耦合電容和分布電容的選用

耦合電容和分布電容的選用
從電路來說，總是存在驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負載。如果負載電容比較大，驅(qū)動電路要
把電容充電、放電，才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電流比較大，這樣驅(qū)
動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，
會產(chǎn)生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作。
這就是耦合。
去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅(qū)動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。
旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪
聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u
等，而去耦合電容一般比較大，是10u 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動電流的變
化大小來確定。
旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，
防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。
去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另
一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分
布電感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦電容有5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約
在7MHz 左右，也就是說，對于10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz 以上的
噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF 的電容，并行共振頻率在20MHz 以上，去除高頻噪聲的
效果要好一些。每10 片左右集成電路要加一片充放電電容，或1 個蓄能電容，可選10μF
左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)
為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz
取0.1μF，100MHz 取0.01μF。
分布電容是指由非形態(tài)電容形成的一種分布參數(shù)。一般是指在印制板或其他形態(tài)的電路
形式，在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小，但可能對電
路形成一定的影響。在對印制板進行設(shè)計時一定要充分考慮這種影響，尤其是在工作頻率很
高的時候。也成為寄生電容，制造時一定會產(chǎn)生，只是大小的問題。布高速PCB 時，過孔
可以減少板層電容，但會增加電感。
分布電感是指在頻率提高時，因?qū)w自感而造成的阻抗增加.
電容器選用及使用注意事項：
1，一般在低頻耦合或旁路，電氣特性要求較低時，可選用紙介、滌綸電容器；在高頻
高壓電路中，應(yīng)選用云母電容器或瓷介電容器；在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容
器。
2，在振蕩電路、延時電路、音調(diào)電路中，電容器容量應(yīng)盡可能與計算值一致。在各種
濾波及網(wǎng)（選頻網(wǎng)絡(luò)），電容器容量要求精確；在退耦電路、低頻耦合電路中，對同兩級精
度的要求不太嚴格。
3，電容器額定電壓應(yīng)高于實際工作電壓，并要有足夠的余地，一般選用耐壓值為實際
工作電壓兩倍以上的電容器。
4，優(yōu)先選用絕緣電阻高，損耗小的電容器，還要注意使用環(huán)境。

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