將占到總功耗的 90%~95%。因此在以下的分析中將忽略靜態(tài)功耗和瞬態(tài)功耗。


降低功耗的方法和途徑

由公式 (2) 可以看到,系統(tǒng)功耗主要取決于系統(tǒng)電源電壓、負載電容及節(jié)點電平的翻轉概率。因此低功耗設計主要從以上三個方面著手。值得注意的是,低功耗設計是一個整體,單單考慮一方面是不夠的。

改變電源電壓

功耗與電源電壓的平方成正比,因此降低電源電壓是降低功耗的有力措施。不需要改變電路的結構降低電源電壓就可以取得減少功率的顯著效果,而且降低電壓是針對整個芯片,而不是針對某個單元,因此降低電源電壓比減少負載電容和降低節(jié)點的翻轉概率更易見效,但降低電壓并不是無限制的,降低電壓必須考慮電路的速度。
電壓降低時,延時增加,導致電路性能下降,由于cmos器件電流 idd∝(vdd vt )2,可得電路延時:

其中vt為閾值電壓。

當vdd>>vt時降低電壓導致延時呈線性增加,此時可以用改變電路結構等措施來彌補低電壓帶來的延時的增加,但當電壓進一步降低到接近閾值電壓時,漏電流急劇增加。為了避免這種情況發(fā)生,電壓最多只能降低到2vt左右。

改變負載電容

動態(tài)功耗與負載電容成正比。因此減少負載電容成為降低動態(tài)功耗的另一種途徑。在cmos 數(shù)字電路中電容主要由兩部分組成,一部分是器件柵極電容和節(jié)點電容,它們和器件工藝有關。另一部分是連線電容。值得注意的是,隨著工藝的發(fā)展,布線電容已經(jīng)超過器件電容。為了減少電容,在工藝方面可以選擇小的器件,物理設計時減少連線長度。

改變節(jié)點電平的翻轉概率

基于掃描的可測性技術原理

所謂基于掃描的可測性技術,其核心是在電路中使用掃描寄存器(sr)來提高電路的可觀測性和可控性。掃描寄存器是一種同時具有移位和并行載入功能的寄存器。寄存器的存儲單元可用作觀測點或控制點。在控制信號和時鐘信號的作用下,掃描寄存器可以實行掃入(scan-in)和掃出(scan-out)操作。測試過程包括測試矢量的串行掃入、計算、采樣和測試結果的串行掃出。而在一般工作模式下,掃描寄存器的移位功能將被禁止,系統(tǒng)恢復正常的工作方式。

測試功耗分析

對于全掃描結構,在測試模式下,由掃描寄存器組成的移位寄存器鏈需要進行串行的掃入和掃出操作。移位所采用的測試矢量可以看作是一組接近隨機數(shù)的二進制序列。對于一個存在 n 個寄存器的系統(tǒng),其測試功耗可通過公式 (4)進行估算。

pclk為時鐘樹的功耗,由時鐘頻率以及時鐘樹的構成決定;psr為掃描鏈的功耗,其中aij為第i 個掃描寄存器在第 j 個時鐘周期的翻轉概率,psri為單個掃描寄存器單次翻轉的功耗,由時鐘頻率和庫的參數(shù)具體決定,因此可以看出,aij將最終決定掃描寄存器鏈的功耗,進而決定掃描鏈的功耗;pc為組合電路功耗,其中pcj為第 j 個時鐘周期組合電路的功耗,此部分功耗與組合電路結構、掃描鏈的配置、組合電路輸入端信號、掃描寄存器的翻轉情況以及時鐘頻率有關。整個測試過程中的第 n 個時鐘周期為電路運算周期,由于這部分功耗相對整個測試功耗所占比重較小,并且僅與實際電路結構有關,因此沒有包含在公式 (4)的計算中。

從公式 (4)可以看出,在測試頻率不改變的情況下,掃描寄存器翻轉概率就成為影響測試功率的決定性參數(shù)。假設測試矢量單位長度內存跳變(0→1或1→0)的概率為cin,計算結果單位長度內存跳變的概率為cout。同時定義掃描寄存器的位通過率rbp為完成一個測試矢量的掃入或掃出的操作過程中,通過某寄存器的數(shù)據(jù)位數(shù)。則可以得到:

當所有寄存器單次翻轉的功率相同時,由公式(5)可得:

對于測試矢量這種類隨機數(shù)序列,其中的平均跳變概率接近常數(shù),因此位通過率將直接反映測試系統(tǒng)的功耗,包括寄存器功耗和組合電路功耗。

低測試功耗的掃描結構

掃描結構的基本原理是通過最少的輸入端口將所希望的值寫入相應的寄存器內,或者通過最少的輸出端口將所有寄存器內的值讀出。

對于目前通用的掃描結構,掃入一條測試矢量時,測試矢量的每一位都會通過掃描鏈的鏈頭(掃描鏈的第一個寄存器),即鏈頭的位通過率為n,其后的寄存器的位通過率依次遞減,總的位通過率

其結果是寄存器多了很多冗余翻轉,導致測試的功率成倍增加。針對這種情況,在以上分析基礎上,提出一種綜合考慮各種可測性因素的位通過率優(yōu)化結構——掃描陣列。該結構通過合理的結構調整,有效地降低了系統(tǒng)總體的位通過率,并可以降低內部掃描鏈的工作頻率,從而實現(xiàn)了對測試功耗的全面優(yōu)化。 圖1 掃描陣列結構框架示意圖

掃描陣列結構框架示意圖如圖1所示。圖中矩形方框為掃描寄存器,正方形框為鎖存器。虛線框中是一個l h的二維掃描寄存器矩陣(本圖為掃描陣列結構的簡化圖,掃描寄存器的端口未標出)。這個結構的特點在于把在原始電路中采用一維掃描鏈需要組成長度為 n 的掃描鏈改善為采用了 l h 的二維矩陣來構造掃描陣列的 h 個分支掃描鏈,其中 l h=n,且 h<

掃描陣列結構在執(zhí)行掃入操作時,首先在clk控制下將h位測試矢量串行掃入主干掃描鏈。完成后,在clkh控制下將此h位測試矢量并行掃入分支掃描鏈,同時主干掃描鏈開始掃入接下來的h位測試矢量,直至完成n位測試矢量的掃入。clk與clkh的時序關系如圖2所示。

對于掃描陣列結構,通過分析,我們可得此結構所有的寄存器的位通過率為:
公式


根據(jù)前面的分析可知,在測試矢量確定的情況下,位通過率將決定系統(tǒng)的測試功耗。對比公式(7)與公式(8),當h<



關鍵詞: SoC ASIC

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