半導體照明光源技術問題大討論(一)
一、實現(xiàn)高顯色性
白光LED的光色質量內容很多,包括色溫、顯色性、光色保真度、光色自然度、色調識別度、視覺舒適度等[3]。美國SSL計劃提出,LED照明產品的光譜 分布要達到類似太陽光的光譜分布。要達到上述這些要求是很難的,要做很多基礎研究工作,將來一定會實現(xiàn)。這里只討論目前急需解決的色溫和顯色性問題。美國 能源之星標準規(guī)定,室內照明的顯色指數(shù)CRI≥80,但在一些高端的應用場合要求CRI≥90。制作高顯色性LED光源,會損失較多的光效,所以在設計時 要照顧這兩方面因素。
在此有必要說明一下有關顯色指數(shù)CRI的評價問題[4],CIE(TC1-62)技術報告177的結論:“CIE的CRI不適合用于表示白光LED光源的 顯色范圍”?,F(xiàn)在有很多種針對CRI定標提出的修正辦法,如CQS色品質度、GAI全色域指數(shù)、RF夫勒特利指數(shù)、CPI顏色偏愛指數(shù)、CDI色分辨指數(shù) 等,目前CIE要采用哪一種修正尚未定論。美國NIST(國家標準研究院)提出采用CQS來評價光源顏色的質量,將測試樣品擴大到15種,包含部分高色飽 和度的樣品,這樣就好得多,很多人給予認同。要提高顯色性,原則上要考慮RGB三基色組合來實現(xiàn),目前有三種辦法。
(1)多基色熒光粉
LED光源采用LED藍光芯片加鋁酸鹽黃粉和氮化物紅粉、綠粉組合成LED白光,其顯色指數(shù)CRI可達80~90。據有關報道,如采用RGBY熒光粉有效組合,其CRI可達98。
(2)RGB多芯片組合
采用RGB多芯片有效組合的LED白光,顯色指數(shù)CRI也可達80~90,可能由于驅動方式和成本等因素,目前較少應用。
(3)熒光粉加芯片
LED光源采用藍光芯片加鋁酸鹽黃粉加紅色芯片,有效組合LED白光,其顯色指數(shù)可達80以上,光效較高,成本尚可,是目前普遍采用的組合方式。
二、如何實現(xiàn)高光效
半導體照明的光效,或者說能效,是節(jié)能效果的重要指標。目前LED器件光效產業(yè)化水平可達120~140lm/W,作成照明燈具總的能效可大于100lm /W。這還是不高,節(jié)能效果不明顯,離半導體器件光效理論值250lm/W還有很大距離。真正要做到高光效,要從產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)上解決相關的技術問題,主 要是提高內量子效率、外量子效率、封裝出光效率和燈具效率,本文將針對外延、芯片,封裝,燈具等幾個環(huán)節(jié)要解決的技術問題探討。
1.提高內量子效率和外量子效率
主要采取以下幾點措施來提高內量子效率和外量子效率。
(1)襯底表面粗化及非極性襯底
采用納米級圖型襯底、“取向型”圖型襯底或非極性、半極性襯底生長GaN,減少位錯和缺陷密度及極性場影響,提高內量子效率[1]。
(2)廣義同質襯底
采用HVPE(氫化物液相外延)在Al2O3藍寶石襯底上生長GaN,作為混合同質襯底GaN/Al2O3,在此基礎上外延生長GaN,可極大地降低位錯密度達106~107cm-2,并較大地提高內量子效率。日亞、Cree及我國北大均在研發(fā)之中[2]。
(3)改進量子阱結構
控制In組分的變化方式和變化量、優(yōu)化量子阱結構提高電子和空穴交疊幾率,增加幅射復合幾率以及調節(jié)非平衡載流子的輸運等,提高內量子效率。
(4)采用新結構的芯片
采用新結構要求芯片六面出光,在芯片界面上采用新技術進行多種表面粗化方式,減少光子在芯片界面上反射幾率,并增加表面透光率,以提高芯片的外量子效率。
2.提高封裝出光效率及降低結溫
(1)熒光粉效率及涂覆工藝
熒光粉的光激發(fā)效率目前還不高,黃粉可達70%左右,紅粉和綠粉的效率較低,有待進一步提高。另外,熒光粉的涂覆工藝非常重要,有報道稱在芯片表面均勻涂復60微米厚度的熒光粉,激發(fā)效率較高。
(2)COB封裝
當前半導體照明的光源采用各種形式COB封裝,提高COB封裝的出光效率是當務之急,有報道稱,采用第二代(有的稱第三代)COB矩陣式結構封裝,其光效可達120lm/W以上。如果采用倒裝芯片和六面發(fā)光體進行全反射的結構,光效可達160lm/W以上。
(3)降低結溫
據有關報道,結溫為25℃時的發(fā)光量設為100%,當結溫上升至60℃時其發(fā)光量只有90%,當上升至140℃時只有70%,所以在封裝時要加大散熱措施,保持較低結溫,維持較高的發(fā)光效率。
3.提高燈具的取光效率
不同LED燈具的效率相差很大,一般LED燈具效率大于80%,有一部分可大于90%。要根據LED光源的特點以及不同的應用場合,對燈具進行精細的二次光學設計,也要考慮燈具散熱和眩光問題,提高LED燈具的取光效率。
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