當(dāng)前主流模塊電源技術(shù)及發(fā)展

　　模塊電源發(fā)展趨勢

　　1999到2004年塊電源全球市場預(yù)測為由30億美元增加到50億美元，主要的市場增長點(diǎn)為數(shù)據(jù)通訊，其中5V輸出所占的比例從30%(1999)下降到11%(2004年)。模塊電源的發(fā)展以下幾個(gè)動(dòng)向值得注意：

　　1)高功率密度、低壓輸出(低于3.3V)、快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的需求推動(dòng)模塊電源的發(fā)展。

　　2)非隔離式DC-DC變換器(包括VRM)比隔離式增長速度更快。

　　3)分布式電源比集中式電源發(fā)展快，但集中式供電系統(tǒng)仍將存在。

　　4)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的DC-DC變換器所占的比重將增大。

　　5)模塊電源的設(shè)計(jì)日趨標(biāo)準(zhǔn)化，控制電路傾向于采用數(shù)字控制方式。

　　模塊電源關(guān)鍵技術(shù)

　　目前國內(nèi)市場使用模塊電源的主要供應(yīng)商為VICOR、ASTEC、LAMBDA、ERICCSON以及POWER-ONE。為實(shí)現(xiàn)高功率密度，在電路上，早期采用準(zhǔn)諧振和多諧振技術(shù)，但這一技術(shù)器件應(yīng)力高，且為調(diào)頻控制，不利于磁性器件的優(yōu)化。后來這一技術(shù)發(fā)展為高頻軟開關(guān)和同步整流。由于采用零電壓和零電流開關(guān)，大大降低了器件的開關(guān)損耗，同時(shí)由于器件的發(fā)展，使模塊的開關(guān)頻率大為提高，一般PWM可達(dá)500kHz以上。大大降低了磁性器件的體積，提高了功率密度。

　　電路拓?fù)浒l(fā)展趨勢

　　DC-DC變換器電路拓?fù)涞闹饕l(fā)展趨勢如下：

　　高頻化：為縮小開關(guān)變換器的體積，提高其功率密度，并改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)，小功率DC-DC變換器開關(guān)頻率將由現(xiàn)在的200-500kHz提高到1MHz以上，但高頻化又會(huì)產(chǎn)生新的問題，如：開關(guān)損耗以及無源元件的損耗增大，高頻寄生參數(shù)以及高頻EMI的問題等。

　　軟開關(guān)：為提高效率采用各種軟開關(guān)技術(shù)，包括無源無損(吸收網(wǎng)絡(luò))軟開關(guān)技術(shù)，有源軟開關(guān)技術(shù)，如：ZVS/ZCS諧振、準(zhǔn)諧振、恒頻零開關(guān)技術(shù)等，減小開關(guān)損耗以及開關(guān)應(yīng)力，以實(shí)現(xiàn)高效率的高頻化。如美國VICOR公司開發(fā)的DC-DC高頻軟開關(guān)變換器，48/600W輸出，效率為90%，功率密度120W/in3，日本LAMBDA公司采用有源箝位ZVS-PWM正反激組合變換以及同步整流技術(shù)，可使DC-DC變換模塊的效率達(dá)90%。

　　低壓輸出：例如現(xiàn)代微處理器的VRM電壓將為1.1-1.8V，便攜式電子設(shè)備的DC-DC變換器輸出電壓為1.2V，特點(diǎn)是負(fù)載變化大，多數(shù)情況下工作低于備用模式，長期輕載運(yùn)行。要求DC-DC變換器具有如下特征：a)負(fù)載變化的整個(gè)范圍內(nèi)效率高。b)輸出電壓低(CMOS電路的損耗與電壓的平方成正比，供電電壓低，則電路損耗小)。c)功率密度高。這種模塊采用集成芯片的封裝形式。

　　模塊電源工藝發(fā)展方向

　　降低熱阻，改善散熱——為改善散熱和提高功率密度，中大功率模塊電源大都采用多塊印制板疊合封裝技術(shù)，控制電路采用普通印制板置于頂層，而功率電路采用導(dǎo)熱性能優(yōu)良的板材置于底層。早期的中大功率模塊電源采用陶瓷基板改善散熱，這種技術(shù)為適應(yīng)大功率的需要，發(fā)展成為直接鍵合銅技術(shù)(Direct Copper Bond，DCB)，但因?yàn)樘沾苫逡姿椋诨迳习惭b散熱器困難，功率等級不能做得很大。后來這一技術(shù)發(fā)展為用絕緣金屬基板(Insutalted Mental Substrate，IMS)直接蝕刻線路。最為常見的基板為鋁基板，它在鋁散熱板上直接敷絕緣聚合物，再在聚合物上敷銅，經(jīng)蝕刻后，功率器件直接焊接在銅上。為了避免直接在IMS上貼片造成熱失配，還可以直接采用鋁板作為襯底，控制電路和功率器件分別焊于多層(大于四層，做變壓器繞阻)FR-4印制板上，然后把焊有功率器件的一面通過導(dǎo)熱膠粘接在已成型的鋁板上固定封裝。不少模塊電源為了更利于導(dǎo)熱、防潮、抗震，進(jìn)行了壓縮密封。最常用的密封材料是硅樹脂，但也有采用聚氨酯橡膠或環(huán)氧樹脂材料。后兩種方式絕緣性能好，機(jī)械強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好，成為近年來模塊電源的發(fā)展趨勢之一，是提高模塊功率密度的關(guān)鍵技術(shù)。

　　二次集成和封裝技術(shù)——為提高功率密度，近年開發(fā)的模塊電源無一例外采用表面貼裝技術(shù)。由于模塊電源的發(fā)熱量嚴(yán)重，采用表面貼裝技術(shù)一定要注意貼片器件和基板之間的熱匹配，為了簡化這些問題，最近出現(xiàn)了MLP(Multilayer Polymer)片狀電容，它的溫度膨脹系數(shù)和銅、環(huán)氧樹脂填充劑以及FR4 PCB板都很接近，不易出現(xiàn)象鉭電容和磁片電容那樣因溫度變化過快而引起電容失效的問題。另外為進(jìn)一步減小體積，二次集成技術(shù)發(fā)展也很快，它是直接購置裸芯片，經(jīng)組裝成功能模塊后封裝，焊接于印制板上，然后鍵合。這一方式功率密度更高，寄生參數(shù)更小，因?yàn)椴捎孟嗤牧系幕?，不同器件的熱匹配更好，提高了模塊電源的抗冷熱沖擊能力。李澤元教授領(lǐng)導(dǎo)的CPES在工藝上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module)，它是一種三維的封裝結(jié)構(gòu)，主要針對功率電路，取代線鍵合技術(shù)。

　　扁平變壓器和磁集成技術(shù)——磁性元件往往是電源中體積最大、最高的器件，減小磁性元件的體積就提高了功率密度。在中大功率模塊電源中，為滿足標(biāo)準(zhǔn)高度的要求，大部分的專業(yè)生產(chǎn)廠家自己定做磁芯。而現(xiàn)有的磁性供應(yīng)商只有飛利浦可以提供通用的扁平磁芯，且這種變壓器的繞組制作也存在一定難度。采用這種磁芯可以進(jìn)一步減小體積，縮短引線長度，減小寄生參數(shù)。CPES一直在研究一種磁集成技術(shù)，福州大學(xué)的陳為教授3年前在CPES研究了磁集成技術(shù)，他們做的一個(gè)樣機(jī)是半橋電路，輸出整流采用倍流整流技術(shù)，而且輸出端的兩個(gè)電感跟主變壓器集成在一個(gè)鐵芯里，最后達(dá)到的功率密度為300W/in3。倍流整流技術(shù)適用于輸出電流大，對di/dt要求高的場合，比如在實(shí)現(xiàn)VRM的電路中就常常用這種整流電路。

　　國內(nèi)市場常見模塊電源品牌簡介

　　VICOR

　　美國VICOR公司模塊電路技術(shù)的核心是零電流開關(guān)，工藝上大量采用二次集成和定制器件，它使VICOR變換器工作頻率超過1MHz，效率達(dá)90%以上，功率密度比普通變換器高10倍，可達(dá)每立方英寸120W。模塊接通電源后把一個(gè)量子化的能量塊從輸入源輸?shù)揭粋€(gè)由變壓器初級線圈固有漏電感和電容元件構(gòu)成的LC諧振電路。同時(shí)一個(gè)近似于半個(gè)正弦波的電流通過功率場效應(yīng)管開關(guān)，電流為零時(shí)開關(guān)接通，經(jīng)過半個(gè)正弦波后電流返回零時(shí)開關(guān)斷開。VICOR模塊采用這種零電流開關(guān)原理，減小了開關(guān)損耗，降低了傳導(dǎo)和輻射噪聲電平。為保證不同負(fù)載下系統(tǒng)的穩(wěn)定性，VICOR模塊采用變頻技術(shù)跟蹤負(fù)載電流的變化，以保證在任何情況下模塊都工作在最佳狀態(tài)下。

　　NEMIC-LAMBDA、POWER-ONE和ASTEC、TYCO

　　日本LAMBDA公司電源模塊、美國POWER-ONE電源模塊和ASTEC(雅達(dá))屬于PWM部分諧振零電壓開關(guān)。在脈寬調(diào)制性恒頻變換器線路的條件下，讓功率場效應(yīng)管在開通和關(guān)斷的瞬間產(chǎn)生諧振，實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)，從而大大減小了開關(guān)損耗和輻射干擾，使工作頻率提高到200-500kHz，效率提高至80%-90%。因?yàn)轭l率基本恒定且不太高，對器件的要求也不是很嚴(yán)格，線路不是很復(fù)雜，因此成本不是很高，相對全諧振型變換器而言，這種變換器價(jià)格較低，在計(jì)算機(jī)和通訊領(lǐng)域達(dá)到了較佳的性能價(jià)格比。

　　ERICSSON

　　瑞典ERICSSON電源模塊主要是低壓輸入模塊，功率從5-200W。這種模塊的特點(diǎn)是主要采用了推挽和半橋式脈寬調(diào)制場效應(yīng)管線路，工作頻率達(dá)300kHz。驅(qū)動(dòng)和控制采用了專利電路。工藝上采用DCB和線鍵合技術(shù)，大大降低了寄生參數(shù)，降低了紋波，改善了散熱。

　　國產(chǎn)模塊

　　主要的供應(yīng)商有新雷能、迪賽、24所等。其中新雷能與迪賽源出一處，所以這兩家的產(chǎn)品大致相同，大部分模塊采用貼片和插件混裝工藝，早期研發(fā)的模塊大量采用鋁電解電容，灌封膠自制，成本低，工藝和可靠性差。

　　中興模塊電源

　　中興電源產(chǎn)品部從1999年年末開始進(jìn)行模塊電源的開發(fā)，目前已經(jīng)完成和正在進(jìn)行開發(fā)的模塊共5大系列，31個(gè)品種，功率等級從1.5W到300W，輸出電壓從3.3V到48V。中興模塊電源的系列劃分如下：

　　G：通用系列模塊電源，用于對成本要求較高，在保證可靠性的基礎(chǔ)上性能要求一般的場合。

　　H：高效大功率密度系列，主要用于對體積和效率要求比較嚴(yán)格的場合。

　　D：主要用于對體積要求較高的場合。

　　N：非隔離系列，主要用于低壓輸出，快速動(dòng)態(tài)相應(yīng)的場合。

　　R：鈴流系列，用于給電話機(jī)振鈴供電。

　　中興模塊電源的研發(fā)是在仔細(xì)分析了同類模塊電源失效模式的基礎(chǔ)上開發(fā)的，吸收了替代模塊的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。電路拓?fù)渖希信dDC/DC模塊電源采用了專利技術(shù)的有源箝位ZVS變換技術(shù)，在主功率管開通和關(guān)斷的瞬間使主功率管實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)，降低了開關(guān)損耗和輻射干擾。低壓模塊采用同步整流，提高了變換的效率。工藝上，中大功率采用鋁基板工藝，形成了一整套完整的專利工藝方案，大大降低了線路之間的耦合和因?yàn)榕蛎浵禂?shù)不同造成的器件熱損傷。DC/AC鈴流模塊在低頻換向瞬間實(shí)現(xiàn)了零電壓轉(zhuǎn)換，大大提高了模塊的效率和可靠性。

　　中興模塊電源主要具有以下幾個(gè)特點(diǎn)： a、全SMT工藝，高可靠性。產(chǎn)品開發(fā)階段嚴(yán)格遵循可靠性設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，測試和中試轉(zhuǎn)產(chǎn)階段共進(jìn)行4次可靠性實(shí)驗(yàn)。完成試生產(chǎn)后還要進(jìn)行MTBF實(shí)驗(yàn)。所有模塊基本可靠性指標(biāo)20萬小時(shí)均經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。設(shè)計(jì)可靠性指標(biāo)超過200萬小時(shí)。

　　b、全負(fù)載范圍正常工作，無需死負(fù)載。

　　c、帶容性負(fù)載能力強(qiáng)，所有模塊通過各種實(shí)驗(yàn)條件下的帶10000μF電容測試。

　　半導(dǎo)體集成、模塊電源封裝和電路拓?fù)涞倪M(jìn)步將模塊電源帶入了一個(gè)全新的領(lǐng)域，模塊電源正一步步向器件級發(fā)展。隨著模塊電源集成化和一致性設(shè)計(jì)的推進(jìn)，模塊的應(yīng)用也日趨標(biāo)準(zhǔn)化，應(yīng)用電路越來越簡單，選型也變得相對容易。各模塊電源廠商已經(jīng)開始進(jìn)行器件和電路的整合來盡量降低成本，提高競爭力。