基于RSA算法電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃

　　該電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片采用SMIC 0.18μm 6層金屬工藝，在SoC Eneounter平臺上進(jìn)行物理設(shè)計(jì)。為了了解整個(gè)芯片的布線擁塞程度和功耗的大概情況，進(jìn)行正式設(shè)計(jì)之前，對該芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)計(jì);通過預(yù)設(shè)計(jì)的結(jié)果分析芯片的布線擁塞情況，并對布局布線后的功耗進(jìn)行預(yù)估。在分析預(yù)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，針對預(yù)設(shè)計(jì)中存在的問題對芯片進(jìn)行詳細(xì)的電源規(guī)劃，為整個(gè)芯片設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的供電網(wǎng)絡(luò)，使最終的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化，并且滿足功耗、時(shí)序等要求。

　　1 功耗預(yù)估

　　預(yù)設(shè)計(jì)采用75%的利用率，對該電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片進(jìn)行了粗略的布圖規(guī)劃，僅設(shè)計(jì)了寬度為10 μm的電源環(huán)。為了使芯片功耗的分析結(jié)果更接近實(shí)際，對該芯片進(jìn)行了布局、時(shí)鐘樹綜合和詳細(xì)布線等步驟。在時(shí)序收斂的前提下，進(jìn)行功耗分析，工作電壓VDD為1.8 V，得到芯片的總功耗為115.41 mW，包括開關(guān)功耗(Switehing Power)、內(nèi)部功耗(Internal Power)和泄露功耗(Leakage Power)。但是芯片中存在IRDrop違規(guī)(即芯片中的電壓降超過了5%VDD)，如圖1所示，左上角的對話框中列出了存在IR Drop違規(guī)的地方，具體位置在版圖中的深色區(qū)域。一般情況下，5%的電壓降會增大10%～15%的線延遲，會產(chǎn)生時(shí)序違規(guī)，使芯片處于不正常的工作狀態(tài)，因此，需要在后續(xù)設(shè)計(jì)中進(jìn)行詳細(xì)的電源規(guī)劃。

　　式中：n為電源環(huán)的對數(shù)。

　　由式(3)可得所需電源環(huán)的總寬度為64.117μm。為了有效減小電源環(huán)所占據(jù)的芯片面積，該設(shè)計(jì)采用雙層電源環(huán)的設(shè)計(jì)，橫向采用Met-a13，Meta15;縱向采用Meta14，Meta16，因此n為2，由式(4)可得w為8.015 μm。為了給整個(gè)芯片的功耗預(yù)留一定的冗余量，并且金屬線的寬度足夠?qū)?，可以降低由于電遷移導(dǎo)致的電路失效，從反復(fù)實(shí)踐中得出，單個(gè)電源環(huán)的寬度取15 μm，可以滿足該芯片電遷移和電壓降的要求，設(shè)計(jì)好的電源環(huán)如圖2所示。

　　最后，根據(jù)文檔中提供的Rom核工作所需的最大電流值，設(shè)計(jì)Block Ring為Rom供電。

2.4 電源條的設(shè)計(jì)

　　為了解決芯片預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)內(nèi)部IR Drop違規(guī)的問題，通過設(shè)計(jì)電源條(Power Stripe)來減小芯片內(nèi)部的電壓降。電源條分為橫向和縱向，縱向電源條寬度設(shè)為WV，橫向電源條寬度設(shè)為WH，縱向電源條的間距設(shè)為SV，橫向電源條的間距設(shè)為SH。一般來說，由于在橫向有很多標(biāo)準(zhǔn)單元的電源/地線，因此需要的橫向電源條線比縱向電源條線要少很多。

　　對于WV，WH和SV，SH的設(shè)定，有以下幾個(gè)經(jīng)驗(yàn)規(guī)則：

　　(1)WV一般取垂直布線間距(Pitch)的整數(shù)倍，其目的是充分利用布線通道。取值不能太大，一般情況下不超過最小二輸入與非門寬度的4倍。

　　每一層金屬的Pitch在物理庫中都有相應(yīng)的定義。SMIC的0.18μm工藝庫中所定義的Meta11～Meta16的Pitch如表1所示。

　　SMIC的0.18μm工藝庫中最小二輸入與非門的寬度為1.98μm。因此，若采用Meta12或Meta14作為縱向電源條，WV取0.66～7.92μm之間0.66的整數(shù)倍值;若采用Meta16作為縱向電源條，則WV取0.95～7.92μm之間0.95的整數(shù)倍值。

　　(2)WH的取值一般是標(biāo)準(zhǔn)單元高度的整數(shù)倍，通常選擇1倍或2倍;也可以將電源條線的寬度設(shè)為整數(shù)。SMIC 0.18μm工藝庫中標(biāo)準(zhǔn)單元的高度為5.04μm，則橫向電源條的寬度取5.04μm或10.08μm。

　　(3)在電源條金屬層的選擇上，根據(jù)LEF的規(guī)定，縱向選擇偶數(shù)層，橫向選擇奇數(shù)層。由于高層金屬具有較小的寄生電阻，用高層金屬走線可以有效地減小電壓降。

　　(4)確定電源條線的寬度后，需要計(jì)算其間距SV，SH?？筛鶕?jù)文獻(xiàn)中提出的方法進(jìn)行計(jì)算。

　　如圖3所示的電源網(wǎng)格，在估算出Core內(nèi)部橫/縱向供電金屬條寬基礎(chǔ)上，可以求出功耗為P的總電流JTOTAL=P/VDD。

　　假設(shè)圖3中A點(diǎn)有5%的電壓降，那么位于A點(diǎn)其有效電阻分別為：

　　式中：RVW和RHW分別是豎直方向和水平方向的參考方塊電阻。

　　假設(shè)N為縱向電源條線的對數(shù)，M為橫向電源條線的對數(shù)，則其值分別為：

　　最后，若所設(shè)計(jì)的縱向電源條和橫向電源條是均勻分布在芯片內(nèi)核，則縱向電源網(wǎng)格的間距SV和橫向電源網(wǎng)格的間距SH分別為：

　　首先對縱向電源條進(jìn)行設(shè)計(jì)。由于電源條位于芯片內(nèi)部，將占據(jù)一定的布線資源，而布線器一般是優(yōu)先選用底層金屬開始布線，因此頂層金屬的布線資源比較寬裕。并且，頂層金屬比其他層金屬要厚一些，電氣性能也要好一些，多使用頂層金屬對減小IR Drop有著很大的幫助。因此選用Meta16作為縱向電源條。根據(jù)實(shí)際情況，縱向電源條的寬度WV取為7.6 μm。芯片內(nèi)核區(qū)域的寬度W為1 578.085μm，高度H為1 567.44μm，因此由上述公式可得該系統(tǒng)認(rèn)證芯片所需電源條的總對數(shù)N為5.749，取N=6，即在芯片內(nèi)核區(qū)域均勻放置6對寬度為7.6μm的Meta16電源條，每對電源條之間的間距為225.44μm。

　　接著進(jìn)行橫向電源條的設(shè)計(jì)。選用高層金屬M(fèi)eta15作為橫向電源條，寬度取為5.04μm，由上述公式可得，所需橫向電源條的總寬度為87.424 μm。但是，實(shí)際上并不需要這么多電源條，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)單元的電源/地都通過Metal1連接到芯片內(nèi)核的兩端，并且與縱向電源條相連。該設(shè)計(jì)共有標(biāo)準(zhǔn)單元行(Row)312行，每行有1對0.4μm的橫向電源條，相當(dāng)于有312×0.4=124.8μm的電源條，大于所需的橫向電源條總寬度，已經(jīng)足夠供應(yīng)整個(gè)芯片，使水平方向的電壓降小于VDD×5%=0.09 V。

　　為了使水平方向的電壓降更小，設(shè)計(jì)了3對寬度為5.04 μm的Metal5層橫向電源條，均勻分布在芯片內(nèi)核區(qū)域。電源條的設(shè)計(jì)結(jié)果如圖4所示。

　　經(jīng)過后續(xù)物理設(shè)計(jì)后，在滿足時(shí)序收斂的前提下，最終詳細(xì)布線后電源網(wǎng)絡(luò)VDD功耗分析的結(jié)果如表2所示，可看出，電源規(guī)劃的設(shè)計(jì)很好地改善芯片內(nèi)部的IR Drop，最終芯片內(nèi)部不存在IR Drop的違規(guī)，滿足了功耗要求，如圖5所示。

　　3 結(jié)語

　　本文主要討論了基于RSA算法的電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃?；赟MIC 0.18μm工藝，首先對該芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)計(jì)，通過對預(yù)設(shè)計(jì)進(jìn)行功耗預(yù)估和布線擁塞程度的分析結(jié)果，在正式設(shè)計(jì)時(shí)提高了芯片利用率，減小了芯片的面積;并且通過詳細(xì)的電源規(guī)劃(包括雙層電源環(huán)和電源條的設(shè)計(jì)等)消除了預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)存在的電壓降違規(guī)，使該電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片最終滿足功耗要求和時(shí)序收斂。