TNY256原理及性能分析

1 TNY256的性能特點(diǎn)

　　·內(nèi)置自動(dòng)重啟電路，不需外接元件，一旦發(fā)生輸出短路或控制環(huán)開路故障，可將占空比降低以保護(hù)芯片。

　　·在輸入直流高壓電路中，不需要使用瞬態(tài)電壓抑制器構(gòu)成的鉗位保護(hù)電路，僅用簡單的RC吸收回路即可衰減視頻噪聲。

　　·輸入欠壓檢測電路僅需外接1只電阻，目的是在上電時(shí)將片內(nèi)的功率MOSFET關(guān)斷，直到直流輸入電壓VI達(dá)到欠壓保護(hù)門限電壓(100V)為止;正常工作后若VI突然降低，對(duì)芯片也能起到保護(hù)作用。

　　·開關(guān)頻率抖動(dòng)可降低電磁輻射。

　　·輸入電壓范圍寬(85～265VAC或120～375VDC)且交、直流兩用。效率高，265VAC輸入時(shí)的空載功耗低于100mW。

　　·控制方式簡單。采用開/關(guān)控制器來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的PWM脈寬調(diào)制器對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，開關(guān)控制器可等效為脈沖頻率調(diào)制器(PFM)，其調(diào)節(jié)速度更快，對(duì)紋波的抑制能力也更強(qiáng)。

　　·外圍電路簡單，可選用低成本的外圍元件。無論在啟動(dòng)時(shí)還是正常工作時(shí)，芯片所消耗的能量均由漏極電源提供，無需再加反饋繞組及相關(guān)電路，也不用回路補(bǔ)償。

　　·利用使能端可從部關(guān)斷功率MOSFET，采用跳過時(shí)鐘周期的方式來調(diào)節(jié)負(fù)載電壓，并且在快速上電時(shí)輸出電壓無過沖現(xiàn)象，掉電時(shí)，功率MOSFET也不會(huì)出現(xiàn)頻率倍增現(xiàn)象。

　　·高效、小功率輸出，適合構(gòu)成0～16W的小功率、低成本開關(guān)電源。

　　2 TNY256的封裝及引腳功能

　　TNY256的三種封裝形式如圖1所示。該器件實(shí)際上只有4個(gè)有效引腳，D、S分別為功率MOSFET的漏極和源極;同時(shí)S也是控制電路的公共端。BP(BYPASS)為旁路端，該端與地(S極)間需接一只0.1μF的旁路電容器，通過漏極和內(nèi)部電路產(chǎn)生5.8V的電源電壓給該芯片供電。EN/UV為使能/欠壓端，正常工作時(shí)由此端控制內(nèi)部功率MOS管的通斷，當(dāng)IEN≥50μA時(shí)，MOSFET關(guān)斷，該端還可用于輸入欠壓檢測，具體方法是將EN/UV端經(jīng)一只2MΩ的電阻器接VI。

　　3 TNY256的工作原理

　　TNY256內(nèi)含一個(gè)700V功率MOSFET開關(guān)管和一個(gè)電源控制器，與傳統(tǒng)的PWM脈寬調(diào)制控制方式不同，該器件采用簡單的開/關(guān)控制來調(diào)節(jié)輸出電壓使之穩(wěn)定。TNY256的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示，主要包括振蕩器、使能輸入、5.8V穩(wěn)壓器、BP腳欠壓保護(hù)電路、過熱保護(hù)電路、過流保護(hù)電路、自動(dòng)重啟動(dòng)計(jì)數(shù)器、輸入欠壓檢測電路、700V功率MOSFET。