高性能的PWM調(diào)制的電源管理IC－ME8263

　　ME8263內(nèi)部包含了5V內(nèi)置電源電路，基準(zhǔn)電路，振蕩器電路，反饋電路，頻率抖動(dòng)電路，前沿消隱電路， MOS管驅(qū)動(dòng)電路，過壓保護(hù)電路，過載保護(hù)電路，PWM控制電路。

　　ME8263的封裝腳位圖

　　ME8263的管腳說明

　　ME8263的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

　　ME8263的特性及優(yōu)勢

　　ME8263 的啟動(dòng)電流低至1uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動(dòng)電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間。

　　ME8263內(nèi)置的頻率抖動(dòng)設(shè)計(jì)可以很有效的改善系統(tǒng)的EMI特性，同時(shí)可以降低系統(tǒng)的EMI成本。

　　ME8263在系統(tǒng)工作在空載或者輕載的時(shí)候，進(jìn)入間隙工作模式，有效降低系統(tǒng)空載和輕載時(shí)候的功耗。

　　ME8263內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路，可以有效改善連續(xù)模式下的環(huán)路穩(wěn)定性，防止偕波振蕩，減少輸出紋波。

　　ME8263采用圖騰結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)輸出，可直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。同時(shí)芯片還內(nèi)置了一個(gè)18V的驅(qū)動(dòng)輸出嵌位電路，防止由于某種原因?qū)е孪到y(tǒng)驅(qū)動(dòng)輸出電壓過高使MOSFET的柵極擊穿。另外芯片設(shè)計(jì)時(shí)對驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了軟驅(qū)動(dòng)優(yōu)化處理，改善系統(tǒng)EMI。

　　ME8263內(nèi)置LEB前沿消隱功能，可以為系統(tǒng)節(jié)省一個(gè)外部的R-C網(wǎng)絡(luò)，降低系統(tǒng)成本。

　　ME8263集成了完善的保護(hù)功能模塊，包括：環(huán)路電流限制(OCP)、過載保護(hù)(OLP)、輸入過壓嵌位、驅(qū)動(dòng)過壓嵌位、欠壓鎖定(UVLO)等。

　　ME8263的典型應(yīng)用方案

　　ME8263能廣泛應(yīng)用在各種中小功率AC/DC開關(guān)電源方案中，比如機(jī)頂盒電源，小功率PC電源等。

　　ME8263典型應(yīng)用電路