半導(dǎo)體照明光源技術(shù)問題大討論(一)

　　一、實現(xiàn)高顯色性

　　白光LED的光色質(zhì)量內(nèi)容很多，包括色溫、顯色性、光色保真度、光色自然度、色調(diào)識別度、視覺舒適度等[3]。美國SSL計劃提出，LED照明產(chǎn)品的光譜 分布要達到類似太陽光的光譜分布。要達到上述這些要求是很難的，要做很多基礎(chǔ)研究工作，將來一定會實現(xiàn)。這里只討論目前急需解決的色溫和顯色性問題。美國 能源之星標準規(guī)定，室內(nèi)照明的顯色指數(shù)CRI≥80，但在一些高端的應(yīng)用場合要求CRI≥90。制作高顯色性LED光源，會損失較多的光效，所以在設(shè)計時 要照顧這兩方面因素。

　　在此有必要說明一下有關(guān)顯色指數(shù)CRI的評價問題[4]，CIE(TC1-62)技術(shù)報告177的結(jié)論：“CIE的CRI不適合用于表示白光LED光源的 顯色范圍”。現(xiàn)在有很多種針對CRI定標提出的修正辦法，如CQS色品質(zhì)度、GAI全色域指數(shù)、RF夫勒特利指數(shù)、CPI顏色偏愛指數(shù)、CDI色分辨指數(shù) 等，目前CIE要采用哪一種修正尚未定論。美國NIST(國家標準研究院)提出采用CQS來評價光源顏色的質(zhì)量，將測試樣品擴大到15種，包含部分高色飽 和度的樣品，這樣就好得多，很多人給予認同。要提高顯色性，原則上要考慮RGB三基色組合來實現(xiàn)，目前有三種辦法。

　　(1)多基色熒光粉

　　LED光源采用LED藍光芯片加鋁酸鹽黃粉和氮化物紅粉、綠粉組合成LED白光，其顯色指數(shù)CRI可達80～90。據(jù)有關(guān)報道，如采用RGBY熒光粉有效組合，其CRI可達98。

　　(2)RGB多芯片組合

　　采用RGB多芯片有效組合的LED白光，顯色指數(shù)CRI也可達80～90，可能由于驅(qū)動方式和成本等因素，目前較少應(yīng)用。

(3)熒光粉加芯片

　　LED光源采用藍光芯片加鋁酸鹽黃粉加紅色芯片，有效組合LED白光，其顯色指數(shù)可達80以上，光效較高，成本尚可，是目前普遍采用的組合方式。

　　二、如何實現(xiàn)高光效

　　半導(dǎo)體照明的光效，或者說能效，是節(jié)能效果的重要指標。目前LED器件光效產(chǎn)業(yè)化水平可達120～140lm/W，作成照明燈具總的能效可大于100lm /W。這還是不高，節(jié)能效果不明顯，離半導(dǎo)體器件光效理論值250lm/W還有很大距離。真正要做到高光效，要從產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)上解決相關(guān)的技術(shù)問題，主 要是提高內(nèi)量子效率、外量子效率、封裝出光效率和燈具效率，本文將針對外延、芯片，封裝，燈具等幾個環(huán)節(jié)要解決的技術(shù)問題探討。

　　1.提高內(nèi)量子效率和外量子效率

　　主要采取以下幾點措施來提高內(nèi)量子效率和外量子效率。

　　(1)襯底表面粗化及非極性襯底

　　采用納米級圖型襯底、“取向型”圖型襯底或非極性、半極性襯底生長GaN，減少位錯和缺陷密度及極性場影響，提高內(nèi)量子效率[1]。

　　(2)廣義同質(zhì)襯底

　　采用HVPE(氫化物液相外延)在Al2O3藍寶石襯底上生長GaN，作為混合同質(zhì)襯底GaN/Al2O3，在此基礎(chǔ)上外延生長GaN，可極大地降低位錯密度達106～107cm-2，并較大地提高內(nèi)量子效率。日亞、Cree及我國北大均在研發(fā)之中[2]。

　　(3)改進量子阱結(jié)構(gòu)

　　控制In組分的變化方式和變化量、優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)提高電子和空穴交疊幾率，增加幅射復(fù)合幾率以及調(diào)節(jié)非平衡載流子的輸運等，提高內(nèi)量子效率。

　　(4)采用新結(jié)構(gòu)的芯片

　　采用新結(jié)構(gòu)要求芯片六面出光，在芯片界面上采用新技術(shù)進行多種表面粗化方式，減少光子在芯片界面上反射幾率，并增加表面透光率，以提高芯片的外量子效率。

　　2.提高封裝出光效率及降低結(jié)溫

　　(1)熒光粉效率及涂覆工藝

　　熒光粉的光激發(fā)效率目前還不高，黃粉可達70%左右，紅粉和綠粉的效率較低，有待進一步提高。另外，熒光粉的涂覆工藝非常重要，有報道稱在芯片表面均勻涂復(fù)60微米厚度的熒光粉，激發(fā)效率較高。

　　(2)COB封裝

　　當前半導(dǎo)體照明的光源采用各種形式COB封裝，提高COB封裝的出光效率是當務(wù)之急，有報道稱，采用第二代(有的稱第三代)COB矩陣式結(jié)構(gòu)封裝，其光效可達120lm/W以上。如果采用倒裝芯片和六面發(fā)光體進行全反射的結(jié)構(gòu)，光效可達160lm/W以上。

　　(3)降低結(jié)溫

　　據(jù)有關(guān)報道，結(jié)溫為25℃時的發(fā)光量設(shè)為100%，當結(jié)溫上升至60℃時其發(fā)光量只有90%，當上升至140℃時只有70%，所以在封裝時要加大散熱措施，保持較低結(jié)溫，維持較高的發(fā)光效率。

　　3.提高燈具的取光效率

　　不同LED燈具的效率相差很大，一般LED燈具效率大于80%，有一部分可大于90%。要根據(jù)LED光源的特點以及不同的應(yīng)用場合，對燈具進行精細的二次光學設(shè)計，也要考慮燈具散熱和眩光問題，提高LED燈具的取光效率。